专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]平版印刷的印刷板的制备方法-CN01125460.2有效
  • 堀田久;坂本敦 - 富士胶片株式会社
  • 2001-07-07 - 2002-02-06 - G03F7/30
  • 其中所述的水溶液包括至少一种化合物选自含有亚硝酸盐基团的化合物、含有氟原子的化合物和含有磷原子的化合物,条件是当该至少一种化合物是含氟原子的化合物时,所述处理的铝基片具有满足下式的表面0.30≤A/(A+B)≤0.90,其中A表示经X射线电子能谱进行化学分析(ESCA)测定的氟原子的峰面积(1S)(计算eV/sec);B表示由X射线ESCA测定的铝原子的峰面积(2P)(计算eV/sec);当该至少一种化合物是含磷原子的化合物时,所述处理的铝基片具有满足下式的表面0.05≤A/(A+B)≤0.70,其中A表示经X射线ESCA测定的磷原子的峰面积(1P)(计算eV/sec);B表示由X射线ESCA测定的铝原子的峰面积(2P)(计算eV/sec)。
  • 平版印刷印刷制备方法
  • [发明专利]一种用于EV-DO网络的接入鉴权方法及装置-CN200410055994.3有效
  • 张智江;顾旻霞;贾川;邹欣;朱青;喻斌 - 中国联合通信有限公司
  • 2004-08-04 - 2005-03-23 - H04L9/32
  • 本发明涉及一种用于EV-DO网络的接入鉴权方法及装置,其中在鉴别授权计费服务器上该接入鉴权方法包括:存储已在EV-DO网络登记的CDMA 1x用户的用户鉴权数据;接收EV-DO网络的接入网发送的请求对一个已在该网络登记的CDMA 1x用户进行接入鉴权的消息,该请求消息至少包括一个随机数和一个该用户基于该随机数的鉴权结果;从存储的用户鉴权数据中,搜索该用户的用户鉴权数据;利用该随机数以及搜索到的用户鉴权数据,基于用于CDMA1x用户的鉴权算法产生一个鉴权结果;判断该产生的鉴权结果与该用户的鉴权结果是否相等;若该两个鉴权结果相等,则向该接入网发送一个允许该用户接入该EV-DO网络的消息。通过该方法,不用对CDMA 1x用户的UIM卡进行改动,EV-DO网络就可以对已在该网络登记的CDMA 1x用户进行接入鉴权。
  • 一种用于evdo网络接入方法装置
  • [发明专利]一种软X射线滤光片及其制备方法和用途-CN202110972075.6在审
  • 孟建伟;翁祖谦 - 上海科技大学
  • 2021-08-24 - 2021-11-23 - G21K1/10
  • 本发明涉及X射线探测应用领域,特别是涉及一种软X射线滤光片及其制备方法和用途。本发明所提供的软X射线滤光片,包括石墨烯支撑层,所述石墨烯支撑层表面涂覆有铝膜。本申请所提供的软X射线滤光片采用了石墨烯作为铝膜的支撑结构,使得能量在277eV附近的光子,其透过率可达到90%以上,克服了现有滤光片对该能量范围透过率底的问题,而对于能量范围在400‑1000eV的光子,其最低透过率更是达到95%以上,尤其是能量大于1000eV的光子,几乎完全透过。
  • 一种射线滤光及其制备方法用途
  • [发明专利]玻璃-CN202180030512.0在审
  • 柴田明;安间伸一 - AGC株式会社
  • 2021-02-15 - 2022-12-06 - C03B5/235
  • 一种玻璃,折射率为1.55以上,在铂的X射线吸收精细结构(XAFS)分析中,将13290eV~13390eV的能量范围的平均吸收设为Aave、将13270eV~13290eV的能量范围的白线的最大值设为Amax时,由Amax/Aave表示的峰强度比为
  • 玻璃
  • [发明专利]负极活性物质和电池-CN201710159376.0有效
  • 蚊野聪;松下纯子;北条伸彦 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2017-03-17 - 2022-04-05 - H01M4/36
  • 本公开提供负极活性物质和电池,该负极活性物质含有碳材料和硅材料,所述碳材料含有硼,所述硅材料含有硅和氧化硅中的至少一者,所述硅材料是不含硼的材料,在采用X射线光电子能谱法得到的B1s谱中,所述碳材料在结合能187.0eV以上且192.0eV以下的范围具有峰,在采用X射线光电子能谱法得到的B1s谱中,所述碳材料在结合能187.0eV以上且192.0eV以下的范围具有的峰的面积相对于在结合能184.0eV以上且196.5eV以下的范围具有的全部峰的总面积的比例为50%以上。
  • 负极活性物质电池
  • [发明专利]二次电池-CN202180063714.5在审
  • 宗冈高敏;片山真一;黄木淳史;仓塚真树;藤川隆成;岛洋辅 - 株式会社村田制作所
  • 2021-09-13 - 2023-06-09 - H01M4/131
  • 在使用了X射线光电子能谱法的正极的表面分析中,检测出在结合能为528eV以上且531eV以下的范围内具有峰的第一氧谱,和在结合能大于531eV并且为535eV以下的范围内具有峰的第二氧谱,第一氧谱的强度相对于该第二氧谱的强度之比为在使用了X射线光电子能谱法的负极的表面分析中,检测出在结合能为528eV以上且531eV以下的范围内具有峰的第三氧谱,和在结合能大于531eV并且为535eV以下的范围内具有峰的第四氧谱,第三氧谱的强度相对于该第四氧谱的强度之比为
  • 二次电池
  • [实用新型]一种含量子阱结构的三结太阳能电池-CN201420539292.1有效
  • 杨翠柏;陈丙振;张杨;张小宾;张露;王雷 - 瑞德兴阳新能源技术有限公司
  • 2014-09-18 - 2015-01-21 - H01L31/0352
  • ,从下至上依次包括有作为衬底的第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池,所述三个子电池之间晶格匹配且通过隧穿结进行连接,其中,所述第一子电池为Ge电池,所述第二子电池为InxGa1-xNyAs1-y/GaAs量子阱电池,所述第三子电池为GaInP电池。本实用新型形成的能带隙组合在0.67eV/1.3eV /1.8eV左右,使第二子电池和第一子电池的能带隙差ΔEg1约为0.63,第三子电池和第二子电池的能带隙差ΔEg2约为0.5eV,两能带隙差更接近,且由于第三子电池GaInP能带隙在1.8eV左右,其可以比传统GaInP电池吸收更多的光子,这将使得本实用新型中三个子电池的电流分配更均匀。
  • 一种量子结构太阳能电池
  • [发明专利]移动通信方法和移动终端-CN200780015111.8有效
  • 户水诚 - 京瓷株式会社
  • 2007-04-26 - 2009-05-13 - H04W68/02
  • 一种移动通信方法,使用规定移动终端MS通过EV-DO基站接收来自1x基站的寻呼消息的3G1X协议来进行通信,所述移动通信方法包括以下步骤:在开始使用3G1X协议之后,在所述移动终端MS通过EV-DO基站BS#1来接收所述寻呼消息;以及在响应于接收寻址至所述移动终端MS的寻呼消息,从而停止使用3G1X协议之后,向1x基站#1发送针对寻址至所述移动终端MS的寻呼消息的寻呼响应消息,而不接收来自1x基站#1
  • 移动通信方法终端

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