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[发明专利]一种超导限流线圈和一种超导限流器-CN201910395183.4在审
发明人：宋萌;段新辉;赵永发;李力;罗运松;夏亚君;程文锋;史正军;林友新;戴少涛;王邦柱;马韬 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种超导限流线圈和一种超导限流器，其中超导限流线圈包括：超导线匝、非超导线匝、输入引线和输出引线；所述非超导线匝的阻值与所述超导线匝的阻值的比值为预设置；所述超导线匝和所述输入引线、所述输出引线均连接，所述非超导线匝和所述输入引线、所述输出引线均连接，使得所述超导线匝和所述非超导线匝并联。本申请中采用超导带材和非超导带材的结构，节省了超导材料的使用，且在使用超导材料最小的同时，满足了超导线圈的性能，从而解决了现有电阻型超导限流器的超导限流线圈成本较高的技术问题。
非超导超导限流超导线匝线匝输出引线输入引线超导限流器超导材料电阻型超导限流器超导带材超导线圈预设置并联带材申请

[实用新型]一种超导限流线圈和一种超导限流器-CN201920676848.4有效
发明人：宋萌;段新辉;赵永发;李力;罗运松;夏亚君;程文锋;史正军;林友新;戴少涛;王邦柱;马韬 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种超导限流线圈和一种超导限流器，其中超导限流线圈包括：超导线匝、非超导线匝、输入引线和输出引线；所述非超导线匝的阻值与所述超导线匝的阻值的比值为预设置；所述超导线匝和所述输入引线、所述输出引线均连接，所述非超导线匝和所述输入引线、所述输出引线均连接，使得所述超导线匝和所述非超导线匝并联。本申请中采用超导带材和非超导带材的结构，节省了超导材料的使用，且在使用超导材料最小的同时，满足了超导线圈的性能，从而解决了现有电阻型超导限流器的超导限流线圈成本较高的技术问题。
非超导超导限流超导线匝线匝输出引线输入引线超导限流器超导材料电阻型超导限流器超导带材超导线圈预设置并联带材申请

[发明专利]无工质电磁推进器-CN201810814994.9在审
发明人：冯建明 -专利权人：冯建明
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种无工质电磁推进器，它由非超导体导线1、超导体导线2、非超导体导线3、超导体导线4、内绝缘圆筒5和外绝缘圆筒6等所构成。非超导体导线1、超导体导线2、非超导体导线3、超导体导线4相互平行地、紧密地盘绕在内绝缘圆筒5的外表面上，固定在内绝缘圆筒5的外表面与外绝缘圆筒6的内表面之间。超导体导线2中的电流方向与非超导体导线1中的电流方向相反，非超导体导线3中的电流方向与超导体导线2中的电流方向相同，超导体导线4中的电流方向与非超导体导线3中的电流方向相反，非超导体导线1中的电流方向与非超导体导线3中的电流方向相反，超导体导线2中的电流方向与超导体导线4中的电流方向相反。
超导体导线电流方向电磁推进器单向电磁与非绝缘圆筒外绝缘电磁推进紧密地盘内表面内绝缘推进力平行

[发明专利]用于低温设备的低温制冷-CN202080076404.2在审
发明人： S·霍姆斯;D·萨达纳;S·贝德尔;李宁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：提供了一种主动冷却结构(200，200a)，包括非超导体层(220)、超导体层(210)以及超导体‑绝缘体‑正常金属(NIS)隧道结的阵列(240)。所述非超导体层可以包括多个非超导体迹线(222)。所述超导体层可以包括多个超导体迹线(212)。所述超级导体‑绝缘体‑正常金属(NIS)隧道结的阵列可以位于所述多个非超导体迹线与所述多个超导体迹线之间。
用于低温设备制冷

[发明专利]一种超导约瑟夫森平面磁梯度计-CN201611188798.2有效
发明人：伍岳;肖立业;侯世中 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G01R33/022 文献下载
摘要：一种超导约瑟夫森平面磁梯度计，包括下层超导层(1)、非超导介质层(2)及上层超导层(3)。所述的下层超导层(1)为闭合双环结构。组成闭合双环的两个环路形状及尺寸相同，闭合双环之间存在公共环路区域。非超导介质层(2)位于下层超导层(1)的公共环路区域上方，上层超导层(3)位于非超导介质层(2)上方。下层超导层(1)、非超导介质层(2)，及上层超导层(3)共同覆盖的区域构成一个约瑟夫森结。约瑟夫森结沿下层超导层公共环路区域的环路切线方向的长度(4)大于约瑟夫森结的穿透深度λ_J，且二者的比值大于2π。
超导层下层非超导介质层约瑟夫森结闭合公共环路磁梯度计上层双环环路形状切线方向双环结构穿透覆盖

