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[发明专利]车身下部结构-CN202110276274.3有效
发明人：高桥直树;柴田峻志 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社斯巴鲁
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B60L3/00 文献下载
摘要：提供一种车身下部结构，其在下边梁的旁边具备电源和能量吸收构件(EA构件)，并将设于下边梁与EA构件之间的套管牢固地固定在EA构件的上板上。本说明书所公开的车身下部结构具备下边梁、电源包、EA构件。EA构件(21)被配置在下边梁之下。EA构件为中空，且在内部具备第一纵板(25a)、第二纵板(25b)和第三纵板(25c)。套管(30)贯穿EA构件的上板(23)，并在第一纵板与第二纵板之间穿过。套管的上端与下边梁抵接，下端与EA构件的下板(24)抵接。套管被焊接在上板上。斜撑(27a)对第二纵板与上板的内角和第三纵板与下板的内角进行连结。上板的厚度(T2)与下边梁的厚度(T1)之比为0.5以上且2.0以下。
车身下部结构

[发明专利]行波电极电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法-CN200710099043.X无效
发明人：周敬涛;王宝军;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：一种行波电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层、n－1.2Q四元层、n－铟磷空间层、下分别限制层、多量子阱、上分别限制层、缺陷扩散层；生长刻蚀出氧化硅掩膜保护电吸收调制器区，磷离子注入，退火，去掉氧化硅掩膜和缺陷扩散层；在模板转换器材料区刻蚀锥形上波导和下波导；依次外延p型磷化铟薄层、p型铟镓砷磷停止层、p型磷化铟盖层和p型铟镓砷接触层；刻蚀EA区的脊结构；刻蚀EA区的绝缘平面；制作氮化钽薄膜电阻；制作p型金属欧姆接触；制作N型金属欧姆接触；制作聚酰亚胺桥；在电吸收调制器材料区上制作钛金电极结构；减薄解理，完成制作。
行波电极吸收调制器转换器集成器件制作方法

[发明专利]半导体激光器阵列封装结构-CN201910440207.3有效
发明人：徐之光;程东;马云振 -专利权人：宁波东立创芯光电科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明属于光通信技术领域，涉及一种半导体激光器阵列封装结构，解决了半导体激光器阵列芯片的封装问题，n个激光器芯片均背面朝上贴装至衬底正面；n个MPD均贴装至衬底正面；n个耦合电容及n个匹配电阻均贴装至衬底背面；每个激光器芯片的EA区焊盘及增益区焊盘依次分别通过一条金属化导线及金线连接至衬底之外；n个MPD均通过金线连接至衬底之外；每个金属化过孔分别与一个激光器芯片的EA区焊盘连接，且每个金属化过孔分别通过一根金属化导线与各耦合电容的一端连接
半导体激光器阵列封装结构

[发明专利]用于生产BP、B12-CN201680029145.1有效
发明人： Y·莱戈德克;V·A·穆哈诺夫;V·L·索洛任科;P·S·索科洛夫;D·弗雷尔 -专利权人：皮埃尔和玛利居里大学(巴黎第六大学);国家科学研究中心;巴黎第十三大学-巴黎北方大学维达勒兹
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C01B35/14 文献下载
摘要：和/或B12P2的方法，所述方法包括磷酸硼(BPO4)与至少一种碱土金属(EA特别地，本发明的方法允许通过使用至少一种碱土金属(EA)还原磷酸硼(BPO4)，对于BP根据反应(1)和对于B12P<根据反应(2)来选择性地制备具有大于95％纯度的BP或B12P2：BPO4+4EA‑BP+4EA(O)(1)，2BPO4+5(EA)B2+3EA‑B12P2+8EA(O)(2)。
用于生产 bp base sub 12

[发明专利]一种基于能量检测的电力线通信仿真方法及系统-CN201410817506.1有效
发明人：林大朋;刘爱国;郭斌;臧志斌;吴泰霖;何业慎;刘效禹;邸卓;史兵;刘庆扬;陆欣;武占侠 -专利权人：深圳市国电科技通信有限公司;国网宁夏电力公司石嘴山供电公司;国网宁夏电力公司中卫供电公司;国网辽宁省电力有限公司信息通信分公司;南京南瑞集团公司;国家电网公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H04L12/26 文献下载
摘要：本发明提供一种基于能量检测的电力线通信仿真方法及系统，方法包括：根据电力线的载波能量平均强度E0和噪声平均强度N0确定基准参数Et；开启电力线上行通路和下行通路；预设采样频率；根据采样频率对所述上行通路和下行通路的电压强度进行采样，计算得到所述上行通路的能量均值Ea和所述下行通路的能量均值Eb；分别将所述能量均值Ea、能量均值Eb与基准参数Et进行比较；当所述能量均值Ea大于基准参数Et时，将下行通路输出的电压值置零；当所述能量均值
基准参数上行通路下行通路电力线通信采样频率能量检测电力线置零电力线信道传输数据信号环回载波能量输出采样预设噪声保证

