专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]顶层铜互连层的制作方法-CN200910056768.X有效
  • 周鸣 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-08-20 - 2011-03-30 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种顶层铜互连层的制作方法,所述顶层铜互连层在其他铜互连层表面形成,该方法包括:在刻蚀终止层的表面沉积掺有氟离子的硅玻璃FSG层;在FSG层的表面沉积SiON层;刻蚀所述SiON层和FSG层,在刻蚀终止层停止刻蚀,形成双大马士革结构;将上述形成的器件置入反应腔内进行高温灰化处理,将形成双大马士革结构时,FSG层吸收的水气挥发出去;利用物理气相沉积的方法,在所述双大马士革结构内形成铜互连线,采用该方法能够有效防止形成顶层铜互连层之后,沉积在FSG层上的钝化层(氮化硅层)表面出现气泡缺陷(bubbles defect)。
  • 顶层互连制作方法
  • [发明专利]座椅框架结构-CN201310495412.2有效
  • 山口贵生;熊崎义之;长崎晋也 - 丰田纺织株式会社
  • 2013-10-21 - 2014-05-07 - B60N2/30
  • 本发明涉及座椅框架结构,其包括:第一机构元件(25);第二机构元件(31);螺栓轴(31A1、25C、31A2);和座椅框架(3FS),其具有与第一机构元件配合在一起的配合部(3FSg5)和螺栓轴穿过的孔(3FSg4、3FSg1、3FSg3),座椅框架夹在第一机构元件(25)和第二机构元件(31)之间,且在座椅框架(3FS)处于在第一机构元件(25)和第二机构元件(31)之间延伸的状态中,通过使螺栓轴紧固在孔中第一机构元件(25)具有与座椅框架配合在一起的配合部(25E);并且通过紧固螺栓轴,第二机构元件(31)被一体地组装到处于通过装配每个装配部(3FSg5、25E)而定位在座椅框架(3FS)上的状态中的第一机构元件
  • 座椅框架结构
  • [发明专利]电子装置-CN201510858151.5有效
  • 林彦辉;刘建昌 - 深圳富泰宏精密工业有限公司;群迈通讯股份有限公司
  • 2015-11-30 - 2020-01-14 - H01Q1/44
  • 且与所述本体间隔设置,进而于所述基板与所述本体之间形成间隙,所述基板上设置有馈入点,用以馈入电流至所述本体;接地部,所述接地部接地,且电连接所述基板与本体,所述接地部部分遮蔽所述间隙从而形成接地区及非接地区;以及FSG电路,包括多个电感及电容,所述FSG电路设置于所述基板临近所述非接地区的一侧,其一端电连接至位于非接地区的本体,另一端接地,该FSG电路构成为当所述电子装置工作在不同的工作频段时,具有不同的等效阻抗。上述电子装置中的FSG电路可有效隔绝第一频段及第二频段的信号,有效提高了电子装置的辐射性能。
  • 电子装置
  • [实用新型]一种防水的节能建筑保温板-CN202021307406.1有效
  • 曹杰涛 - 湖南孚瓯科技有限公司
  • 2020-07-06 - 2021-04-06 - E04B1/80
  • 本实用新型公开了一种防水的节能建筑保温板,包括本体,所述本体由防水橡胶板、中间保温板和聚合物砂浆板组成,所述防水橡胶板的表面通过有机聚合物胶粘剂连接有FSG防水保温板层,所述FSG防水保温板层的表面通过有机聚合物胶粘剂连接有憎水岩棉保温层本实用新型通过防水橡胶板的表面通过有机聚合物胶粘剂连接有FSG防水保温板层,FSG防水保温板层的表面通过有机聚合物胶粘剂连接有憎水岩棉保温层,憎水岩棉保温层的表面通过有机聚合物胶粘剂连接有柔性灰浆板层,
  • 一种防水节能建筑保温
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN00131478.5无效
  • 国清辰也 - 三菱电机株式会社
  • 2000-10-20 - 2004-08-04 - H01L21/768
  • 在形成TEOS膜(1)后,通过CVD法或PVD法,在TEOS膜(1)上形成FSG膜(2)。而且,为了稀有气体原子可进入膜中,继续FSG膜的CVD或PVD,形成稀有气体原子含有层(3)。接着,以稀有气体原子含有层(3)上形成的抗蚀剂(4)用作掩模,顺序地腐蚀稀有气体原子含有层(3)和FSG膜(2)。然后,在除去抗蚀剂(4)后,在整个表面上形成阻挡金属(6)和铜膜(7)。
  • 半导体器件制造方法

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