[发明专利]具有位于共用衬底上的超导和非超导组件的计算系统-CN201880091155.7有效
发明人： M·B·克里斯琴森;S·K·韦卡米亚;L·G·霍罗辛斯基;H·C·赫夫纳 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2018-12-01 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：提供了一种计算系统，该计算系统包括具有超导组件和非超导组件两者的共用衬底。超导组件可以朝向共用衬底的第一端被附接，并且非超导组件可以朝向共用衬底的与第一端相对的第二端被附接。共用衬底可以包括用于将超导组件与非超导组件互连的电路迹线。隔热罩可以将共用衬底的第一端与第二端热隔离，使得超导组件被配置为在2开尔文至77开尔文之间的温度范围中操作，并且非超导组件被配置为在200开尔文至400开尔文之间的温度范围中操作。每个超导组件可以被配置为主要提供处理器功能性，并且每个非超导组件可以被配置为主要提供存储功能性。
具有位于共用衬底超导组件计算系统

[发明专利]涉及钇-硷土-铋-铜氧化物的新方法和新产物-CN89103302.5在审
发明人：尼古拉斯·戴维·斯潘塞 -专利权人：格雷斯公司
申请日： 1989-05-13 - 公布日： 1989-12-06 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：两种或多种超导体一起反应形成一非超导相包裹着的残余超导相。例如YBa2Cu3氧化物与Bi2Sr2CaCu2氧化物反应形成含有新奇的Y，Bi和Ba氧化物非超导体的超导产物。在整个反应产物中超导的YBa2Cu3氧化物依然是中间连接相。新的非超导相大部分包裹并使超导相绝缘。
涉及硷土氧化物新方法产物

[发明专利]超导量子比特及其制备方法、量子储存器及量子计算机-CN202011166998.4在审
发明人：邓昊 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L39/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导量子比特及其制备方法、量子储存器及量子计算机。其中，该超导量子比特包括：约瑟夫森结和非约瑟夫森结部分，其中，非约瑟夫森结部分包括：第0层超导材料层，其中，第0层超导材料层为在制备超导量子比特载体时，在对约瑟夫森结和非约瑟夫森结部分进行离子铣削前，在非约瑟夫森结部分积淀的超导材料本发明解决了相关技术中，在超导量子比特的制备方法下，采用离子铣削工艺处理衬底表面，会存在可观的介电损耗，导致降低超导量子比特寿命的技术问题。
超导量子比特及其制备方法储存器计算机

[发明专利]混合材料的RF电路和元件-CN200880000109.8无效
发明人：柳江平 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L39/00 文献下载
摘要：一个射频(RF)元件，包括一种非超导材料以及一种超导材料，其中超导材料位于RF元件的一个或多个区域，使得具有超导材料的区域比具有非超导材料的区域传导更大的电流密度。
混合材料 rf 电路元件

[发明专利]一种超导量子干涉器件结构及其制备方法-CN201310137139.6在审
发明人：丁玥;沈洁;庞远;吕力 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明公开一种新颖的超导量子干涉器件结构，包括片状非超导介质膜以及附着在所述片状非超导介质膜上方的超导膜，所述超导膜具有环状结构，所述环状结构为超导环，其上有两个或两个以上对称分布的缺口。本发明的SQUID结构制作简便，工艺步骤少，且便于使用采取解理或CVD生长等方法制备的膜作为非超导介质层。
一种超导量子干涉器件结构及其制备方法

