专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种异质结结构rGO/g-CN气凝胶及其制备方法和应用-CN202211006812.8在审
  • 张焕芝;张慎道;荆锐;吴博竞;孙立贤;徐芬 - 桂林电子科技大学
  • 2022-08-22 - 2022-11-18 - B01J27/24
  • 本发明公开了一种异质结结构rGO/gCN气凝胶,以石墨化氮化碳gCN、氧化石墨烯GO和乙二胺EDTA为主要原料,经CN改性为具有亲水性改性石墨化氮化碳gCN后,将gCN和GO在EDTA的作用下,形成具有异质结结构的还原氧化石墨烯和改性石墨化氮化碳的气凝胶,即异质结结构rGO/gCN气凝胶。其制备方法包括以下步骤:1,改性石墨化氮化碳gCN的制备;2,异质结结构rGO/gCN气凝胶的制备。作为相变材料的应用,采用真空浸渍法,将聚乙二醇浸渍到异质结结构rGO/gCN气凝胶中,即可得到相变温度为38.53‑61.06℃,相变潜热为165‑182J/g,光热转换效率为90‑96%,相变材料负载率为90‑98wt%的异质结结构rGO/gCN气凝胶基复合相变材料。
  • 一种异质结结构rgocn凝胶及其制备方法应用
  • [发明专利]一种g-CN/GaN异质结位置敏感探测器的制备方法-CN202211019676.6在审
  • 娄庆;陈雪霞;单崇新 - 郑州大学
  • 2022-08-24 - 2022-11-22 - H01L31/18
  • 本发明提供了一种gCN/GaN异质结位置敏感探测器的制备方法,属于光电探测技术领域,位置敏感探测器的制备方法包括:清洗GaN生长衬底;将5‑10g三聚氰胺作为反应源放置在管式炉低温区进气口处,将清洗好的GaN生长衬底放置在管式炉高温区内;以惰性气体为保护气体,对管式炉升温得到gCN;将gCN冷却至室温得到gCN/GaN异质结;在gCN/GaN异质结上蒸镀一层金;对镀金后的gCN/GaN异质结进行后处理本发明所制备的gCN/GaN异质结具有良好的热稳定性,通过gCN/GaN异质结所制备的位置敏感探测器高温性能非常好。
  • 一种cngan异质结位置敏感探测器制备方法
  • [实用新型]一种双负载控制电路-CN202023252669.X有效
  • 马景源 - 广东盈科电子有限公司
  • 2020-12-30 - 2021-07-13 - H03K17/56
  • 本实用新型具体涉及一种双负载控制电路,包括第一发热丝、第二发热丝和第一接头CN1,其中:第一接头CN1连接有第二接头CN2,第二接头CN2的1脚连接有电源端,第二接头CN2的2脚连接有第一晶体管U1,第一晶体管U1的G端连接有HEAT1端,第二接头CN2的2脚连接有第二晶体管U2,第二晶体管U2的G端连接有HEAT2端,第一晶体管U1的G端与第二晶体管U2的G之间连接有三极管Q1。本实用新型的有益效果是:本电路通过第一晶体管U1的G端与第二晶体管U2的G之间连接有三极管Q1,使第一发热丝或第二发热丝加热,起本到成本低和减少炸机、降低产品不良率和该电路可适用于多种产品场合。
  • 一种负载控制电路
  • [发明专利]一种g-C3-CN202310407567.X在审
  • 周佳雯;姚斌 - 重庆工商大学
  • 2023-04-14 - 2023-08-15 - B01J27/24
  • 本发明公开了一种g‑C3N4/CN/CoP光催化剂的制备方法及应用。本发明采用原位合成的方法成功合成了g‑C3N4/ZIF‑Co复合材料,将此材料作为理想前体,随后再通过磷化方法制备了g‑C3N4/CN/CoP。g‑C3N4CN/CoP的紧密接触以及CoP的均匀分布可以增强电子转移以及增加更多的活性位点,从而提高光催化性能。本发明制备的g‑C3N4/CN/CoP具有良好的析氢效果(产氢活性为29.78mmol·g‑1
  • 一种basesub
  • [发明专利]一种在光催化还原二氧化碳(CO2-CN202211025961.9在审
  • 张金龙;刘志国;吴仕群;池智力 - 华东理工大学
  • 2022-08-25 - 2023-01-03 - B01J27/24
  • 本发明以三聚氰胺作为原料,在550 oC下煅烧得到非晶相的石墨相氮化碳(gCN),再通过高温煅烧非晶相的块状gCN制备了缺氮晶体gCN。得到的晶相gCN为破碎的直径为微米级的纳米片,形成的小尺寸gCN纳米片和增强的结晶度减小了电子的迁移距离。光生电子倾向于迁移和聚集在纳米片的边缘,导致边缘N缺陷处的电子密度较高。本发明所述方法可以简单通过控制煅烧温度和煅烧过程中的空气含量来控制gCN的结晶程度以及N缺陷的浓度。制备的缺氮晶相gCN材料在气固相光催化还原CO2体系中,表现出优异的光催化转化CO2合成甲烷(CH
  • 一种光催化还原二氧化碳cobasesub

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