[发明专利]用于根据用户的行为进行频道下载以变换数字频道的方法-CN201880087536.8在审
发明人：爱德华·索尔特 -专利权人：萨基姆宽带简易股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H04N21/433 文献下载
摘要：用于根据用户的行为下载频道以用于变换数字频道的方法，在解码构件中用于下载频道以用于从一个数字频道变换到另一个数字频道的方法，该解码构件被配置为对频道进行解码并将其传输到屏幕，解码构件(D1)包括下载模块(D141)，下载模块(D141)包括活动状态(EA)，·其中该方法在活动状态下包括以下步骤：以活动质量下载第一显示频道(N)，并与第一频道(N)并行下载至少一个其他频道(M)，根据活动比特率执行该下载，下载模块(D141)还包括非活动状态(EI)，其具有低于活动比特率的用于下载的非活动比特率，其特征在于，该方法在非活动状态下包括以下步骤：·以活动质量下载第一频道(N)，·接收具有用于改变频道的预警迹象的信号(103)；·当用于改变频道的具有预警迹象的信号(103)已被接收时，通过从非活动状态(EI)切换到活动状态(EA)来改变下载模块(D141)的状态。
用于根据用户行为进行频道下载变换数字方法

[实用新型]不对称接线平衡变压器-CN201120022134.5无效
发明人：罗隆福;许志伟;张志文;许加柱 -专利权人：湖南大学
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种不对称接线平衡变压器，该变压器包括铁芯、一次侧绕组和二次侧绕组，其特征在于，一次侧绕组采用Y型接线，其中性点N允许接地，一次侧匝数均为W1；二次侧绕组中，A相绕组由ea和ab两个绕组组成，B相绕组由bc一个绕组组成，C相绕组由dc和ca两个绕组组成；ab、bc、ca和dc绕组的匝数均为W2，ea绕组的匝数为W3，ab、ca和ea绕组以a点为公共点连接；ca、bc和dc绕组以c点为公共点连接
不对称接线平衡变压器

[发明专利]两面覆铜叠层板的制造方法、和在该制造方法中使用的一组铜或铜合金箔-CN201080049525.4有效
发明人：小野俊之 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本发明具有在第1铜箔的单面形成树脂层的第1步骤，和在该树脂层上叠层第2铜箔并进行加热，而得到两面覆铜叠层板的第2步骤，该制造方法使用第1铜箔和第2铜箔，当第1铜箔的应力σA＝EA×EB／（EA＋EB）×（ΔLA－ΔLB）×1000、第2铜箔的应力σB＝EA×EB／（EA＋EB）×（ΔLB－ΔLA）×1000、且将σA和σB中为负值的一者设为σγ时，|10×σγ|≤YSγ。其中，EA：将第1铜箔在350℃保持30分钟并冷却至室温后，再次在350℃保持30分钟并冷却至室温时宽度方向上的杨式模量；ΔLA：第1铜箔的宽度方向上的尺寸变化率；YSγ：拉伸试验中铜箔的0.2%屈服强度
两面覆铜叠层板制造方法使用一组铜合金

[实用新型]一种无外置电容的大功率LDO电路-CN201420719373.X有效
发明人：林美玉;王晓飞 -专利权人：广州市力驰微电子科技有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种无外置电容的大功率LDO电路，由1个误差放大器EA、1个运算放大器OP、2个电容C1、C2、3个电阻R1、R2、R3和1个N型MOS管Mpass组成。
一种外置电容大功率 ldo 电路

[发明专利]一种高压摆率和宽输出范围的运算放大器-CN202010425165.9有效
发明人：芮松鹏;蔡化;陈正;陈飞;高菊 -专利权人：成都微光集电科技有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供一种高压摆率和宽输出范围的运算放大器，用于驱动容性负载，其包括差分对输入模块EA_INPUT、输出模块DRIVE_MOS和正反馈模块；差分对输入模块EA_INPUT用于接受差分输入的两条支路电压信号，用于产生两条支路电流差；输出模块DRIVE_MOS接收两条支路的电流差以驱动容性负载；正反馈模块连接在的输出模块DRIVE_MOS的输出端和差分对输入模块EA_INPUT的输入端之间；其中，差分对输入模块EA_INPUT的输入端电位瞬时变化，通过正反馈模块使差分输入的两条支路驱动电流差增加；对于N型输入对管结构，通过瞬时增加的驱动电流来驱动容性负载上电位抬升时的压摆率；对于P型输入对管结构，通过瞬时增加的驱动电流来驱动容性负载上电位下拉时的压摆率
一种高压输出范围运算放大器