[发明专利]一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈-CN202111107898.9有效
发明人：杨振怀;胡琅;胡强;郭远军;卫红;郭可升;肖永能;王鹏;王功伟 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请涉及超导材料领域，公开了一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈，包括以下步骤：以高温超导体为基底，将高温超导体放入高能脉冲磁控溅射设备的腔体内，以金属钒为靶材；腔体抽真空，不加热基底；通入氩气，调整气压，设置高能脉冲电源功率、脉冲频率、脉宽；通入氧气，在高温超导体表面沉积薄膜；通入氮气卸去真空，得到所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体。本申请的所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体的制备方法，利用高能脉冲磁控溅射技术具有高离化率的特点，实现了在室温不加热的条件下在高温超导体表面沉积具有电阻可调性能的非晶氧化钒薄膜，所述非晶氧化钒薄膜用于高温超导材料的失超保护
一种具有氧化薄膜高温超导体及其制备方法超导线圈

[发明专利]并联高温超导故障限流器装置-CN200880011212.2有效
发明人： D·C·弗尔兹;J·马圭尔;J·袁;A·P·马洛莫夫 -专利权人：美国超导公司
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种超导电缆系统(superconducting electrical cable system)，其被配置为包含在具有已知故障电流水平的公用事业电网内。所述超导电缆系统包括：非超导电气路径，互连于所述公用事业电网的第一节点与第二节点之间；以及超导电气路径，互连于所述公用事业电网的第一节点与第二节点之间。所述超导电气路径与所述非超导电气路径并联地电性连接，并且当所述超导电气路径在临界电流水平及临界温度以下工作时，所述超导电气路径具有低于所述非超导电气路径的串联阻抗。所述超导电气路径被配置为当所述超导电气路径以所述临界电流水平与所述超导体临界温度其中之一或多者或高于其中之一或多者工作时，所具有的串联阻抗至少N倍于所述非超导电气路径的串联阻抗。N大于1并且被选择为与所述非超导电气路径的阻抗共同使已知故障电流水平衰减至少10％。
并联高温超导故障限流装置

[发明专利]镀制超导带材的装置和方法以及超导带材-CN202110237683.2有效
发明人：朱佳敏;陈思侃;赵跃;吴蔚;高中赫;甄水亮;丁逸珺 -专利权人：上海超导科技股份有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种镀制超导带材的装置和方法以及超导带材，包括：图形板、超导源和/或同质非导电源；所述超导源和/或所述同质非导电源设置于所述图形板的一侧，基带设置于所述图形板的另一侧；所述超导源和/或所述同质非导电源射出的物质，经过所述图形板在所述基带上镀制对应的超导层和/或同质非导电层。本发明换位导线和窄丝化导线在一根带材上实现，使得超导带材在拥有原本截面积的情况下，大大减小了，交流损耗。
超导装置方法以及

[发明专利]一种约瑟夫森结器件及其制备方法-CN201610206399.8有效
发明人：庞远;王骏华;杨光;吕昭征;吕力 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明提供一种约瑟夫森结器件，包括：非超导介质膜和位于所述非超导介质膜之上的彼此间隔的第一超导介质膜和第二超导介质膜，还包括在所述第一超导介质膜和第二超导介质膜之间的至少一个正常金属电极，所述正常金属电极与所述非超导介质膜直接接触，并且与所述第一超导介质膜和所述第二超导介质膜分别彼此绝缘。本发明的约瑟夫森结器件能够实现结区相位差的探测，尤其可以测量射频超导量子干涉器中约瑟夫森结的结区相位差，操作简单，成本低廉。
一种约瑟夫器件及其制备方法

[发明专利]一种超导电机及其制造方法-CN200810143253.9有效
发明人：王菁;雷雄;曾文鄂;王志宏 -专利权人：湘潭电机股份有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H02K55/00 文献下载
摘要：一种超导电机及其制造方法，该超导电机包括超导转子、定子、驱动端端盖、非驱动端端盖、液氖容器，超导转子由内转子和外转子叠套密闭焊接而成，内转子和外转子构成两个叠套的密闭容器；内转子由薄壁细长管、非驱动端端轴、非驱动端力矩管、连接管、超导磁极、装有液氖的液氖容器、驱动端力矩管、轴向冷缩补偿装置、驱动端端轴构成；薄壁细长管置于非驱动端端轴中心孔和非驱动端力矩管内，并通过连接管与液氖容器连通；超导磁极置于液氖容器外周本发明还包括该超导电机制造方法。本发明之超导电机功率因数可达1，体积小。
一种超导电机及其制造方法

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