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[发明专利]同步内容目录服务装置的方法、内容目录服务装置和系统-CN200780005497.4有效
发明人：权元石;李周烈;吴昇载;郑东信;韩世熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-08 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G06F17/00 文献下载
摘要：提供了一种用于在家庭网络环境中同步多个内容目录服务(CDS)装置的方法和系统。所述同步包括多个CDS装置和控制点(CP)的家庭网络中的多个CDS装置的方法包括：(a)使用CP请求多个CDS装置中的第一CDS装置开始同步；(b)使用第一CDS装置与多个CDS装置中的第二CDS装置执行同步；(c)使用CP从多个CDS装置中选择第三CDS装置，并请求第三CDS装置与第一CDS装置或第二CDS装置开始同步；(d)使用第三CDS装置与第一CDS装置或第二CDS装置执行同步。
同步内容目录服务装置方法系统

[发明专利]临床诊断支持网络、系统及方法-CN201480061743.8有效
发明人：邓寅晖;X·李;X·顾;V·T·沙姆达莎尼;Y·吴 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G16H10/60 文献下载
摘要：个体计算机诊断支持(CDS)系统被耦合到“全局”CDS系统，所述CDS系统中的每个使用相同的学习系统或相同的学习系统技术。来自所述个体CDS系统中的每个的训练和测试案例被提供给所述全局CDS系统，并且所述全局CDS系统使用这些训练案例以产生基于所述训练案例的学习系统参数。具有比所述个体CDS系统中的任何更多的训练案例，由所述全局CDS系统提供的参数提供比所述个体CDS系统中的任何更高质量的诊断输出。所述全局CDS系统处的所述学习系统参数可以被提供给所述个体CDS系统中的每个，以更新所述个体CDS系统的学习系统的参数。所述全局CDS也可以改善和/或调节所实现的学习系统的结构。
用于计算机化临床诊断支持分层自学习系统

[发明专利]一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法-CN202111457399.2在审
发明人：高彦昭;王英民;李轶男;王健;程红娟;刘禹岑;刘兴华 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C30B29/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于低位错密度CdS单晶生长的籽晶处理方法，将装有CdS籽晶的籽晶架、5～20g CdS粉和石英封帽从石英管的B端依次装入石英管内，进行抽真空、充高纯氩气、封结处理，然后将石英管装入双温区退火炉中进行加热，随着石英管内温度升高到设定温度，CdS粉挥发出的CdS气氛充满整个石英管腔内，再加上氩气的保护，CdS籽晶表面挥发量极少，同时CdS籽晶处于低温区，CdS气氛会在CdS籽晶表面的微裂纹处进行凝结生长，逐步将裂纹填充，实现CdS籽晶表面的微裂纹修复，有效降低了CdS籽晶片的位错密度。
一种用于低位密度 cds 生长籽晶处理方法

[发明专利]同步多内容目录服务的方法和内容目录服务装置及其系统-CN200710104417.2有效
发明人：韩世熙;吴昇栽;郑东信;权元石;李周烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：提供一种同步多个内容目录服务(CDS)装置的方法。该方法包括：由控制点(CP)查找并发现家庭网络中的N个CDS装置；由CP将请求同步开始的StartSync消息发送给所述N个CDS装置中的特定CDS装置；由已经接收到StartSync消息的CDS装置转发StartPeerSync消息，所述StartPeerSync消息通知剩余N－1个CDS装置将开始同步的事实；将所述N个CDS装置中的每一个与剩余N－1个CDS同步，其中，家庭网络包括N个CDS装置和一个CP，所述N个CDS装置提供存在于家庭网络中的多媒体内容的元数据，所述CP从所述N个CDS装置接收元数据，并且向媒体再现器请求重放多媒体数据。
同步内容目录服务方法装置及其系统

[发明专利]一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法-CN201811471118.7在审
发明人：张婷婷;邹时兵;李栋宇;徐兵 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法，属于纳米晶材料及发光二极管制备技术领域；具体制备方法为通过高温热注入法制备粒径在2.6nm左右的CdS核量子点；将提纯后的量子点在高温下与配位溶剂混合，通过高温热注入法，滴加阳离子与阴离子的混合前驱体，得到包覆有CdSe壳层的CdS/CdSe量子点；继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdS/CdSe/CdS量子阱；从下往上依次设置的玻璃基体、正电极、空穴传输层、CdS/CdSe/CdS量子阱发光层、电子传输层、负电极得到CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管；该发明方法制备的CdS/CdSe/CdS量子点量子阱最终发光效率达到100％，将CdS/CdSe/CdS量子阱作为发光二极管的发光层时，可以大大提高发光二极管的外量子效率。
量子阱发光二极管量子点制备发光层高荧光产率滴加制备技术领域电子传输层混合前驱体空穴传输层纳米晶材料外量子效率玻璃基体发光效率反应合成配位溶剂依次设置阴阳离子负电极前驱体阳离子阴离子正电极注入法提纯包覆壳层粒径

