专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]传导控制晶体管及其制备方法以及CIS芯片结构-CN201410563734.0在审
  • 殷登平 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-10-21 - 2016-04-27 - H01L27/146
  • 本发明的传导控制晶体管及其制备方法以及CIS芯片结构中,传导控制晶体管包括:半导体衬底,所述半导体衬底中形成有一N型深阱区和一FD有源区,所述N型深阱区表面形成有一P型浅掺杂区;所述半导体衬底中形成有一浅槽,所述浅槽位于所述N型深阱区和FD有源区之间,所述浅槽的深度大于所述P型浅掺杂区的深度,所述浅槽中形成有传导控制栅极氧化层和传导控制栅极。本发明中,所述传导控制栅极氧化层可以将所述P型掺杂区和所述FD有源区隔离,避免所述P型掺杂区产生的漏电传到所述FD有源区;并将因离子注入产生损伤的所述半导体衬底刻蚀掉形成所述传导控制栅极氧化层,可以减少损伤产生的漏电
  • 传导控制晶体管及其制备方法以及cis芯片结构
  • [发明专利]干扰成分确定方法和干扰成分确定装置-CN201910942150.7在审
  • 桥本章太郎 - 发那科株式会社
  • 2019-09-30 - 2020-04-10 - G05B19/404
  • 在干扰成分确定方法中,当将加工过程中的工具轴与工件轴的位置偏差、同步误差中的任一种所包含的振动频率设为fd,将以固定于工具轴的工具随着工件的旋转而从对工件上的一个齿线进行加工后到再次对同一齿线进行加工为止的时间作为采样周期时的采样频率设为Fs时,通过关系式Fa=MIN|fd‑N×Fs|来求出齿线方向上的波纹的频率Fa,其中,N为自然数,使用关系式和工具轴的进给方向上的速度来计算振动频率fd在齿线方向上形成的波纹的节距,在计算出的波纹的节距与波纹的节距的实测值一致的情况下,判定出fd为干扰成分。
  • 干扰成分确定方法装置
  • [发明专利]数据传输方法及装置-CN202111284914.1在审
  • 淦明;左鑫;梁丹丹;杨讯 - 华为技术有限公司
  • 2017-11-17 - 2022-03-22 - H04W72/04
  • 方法包括:发送全双工FD触发帧,FD触发帧包括长度字段,所述长度字段用于指示进行数据传输所需要的时间;接收发送数据的STA发送的数据,所述数据由所述STA在接收到所述FD触发帧后隔预设时间间隔发送;向发送数据的本公开通过在接收到STA发送的数据后,向STA发送确认帧,使得全双工传输过程中参与数据发送的STA可以在接收到确认帧后,使用AP提供的FD EDCA参数更新自己现有的EDCA参数,从而降低信道接入的优先级
  • 数据传输方法装置
  • [发明专利]无漏电流CMOS像素-CN202211077455.4在审
  • 克里斯蒂安·拉默斯 - 艾尔默斯半导体欧洲股份公司
  • 2022-09-05 - 2023-03-07 - H01L27/146
  • 本发明涉及用于光学传感器的像素(P),其包括具有信号路径(SP)和浮动扩散区域(FD)的基板(Sub)。此外,像素(P)包括传输栅极(TG),其中传输栅极(TG)布置在信号路径(SP)上方的第一多晶硅层中并且部分地与浮动扩散区域(FD)重叠。特别地,在传输栅极(TG)和浮动扩散区域(FD)的重叠区域中,传输栅极(TG)通过高压栅极氧化物层与基板分离。此外,本发明涉及用于制造像素(P)的方法,其中在基板(Sub)上生长数字栅极氧化物层。特别地,除数字栅极氧化物(DGO)之外,还生长高压栅极氧化物(HVO),其中在传输栅极(TG)和浮动扩散区域(FD)的重叠区域中生长高压栅极氧化物(HVO)。
  • 漏电cmos像素

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