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[外观设计]庭院灯（GA73X）-CN202030549641.9有效
发明人：陈建文;杨文祥;徐银鸽;冯亚冬;郭冰冰 -专利权人：常州格林照明股份有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： 26-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：庭院灯（GA73X）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于照明。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
庭院 ga73x

[发明专利]GaIn比例渐变的W型锑基半导体激光器-CN201510111618.X有效
发明人：唐吉龙;魏志鹏;方铉;房丹;高娴;牛守柱;王菲;马晓辉;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有InAs/GaInSb W型锑基半导体激光器很难实现室温发光，低温(73K)发光的输出功率也很小。型量子阱具有多周期结构，所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱夹GaInSb空穴量子阱的三明治结构，外层是一对AlSb合金限制层；其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱由3～9层Ga1‑xInxSb层构成，x＝0.05～0.35，中间的Ga1‑xInxSb层的x的值最大，两边的Ga1‑xInxSb层自中间向两边呈1～4级分布，同级的两个Ga1‑xInxSb层的x的值相同，自中间向两边各级Ga1‑xInxSb层的x的值逐渐减小。
ga in 比例渐变型锑基半导体激光器

[发明专利]一种高性能宏观泡沫态Fe73Ga27磁致伸缩材料及其制备工艺-CN201510153782.7有效
发明人：胡姗姗;马天宇;刘孝莲;周向志 -专利权人：浙江大学;杭州广荣科技有限公司
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能宏观泡沫态Fe73Ga27磁致伸缩材料及其制备工艺。通过制备多孔偏铝酸钠前驱体在Fe73Ga27合金中引入孔提高其磁致伸缩性能，其孔隙大小为20‑100μm，孔隙率为30%‑50%，制备工艺采用真空喷铸炉向铜模中喷铸。本发明基于引入孔隙减少Fe73Ga27中磁畴旋转的阻碍作用，开发出宏观泡沫态Fe73Ga27磁致伸缩材料，具有大磁致应变、低驱动场、较高的力学性能；采用本发明的方法制得的泡沫材料孔隙均匀，磁致伸缩系数超过
一种性能宏观泡沫 fe73ga27 伸缩材料及其制备工艺

[发明专利]III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法-CN201080020695.X无效
发明人：盐谷阳平;善积祐介;京野孝史;秋田胜史;上野昌纪;住友隆道;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al0.08Ga0.92N覆层(72)。在n型覆层(72)上，以产生晶格弛豫的方式生长GaN光导层(73a)。在光导层(73a)上，以不产生晶格弛豫的方式生长有源层(74)、GaN光导层(73b)、Al0.12Ga0.88N电子阻挡层(75)及GaN光导层(73c)。在光导层(73c)上，以产生晶格弛豫的方式生长p型Al0.08Ga0.92N覆层(76)。在p型覆层(76)上，以不产生晶格弛豫的方式生长p型GaN接触层(77)，从而制作半导体激光器(11a)。
iii 氮化物半导体激光二极管制作方法

[发明专利]氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶-CN201880012548.4有效
发明人：井上一吉;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-02-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：一种氧化物半导体膜，其特征在于，以下述原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，且以下述原子比含有稀土元素X，0.03≦X/(In+Ga+Sn+X)≦0.25…(4)。
氧化物半导体薄膜晶体管烧结以及溅射

[发明专利]Al_xGa_1-xN晶体的生长方法和Al_xGa_1-xN晶体衬底-CN200780023255.8有效
发明人：宫永伦正;水原奈保;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了Al_xGa_1-xN晶体生长方法以及Al_xGa_1-xN晶体衬底，其中获得了低位错密度的大块晶体。所述Al_xGa_1-xN晶体(0＜x≤1)生长方法是一种通过气相技术生长Al_xGa_1-xN晶体10的方法，其特征在于，在晶体生长中，在Al_xGa_1-xN晶体10的主生长面11上形成至少一个具有多个小面12的凹坑10p，并在所述至少一个凹坑10p存在下生长Al_xGa_1-xN晶体10，以减少Al_xGa_1-xN晶体10中的位错。
al sub ga 晶体生长方法衬底

[发明专利]一种利用极化掺杂制备增强型GaN基晶体管的方法-CN201711137450.5有效
发明人：房育涛;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：利用AlN和GaN的自发极化强度之间存在较大的差别，可以通过组分渐变的Al_xGa_1‑xN实现极化掺杂获得P型Al_xGa_{1‑x<在GaN基材料外延生长Al组分逐渐减小的P‑型Al_xGa_1‑xN层，然后在P‑型Al_xGa_1‑xN层上生长Al_xGa_1‑xN层，Al_xGa_1‑xN层为Al组分x从0％‑10％增加到15％‑35％的组分渐变层或x为15％‑35％的组分固定层，再制作与Al_xGa_1‑xN层形成欧姆接触的源、漏极以及与P‑型Al_xGa_1‑xN层形成肖特基接触的栅极。通过改变P‑型Al_xGa_1‑xN的组分厚度可以调节器件开启电压，通过改变Al_xGa_1‑xN层的厚度和组分可以调节导通电阻}
一种利用极化掺杂制备增强 gan 晶体管方法

[发明专利]低位错密度Al_xGa_1-xN外延薄膜的制备方法-CN201510395293.2在审
发明人：鲁麟;李明潮;刘畅;吕琛;江明 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低位错密度Al_xGa_1-xN外延薄膜的制备方法，制备方法包括：在衬底上外延生长AlN薄膜；将制得的AlN薄膜上外延生长多个周期Al_yGa_1-yN/AlN超晶格插入层；在上述Al_yGa_1-yN/AlN超晶格插入层表面外延生长Al_xGa_1-xN薄膜；腐蚀制得的Al_xGa_1-xN薄膜，形成具有位错坑的Al_xGa_1-xN薄膜；在上述具有位错坑的Al_xGa_1-xN薄膜表面沉积介质膜，形成具有介质膜的外延片；将上述具有介质膜的外延片表面抛光，制得外延片模板；在上述外延片模板上继续外延生长Al_xGa_1-xN，制得Al_xGa_1-xN外延薄膜；其中，x、y为不大于1的正数。
低位密度 al sub ga 外延薄膜制备方法

