[发明专利]一种基于CdSCdSeCdS量子点修饰的全无机钙钛矿太阳能电池结构及制备方法在审

申请号：	201910296424.X	申请日：	2019-04-13
公开（公告）号：	CN110061084A	公开（公告）日：	2019-07-26
发明（设计）人：	张婷婷;徐兵;李栋宇;邹时兵	申请（专利权）人：	岭南师范学院
主分类号：	H01L31/073	分类号：	H01L31/073;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司：	广州市南锋专利事务所有限公司 44228	代理人：	李慧
地址：	524000 ***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明公开了一种基于CdS/CdSe/CdS量子点修饰的全无机钙钛矿太阳能电池结构及制备方法，属于太阳能电池生产技术领域；该电池结构包括依次层叠设置的玻璃基底(1)、负极(2)、电子传输层(3)、量子点(4)、钙钛矿层(5)和正极(6)，所述量子点(4)为CdS/CdSe/CdS量子点；在全无机钙钛矿太阳能电池的电子传输层与钙钛矿层中间添加CdS/CdSe/CdS量子点层，实现台阶式能级结构；本发明的优点是通过优化CdS/CdSe/CdS量子点CdSe层厚度，进一步优化CdS/CdSe/CdS量子点的能级，提高载流子在电子传输层层与钙钛矿层中间的传输速率，最终提高全无机钙钛矿太阳能电池的光电转化效率。该工艺简单、生产难度小、稳定性强，可为人们生活创造更高效的太阳能电池器件。
搜索关键词：	量子点无机钙钛矿钙钛矿层太阳能电池结构电子传输层太阳能电池修饰制备载流子太阳能电池器件太阳能电池生产光电转化效率能级正极负极电池结构电子传输量子点层能级结构生产难度稳定性强依次层叠玻璃基层厚度台阶式优化传输
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【主权项】：

1.一种基于CdS/CdSe/CdS量子点修饰的全无机钙钛矿太阳能电池结构，其特征在于：该电池结构包括依次层叠设置的玻璃基底(1)、负极(2)、电子传输层(3)、量子点(4)、钙钛矿层(5)和正极(6)，所述量子点(4)为CdS/CdSe/CdS量子点。

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摘要：本发明公开了一种基于CdS/CdSe/CdS量子点修饰的全无机钙钛矿太阳能电池结构及制备方法，属于太阳能电池生产技术领域；该电池结构包括依次层叠设置的玻璃基底(1)、负极(2)、电子传输层(3)、量子点(4)、钙钛矿层(5)和正极(6)，所述量子点(4)为CdS/CdSe/CdS量子点；在全无机钙钛矿太阳能电池的电子传输层与钙钛矿层中间添加CdS/CdSe/CdS量子点层，实现台阶式能级结构；本发明的优点是通过优化CdS/CdSe/CdS量子点CdSe层厚度，进一步优化CdS/CdSe/CdS量子点的能级，提高载流子在电子传输层层与钙钛矿层中间的传输速率，最终提高全无机钙钛矿太阳能电池的光电转化效率。该工艺简单、生产难度小、稳定性强，可为人们生活创造更高效的太阳能电池器件。

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摘要：本发明属于新能源材料与器件领域，特别涉及一种以Cd_xTe薄膜做辅助吸收层以拓宽红外光谱响应的CdTe太阳电池。本发明在CdTe薄膜电池结构中插入一层带隙可调的Cd_xTe二元系薄膜材料，由于其带隙可在0.33eV～1.44eV之间变化，所以能够吸收那些不能被CdTe薄膜吸收的波长大于860nm的红外光，从而增加电池的光生载流子进而提高光生电流。Cd_xTe薄膜可以在CdS薄膜和CdTe薄膜之间引入，也可在CdTe薄膜和背接触层之间引入，还可以在CdTe薄膜内部引入。具有Cd_xTe吸收层的碲化镉薄膜太阳电池的红光光谱响应可从860nm拓宽到3000nm以外。

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摘要：一种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒太阳电池器件，其特征在于：衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成，在该复合衬底表面制备铜铟镓硒太阳电池。本发明的优点是：该种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜附着性优秀，结晶质量好，晶粒大，缺陷少；在完整的铜铟镓硒太阳电池制备完成后，将其与苏打玻璃分离，形成以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜铟镓硒太阳电池，实现以钢性衬底制备柔性电池；其制备方法简单、易于实施，有利于大规模的推广应用，尤其在太空及特殊场合中具有极其重要的应用前景。

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申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L31/073
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摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制作方法，其中，所述碲化镉薄膜太阳能电池依次由吸光防护层、玻璃层、碲化镉层、硫化镉层、石墨层和背电极层组成；所述碲化镉薄膜太阳能电池的制作方法为：1)制备硫化镉和碲化镉颗粒；2)把制备的硫化镉和碲化镉颗粒制备成胶体液并依次涂布在玻璃层上，分别进行烘干；3)在烘干的碲化镉层上采用真空镀膜的方法依次喷涂石墨层和背电极层；4)在玻璃层上粘贴上吸光防护层，完成碲化镉薄膜太阳能电池的制作。本发明方法提高了碲化镉薄膜太阳能电池的吸光率和耐磨率，并且降低了碲化镉薄膜太阳能电池生产成本。

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申请日： 2013-06-29 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/073
摘要：本发明属于光电器件领域，公开了一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法。该CdTe纳米晶异质结太阳电池，由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极依次层叠构成。阴极界面层指ZnO或TiO2薄膜；光活性层由一层或多层CdTe纳米晶层组成；阴极指氧化铟锡导电膜、掺杂二氧化锡、金属膜和金属氧化物薄膜中的至少一种；窗口层为CdS薄膜；阳极为Ag或者Al；光活性层和阳极之间有一层MoO3氧化膜。本发明的CdTe纳米晶异质结太阳电池采用溶液加工技术，实现太阳电池的超薄化，且性能优异，能量转换效率高达3.73%。

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摘要：一种p-CuO-n-ZnO太阳能电池，底层至顶层依次叠加为ITO衬底、垂直定向的ZnO纳米棒阵列、CuO薄膜和Au电极，垂直定向的ZnO纳米棒阵列作n型半导体吸收层，CuO薄膜作p型半导体光吸收层和空穴传输层；其制备方法是：利用溶胶凝胶法在ITO上制备ZnO籽晶层，化学浴沉积法制备垂直定向的氧化锌纳米棒阵列，原位生长法在ZnO纳米棒阵列上制备CuO薄膜，用离子束溅射仪溅射Au电极。本发明的优点是：该制备方法设备简单、成本低；采用CuO作为光吸收层和空穴传输层，与有机材料相比有更好的电迁移能力；结合无机ZnO的电传导特性，CuO的高的光吸收和低的热发射度，可有效提高太阳能电池的光电转换效率。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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