专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种基于集成光学芯片封装的隔离器装配结构-CN202121063738.4有效
  • 石文虎;李春生;陈乐行;张晶;周秋桂 - 武汉华工正源光子技术有限公司
  • 2021-05-18 - 2021-12-24 - G02B6/42
  • 本实用新型涉及光电子集成领域、光通信领域,尤其涉及一种基于集成光学芯片封装的隔离器装配结构;包括光发射组件和集成光学芯片,还包括用于安装光发射组件和集成光学芯片的底座,以及设置在光发射组件和集成光学芯片之间的隔离器,隔离器与集成光学芯片之间设置有胶粘剂;光发射组件发出的光线以一定角度入射隔离器并以一定角度出射至集成光学芯片;本实用新型所提供的集成光学芯片封装的隔离器装配结构,降低了集成光学芯片的封装尺寸,减少了集成光学芯片封装过程中使用的光学增透元件,减小了隔离器的通光孔径,从而降低了隔离器的材料成本,同时也降低了隔离器装配的难度,有效的降低集成光学芯片的封装成本。
  • 一种基于集成光学芯片封装隔离器装配结构
  • [发明专利]一种多功能集成隔离-CN202010481837.8在审
  • 迟海鹏;张怀东;邢希学;张京军;龚长华 - 北京戴纳实验科技有限公司
  • 2020-05-28 - 2020-09-25 - A61G10/00
  • 本发明提供了一种多功能集成隔离舱,包括:集成单元,所述集成单元包括隔离舱本体、通风系统、电气系统、给排水系统、自控系统;配套功能装置,设置在所述隔离舱本体内。本发明将隔离舱本体与通风系统、电气系统、给排水系统、自控系统集成集成单元(集成的负压隔离单元),自由组合成大型产品;根据需求增加相关配置配套功能装置,将集成单元与不同的配套功能装置自由组合成检测实验舱或医疗隔离舱或影像检测舱等,使得本发明的隔离舱可配置为具有不同功能的隔离舱。
  • 一种多功能集成化隔离
  • [发明专利]光耦隔离器及其封装工艺-CN202211609882.2在审
  • 姚玉峰;陶骞 - 莱弗利科技(苏州)有限公司
  • 2022-12-14 - 2023-05-09 - H01L25/16
  • 本发明涉及一种光耦隔离器及其封装工艺,该光耦隔离器包括接收集成电路和发射集成电路;光耦隔离器的封装工艺包括在接收集成电路的底部从上至下设置有第一钝化层、第一重布线层和第二钝化层,在接收集成电路的顶部设置有第三钝化层,在第三钝化层上开孔填铜;将发射集成电路和接收集成电路粘接为一体构成光耦隔离模块,发射集成电路与接收集成电路之间设置有隔离层;在光耦隔离模块表面从上至下依次设置有第五钝化层、第二重布线层和第四钝化层。本发明可很方便的进行光耦隔离器的封装,并不需要特殊的工艺,显著降低了生产成本,实现了完全的物理隔离,具有更高的隔离性能,尺寸小,可靠性更高。
  • 隔离器及其封装工艺
  • [实用新型]一种户内交流金属封闭环网开关柜-CN201620029413.7有效
  • 李衡 - 合肥虹光电气股份有限公司
  • 2016-01-13 - 2016-06-29 - H02B13/02
  • 本实用新型公开了一种户内交流金属封闭环网开关柜,其中,柜体上层靠近中部设有集成式母线模块,集成式母线模块内安装有母线连接器,柜体上层靠近右侧面设有仪表室模块,上集成隔离开关安装在柜体上层,上集成隔离开关与母线连接器连接,柜体的右侧面上安装有机械闭锁,集成式断路器隔离模块安装在柜体中层靠近右侧面,集成式断路器隔离模块中安装有永磁真空断路器,柜体中层靠近中部设有电流互感器,柜体右侧面上设有上面板和下面板,下集成隔离开关安装在柜体中层,集成式电缆室模块安装在柜体下层靠近左侧面,集成式电缆室模块中安装有电缆接插头,电缆接插头与下集成隔离开关连接。
  • 一种户内交流金属闭环开关柜
  • [发明专利]一种半导体集成器件及其制作方法-CN202311061983.5在审
  • 陈维邦 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-08-23 - 2023-09-22 - H01L27/07
  • 本发明公开了一种半导体集成器件及其制作方法,属于半导体技术领域。所述半导体集成器件包括:衬底,包括多个有源区;浅沟槽隔离结构,设置在所述有源区之间,所述浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构,所述第一浅沟槽隔离结构高出所述衬底表面,所述第二浅沟槽隔离结构低于所述衬底表面;晶体管,设置在所述有源区上;金属电阻器,设置在所述第一浅沟槽隔离结构上;以及多晶硅电阻器,设置在所述第二浅沟槽隔离结构上。通过本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法,提高半导体集成器件的设计多元化,并提高半导体集成器件的性能。
  • 一种半导体集成器件及其制作方法

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