[发明专利]x73‑PHD系统及其固件自动更新方法-CN201210343203.1有效
发明人：李元发;黄永顺 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：一种x73‑PHD系统及其固件自动更新方法。x73‑PHD系统包括x73‑PHD转换器及x73‑PHD网关。x73‑PHD网关通过x73‑PHD转换器与生理监测器沟通，固件自动更新方法包括如下步骤。根据配对序号判断是否需更新x73‑PHD转换器的目前固件以产生回应结果。当回应结果为目前固件需更新时，将目前固件更新为与配对序号相对应的更新固件。
x73 phd 系统及其自动更新方法

[发明专利]一种Ce-Ga-Ni系大块非晶合金-CN201510346146.6在审
发明人：张博;朱振西;李宁 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ce-Ga-Ni系大块非晶合金，其特征在于Ce-Ga-Ni系大块非晶合金的成分为：Ce₆₀Ga_xNi_40-x(10≤x≤19)、Ce₆₅Ga_xNi_35-x(9≤x≤19)或Ce₇₀Ga_xNi_30-x(11≤x≤17)，其中x为Ga元素的原子百分数。本发明的Ce-Ga-Ni系大块非晶合金在较宽的成分范围内均表现出优异的玻璃化形成能力和热稳定性。本发明进一步拓宽了Ce基大块非晶合金的成分体系，有助于Ce基非晶合金的更广泛应用。
一种 ce ga ni 大块合金

[发明专利]一种双波长紫外发光二极管外延层结构及其制备方法-CN202210091615.4有效
发明人：王书昶;丁恒;宋潇瑞;刘玉申;黄威翔;娄祎祎 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：x2‑y1Gay1N层、n型Alx3Ga1‑x3N层、量子势垒势阱层、p型Alx7Ga1‑x7N电子阻挡层、p型Alx8Gax4Ga1‑x4N量子势垒层、Alx5Ga<>x4Ga1‑x4N量子势垒层、Alx6Ga1‑x6N量子势阱层和Alx5Ga1‑x5N量子势阱层，Alx5Ga
一种波长紫外发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]紫外线发光二极管用多量子阱及其制造方法-CN201280035692.2在审
发明人：赵炳求;闵在植;权世薰 -专利权人：芯片科技有限公司
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外线发光二极管用多量子阱，包括：Alx1Ga1-x1N势垒部，其交替配置有AlN势垒原子层与所述AlN势垒原子层上的GaN势垒原子层；以及Alx2Ga1-x2N量子阱部，其在所述Alx1Ga1-x1N势垒部上形成并交替配置有AlN阱原子层与在所述AlN阱原子层上形成的GaN阱原子层，其中，所述Alx1Ga1-x1N势垒部的Al组成比（x1）为0至0.7，所述Alx2Ga1-x2N量子阱部的Al组成比（x2）为0至0.7，所述Alx1Ga1-x1N势垒部的Al组成比（x1）大于所述Alx2Ga1-x2N量子阱部的Al组成比（x2），所述Alx1Ga1-x1N势垒部与所述Alx2Ga1-x2N量子阱部交替层叠
紫外线发光二极管用多量及其制造方法

[发明专利]一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法-CN201410462571.7有效
发明人：张雄;王书昶;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Al_x1Ga_1-x1N缓冲层、n型Al_x2Ga_1-x2N层、非掺杂i型Al_x3Ga_1-x3N吸收层、n型Al_x4In_y1Ga_1-x4-y1N/Al_x5In_y2Ga_1-x5-y2N超晶格分离层、非掺杂i型Al_x6Ga_1-x6N倍增层、p型Al_x7Ga_1-x7N层和p型GaN层，在n型Al_x2Ga_1-x2N层上引出n型欧姆电极本发明采用多周期n型Al_x4In_y1Ga_1-x4-y1N/Al_x5In_y2Ga_1-
一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法

[发明专利]半导体激光器件及其制造方法-CN200610073814.3有效
发明人：和田一彦 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：在n型GaAs衬底19上形成n型GaAs缓冲层20、非掺杂Al_xGa_1－xAs光导评估层21、n型Al_xGa_1－xAs第一覆层22、n型Al_xGa_1－xAs第二覆层23、非掺杂Al_xGa_1－xAs第一光导层24、非掺杂Al_xGa_1－xAs量子阱有源层25、非掺杂Al_xGa_1－xAs第二光导层26、p型Al_xGa_1－xAs第一覆层27、p型GaAs蚀刻停止层28、p型Al_xGa_1－xAs第二覆层29和p型GaAs帽层30。
半导体激光器及其制造方法

[发明专利]高纯度压电薄膜以及制造利用该薄膜的元件的方法-CN202080016376.5在审
发明人：安相贞 -专利权人：安相贞
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L41/314 文献下载
摘要：本公开涉及制造高纯度AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的方法以及利用该方法的高纯度AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜及利用该薄膜的装置(Method of manufacturing AlxxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的方法包括：在蓝宝石成膜基板形成牺牲层的步骤；以及在牺牲层上生长AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的步骤，其中，在生长AlxGa1‑xN(0.5≤x≤1)压电薄膜的步骤之前，还包括：形成由AlyGa1‑y
纯度压电薄膜以及制造利用元件方法

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