[发明专利]一种可适用于全面屏的高清手机镜头-CN201711019725.5有效
发明人：邱小雄;袁宏 -专利权人：辽宁中蓝光电科技有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：第一片透镜和第三片透镜具有正光焦度，第二片透镜和第四片透镜具有负光焦度；第二片透镜的物侧光学面和像侧光学面为凹面；第三片透镜呈弯月形，物侧光学面为凹面，像侧光学面为凸面；第四片透镜从物侧向像侧观察呈M形；满足以下条件式：ET1+EA1+ET2+EA2+ET31.55，EA30.62；ET1、ET2、ET3分别为第一片、第二片、以及第三片透镜的边缘厚度；EA1为第一片透镜与第二片透镜间的边缘空气间隙；EA2为第二片透镜与第三片透镜间的边缘空气间隙；EA3为第三片透镜与第四片透镜之间的边缘空气间隙。
一种适用于全面手机镜头

[实用新型]一种可适用于全面屏的高清手机镜头-CN201721398316.6有效
发明人：邱小雄;袁宏 -专利权人：辽宁中蓝电子科技有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：第一片透镜和第三片透镜具有正光焦度，第二片透镜和第四片透镜具有负光焦度；第二片透镜的物侧光学面和像侧光学面为凹面；第三片透镜呈弯月形，物侧光学面为凹面，像侧光学面为凸面；第四片透镜从物侧向像侧观察呈M形；满足以下条件式：ET1+EA1+ET2+EA2+ET3>1.55，EA3>0.62；ET1、ET2、ET3分别为第一片、第二片、第三片透镜的边缘厚度；EA1为第一片透镜与第二片透镜间的边缘空气间隙；EA2为第二片透镜与第三片透镜间的边缘空气间隙；EA3为第三片透镜与第四片透镜之间的边缘空气间隙。
透镜边缘空气物侧光学面像侧光学面手机镜头凹面高清像侧侧向本实用新型负光焦度孔径光阑正光焦度滤光片弯月形凸面物侧观察

[发明专利]一种LED驱动芯片的线性调整率的电路结构及调整方法-CN201910631223.0在审
发明人：马先林;马奎;郎宁;杨发顺;陈国辉 -专利权人：贵州道森集成电路科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED驱动芯片的线性调整率的电路结构，它包括开关K1，开关K1与保护电阻RC串联后接在运放EA的正向端；EA的负相端接入基准电压VREF；EA的输出端一接电容CC后反馈到运放EA的正向端，构成了微分正反馈电路；EA的输出端二接比较器COMP的第一输入端；比较器COMP的第二输入端接基准电压VREF；比较器COMP的输出端接同相器输入端；同相器输出端与开关K1控制端连接；同相器输出端与输出接口
输出端线性调整比较器输入端同相器电路结构基准电压输入电压正向端运放串联正反馈电路电流采样输出接口延迟电路电容降压型控制端低端电阻相端反馈

[实用新型]一种LED驱动芯片的线性调整率的电路结构-CN201921096726.4有效
发明人：马先林;马奎;郎宁;杨发顺;陈国辉 -专利权人：贵州道森集成电路科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H05B45/395 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED驱动芯片的线性调整率的电路结构，它包括开关K1，开关K1与保护电阻RC串联后接在运放EA的正向端；EA的负相端接入基准电压VREF；EA的输出端一接电容CC后反馈到运放EA的正向端，构成了微分正反馈电路；EA的输出端二接比较器COMP的第一输入端；比较器COMP的第二输入端接基准电压VREF；比较器COMP的输出端接同相器输入端；同相器输出端与开关K1控制端连接；同相器输出端与输出接口
一种 led 驱动芯片线性调整电路结构

[发明专利]包含含有编码病毒的不同神经氨酸酶抗原的第一、第二和第三核酸序列的核酸构建体的甲型猪流感病毒疫苗-CN202180043528.5在审
发明人： M·A·莫勒;B·H·纳加拉杰 -专利权人：英特维特国际股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C07K14/11 文献下载
摘要：第一NA抗原是A/swine/Scotland/410440/1994‑样H1huN2(Scot/94)谱系的NA抗原，第二NA抗原是A/swine/Gent/1/1984‑样H3N2(Gent/84)谱系的NA抗原，且第三NA抗原选自A(H1N1)pdm09(pdm09)谱系或欧亚类禽H1avN1(EA)谱系。
包含含有编码病毒不同神经氨酸抗原第一第二第三核酸序列构建甲型猪