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片的缓冲层及其制备方法、铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片-CN201810818800.2在审
发明人：曲铭浩;黄昭雄;蔡爱玲;汝小宁;刘闯;蒋宗佑;袁渝 -专利权人：领凡新能源科技(北京)有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片的缓冲层及其制备方法、铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片，缓冲层为CdS:O缓冲层，靠近所述吸收层的所述CdS:O缓冲层的一侧包括外延生长CdS，远离所述吸收层的所述CdS:O缓冲层的一侧包括纳米晶CdS。缓冲层中的纳米晶CdS可以有效的阻止Cd向铜铟镓硒(CIGS)吸收层中扩散，且氧的引入可以有效增加CdS带隙，减少CdS对光的吸收，增加电池效率，缓冲层既有缓冲的作用，又有防止金属扩散的作用。本发明中的制备方法，在CIGS吸收层的界面处更容易外延生长CdS，在CIGS吸收层的界面外更容易生长CdS纳米晶。
缓冲层吸收层纳米晶铜铟镓硒薄膜太阳能电池外延生长制备芯片电池效率金属扩散铜铟镓硒界面处缓冲带隙扩散生长引入吸收

[发明专利]内容分发业务会话管理方法及系统、设备-CN201110363834.5有效
发明人：段小嫣 -专利权人：华为终端有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：方法包括：接收UE发送的第一SIP Invite请求消息；该第一SIP Invite请求消息中携带CDS AS的地址。根据CDS AS的地址，向对应的CDS AS发送第一SIP Invite请求消息，以供CDS AS根据第一SIP Invite请求消息为本次IMS P2P CDS会话选择ICP；接收CDS AS返回的携带ICP的地址的第一SIPInvite请求消息；根据携带ICP的地址的第一SIP Invite请求消息，建立UE与ICP之间的本次IMS P2P CDS会话。采用本发明实施例的技术方案，能够实现对IMS P2P CDS会话的集中控制，加强对IMS P2P CDS会话的监控，确保网络安全，提高对IMS P2P CDS会话的管理效率。
内容分发业务会话管理方法系统设备

[发明专利]并发相关双采样和模数转换-CN200710110055.8无效
发明人：韩准秀;金圭现 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-06-19 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：为了对诸如图像传感器的信号处理，CDS(相关双采样)单元根据在预定节点处产生的第一输入信号集，产生第一CDS信号。此外，当CDS单元产生第一CDS信号时，转换单元并发地将第二CDS信号转换为各自的转换信号。第二CDS信号根据先前在预定节点处产生的第二输入信号集确定。
并发相关采样转换

[发明专利]一种富勒烯衍生物与纳米CdS杂化材料及其制备方法-CN202310268336.5在审
发明人：黄飞;徐东平;王澍;时雯雯;汪婧;黄珊;黄昱;崔芳磊;赵树东;徐汉卿;魏先文 -专利权人：黄山学院
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：一种富勒烯衍生物与纳米CdS杂化材料，其通过将C60巯基衍生物的巯基与CdS纳米粒子之间的共价作用得到。制备方法为：依次通过2‑苯基‑5‑巯基甲基‑3,4‑富勒烯基吡咯烷(PTMF)的制备；CdS溶胶的制备；PTMF与CdS纳米溶胶的杂化最终得到。所述富勒烯衍生物与纳米CdS杂化材料中，PTMF和CdS纳米粒子在基态时无相互作用；随着PTMF的加入，CdS的荧光被猝灭，其发生了从CdS纳米粒子到PTMF的电荷转移过程；PTMF对CdS纳米粒子的荧光有很强的猝灭能力
一种富勒烯衍生物纳米 cds 材料及其制备方法

[发明专利]一种CdS薄膜的制备方法及其Sb2-CN202111360842.4有效
发明人：张帅;刘静静;郭华飞;丁建宁;袁宁一 -专利权人：常州大学
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明涉及光伏电池领域，特指一种CdS薄膜的制备方法及其Sb2(S,Se)3太阳能电池和电池制备方法。CdS薄膜制备方法包括：先热蒸发法制得预制薄层CdS基片(CdS(Eva))，再在此基础上通过水浴法制得CdS薄膜(CdS(CBD)CdS粉料均匀地附着在导电基底之上，为后续的化学水浴法制备CdS提供微小晶核的附着点并促进稳定结晶。基于该薄膜获得的Sb2(S,Se)3太阳能电池，结构为Glass/FTO/CdS(Eva)/CdS(CBD)/Sb2(S,Se)3/Spiro/Au，PN结电子
一种 cds 薄膜制备方法及其 sb base sub

