专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种提高水下激光冲击加工强度的方法-CN202110871137.4在审
  • 卢国鑫;季忠;张国芳;宿庆财;王佃刚 - 山东大学
  • 2021-07-30 - 2021-11-02 - C21D10/00
  • 本发明属于激光冲击表面强化与改性应用领域,涉及一种提高水下激光冲击加工强度的方法,包括:在处于液体环境中待加工材料的上方设置透明真空容器,使透明真空容器下底面位于液面以下,上底面位于液面以上;采用激光光束穿过透明真空容器对待加工材料的表面进行冲击加工可获得相对于大气环境下的激光冲击表面处理更显著的加工效果。本发明所述激光表面加工泛指具有超短脉冲宽度激光光束作为激光光源的加工过程,而所述超短脉冲指区别于常规ns脉冲宽度激光光束的脉冲宽度为ps或fs量级的激光光束。
  • 一种提高水下激光冲击加工强度方法
  • [发明专利]用于测量薄膜材料相变温度的装置及方法-CN201810767504.4有效
  • 缪向水;陈子琪;童浩;王愿兵;蔡颖锐 - 武汉嘉仪通科技有限公司
  • 2018-07-13 - 2021-05-11 - G01N21/41
  • 本发明涉及一种用于测量薄膜材料相变温度的装置,包括衬底、电极、红外温度探测器、激光光源、多普勒探测器、脉冲光源;衬底用于铺设待测薄膜,电极置于待测薄膜上,红外温度探测器监测待测薄膜的温度;激光光源向待测薄膜表面斜射探测光,脉冲光源向同一入射点垂直射入激光脉冲,从而在薄膜内产生声波,使探测光在待测薄膜表面的反射光引起多普勒频移,多普勒探测器用于探测该反射光的多普勒频移信号。本发明测量装置及方法利用激光诱导薄膜产生声波,利用薄膜晶态和非晶态之间折射率的差异,反应声波在一定厚度薄膜内传播一个来回的时间差异,通过多普勒探测器探测反射光的多普勒频移信号,具有快速、无损测量的优点
  • 用于测量薄膜材料相变温度装置方法
  • [发明专利]激光冲击微塑性成形的方法及其装置-CN200810019367.2无效
  • 周明;蔡兰;黄涛;李保家 - 江苏大学
  • 2008-01-07 - 2008-09-03 - B23K26/18
  • 激光冲击微塑性成形的方法及其装置,属于微机电系统(MEMS)加工技术和激光微加工领域,其特征是先将实验所用的靶材双面电解抛光,在压板上压附微米尺度厚的一块透明光学介质作为约束层,金属片紧压在光学介质上,通过压板将光学介质,金属片,靶材和模板固紧在专用靶材装夹器上,再开启纳脉冲器,调节好光路,使由纳脉冲器输出的激光经透镜聚焦到靶材表面,然后对纳脉冲进行单次发射操作,从而实现靶材的单脉冲冲击
  • 激光冲击塑性成形方法及其装置
  • [发明专利]一种基于碳化硅单晶的宽带强场太赫兹源-CN202111426147.3有效
  • 钟凯;李方杰;乔鸿展;张献中;徐德刚;姚建铨 - 天津大学
  • 2021-11-26 - 2022-06-28 - H01S1/02
  • 本发明公开一种基于碳化硅单晶的宽带强场太赫兹源,包含了脉冲源、波前倾斜系统、碳化硅晶片和耦合输出端四个部分。脉冲源部分,包含激光器和平面反射镜,波前倾斜系统部分,包含反射光栅、二分之一波片以及望远镜成像透镜组,激光经过波前倾斜系统后正入射至碳化硅晶片,在晶片内以光整流的形式产生太赫兹脉冲辐射,太赫兹脉冲辐射通过耦合输出端的三角形棱柱硅棱镜耦合输出。其中,碳化硅晶片厚度为0.5~6mm,晶片内部脉冲的波前倾斜角在31.5~38度,三角形棱柱硅棱镜的三个柱面经过光学抛光处理,其太赫兹输出面的切割角度为31~32度,其输入面通过光学接触的方法完全覆盖并贴合于碳化硅晶片的输出面
  • 一种基于碳化硅宽带强场太赫兹

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