[发明专利]CDS数据安全加密系统-CN202010607565.1在审
发明人：王磊;范德满;沈义军;禹双双 -专利权人：江苏柏勋科技发展有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种CDS数据安全加密系统，所述CDS数据安全加密系统包括：数据获取模块、服务器模块、加密模块、上传模块和存储单元模块；所述数据获取模块，获取待加密的CDS数据信息；所述服务器模块，根据待加密的CDS数据信息输出加密协议信号；所述加密模块，根据所述加密协议信号对所述待加密的CDS数据信息进行加密；所述上传模块，将加密后的CDS数据信息上传至存储单元模块；所述存储单元模块，存储加密后的CDS数据信息
cds 数据安全加密系统

[发明专利]一种新型光电器件-CN202210640476.6在审
发明人：张培义;谭永胜 -专利权人：绍兴埃鼎智能科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明属于光电技术领域，具体涉及一种新型光电器件，包括基体材料、金属Al薄膜、ITO薄膜、CdS薄膜，CdS纳米柱阵列及NiO:Au薄膜，其中，所述金属Al薄膜沉积在基体材料表面；所述ITO薄膜沉积在金属Al薄膜表面；所述CdS薄膜沉积在金属ITO薄膜表面；所述CdS纳米柱阵列制备在CdS薄膜表面；所述NiO:Au薄膜采用共溅射法沉积在CdS薄膜表面。本发明有效降低了CdS纳米柱阵列的光腐蚀现象，具有较强的光电流响应及抗衰减能力。
一种新型光电器件

[发明专利]一种基于CdSCdSeCdS量子点修饰的全无机钙钛矿太阳能电池结构及制备方法-CN201910296424.X在审
发明人：张婷婷;徐兵;李栋宇;邹时兵 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2019-04-13 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于CdS/CdSe/CdS量子点修饰的全无机钙钛矿太阳能电池结构及制备方法，属于太阳能电池生产技术领域；该电池结构包括依次层叠设置的玻璃基底(1)、负极(2)、电子传输层(3)、量子点(4)、钙钛矿层(5)和正极(6)，所述量子点(4)为CdS/CdSe/CdS量子点；在全无机钙钛矿太阳能电池的电子传输层与钙钛矿层中间添加CdS/CdSe/CdS量子点层，实现台阶式能级结构；本发明的优点是通过优化CdS/CdSe/CdS量子点CdSe层厚度，进一步优化CdS/CdSe/CdS量子点的能级，提高载流子在电子传输层层与钙钛矿层中间的传输速率，最终提高全无机钙钛矿太阳能电池的光电转化效率。
量子点无机钙钛矿钙钛矿层太阳能电池结构电子传输层太阳能电池修饰制备载流子太阳能电池器件太阳能电池生产光电转化效率能级正极负极电池结构电子传输量子点层能级结构生产难度稳定性强依次层叠玻璃基层厚度台阶式优化传输

[发明专利]CdS纳米球/Elicarb石墨烯光催化剂及其制备方法-CN201710004646.0有效
发明人：徐艺军;卢康强 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种CdS纳米球/Elicarb石墨烯（CdS‑EGR）光催化剂及其制备方法。该光催化剂是以Elicarb石墨烯（EGR）为骨架，负载有CdS纳米球而形成的复合型纳米光催化剂；其中EGR与CdS纳米球的质量比为：0.5:100～5:100。EGR的引入，可以抑制CdS纳米球光生电子空穴的复合。在可见光照射下，CdS纳米球/Elicarb石墨烯（CdS‑EGR）光解水产氢活性明显高于CdS纳米球/还原氧化石墨烯（CdS‑RGO）和空白CdS球。
cds 纳米 elicarb 石墨光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种原位光沉积制备CdS@MoS2-CN201910622417.4有效
发明人：刘平;江灿琨;张璐璐;高帆;黄学烟;袁杰;赵燕;雷瑞;叶云 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位光沉积制备CdS@MoS2复合光催化剂的制备方法。以乙酰丙酮镉和硫代丙酰胺作为前驱物，以乙二胺为溶剂，通过溶剂热法合成CdS纳米棒。然后通过光沉积的方法，以MoCl5为前驱物和以氙灯为光源，在上述CdS表面原位光沉积MoS2，最终制得CdS@MoS<该催化剂的MoS2与CdS两组分之间结合紧密，且CdS表面原来易受光腐蚀的S2‑固定在CdS的表面可减缓CdS的光腐蚀同时，表面的MoS2能够发挥助催化剂特性促进CdS的光生载流子分离，还有着丰富的活性位点，大大地提升CdS的光催化活性。
一种原位沉积制备 cds mos base sub

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