专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于卡布灯箱的裸眼3D广告膜、制作方法及卡布灯箱-CN202111611834.2在审
  • 李锋;李斌 - 广州凌视产品设计有限公司
  • 2021-12-27 - 2022-05-13 - G02B30/27
  • 本发明涉及一种用于卡布灯箱的裸眼3D广告膜、制作方法及卡布灯箱,包括:包括:3D打印以及设置在所述3D打印上的光栅透镜阵列;其中,所述光栅透镜阵列包括基材、可移胶以及多个透镜阵列,所述透镜阵列排布在所述基材靠近所述3D打印的一侧,所述可移胶设置于所述透镜阵列上,用于对所述透镜阵列填平,且所述可移胶与所述3D打连接,所述可移胶与所述透镜阵列的折射率之间具有折射率差。本发明通过在基材上设有光栅结构,使得2D广告信息转换为3D广告信息,给用户呈现立体效果更好的3D画面,视觉体验更好。
  • 一种用于灯箱裸眼广告制作方法
  • [发明专利]MRAM存储器的制备方法-CN202111683205.0在审
  • 于志猛;何世坤 - 浙江驰拓科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-07-14 - H01L21/768
  • 本发明提供一种MRAM存储器的制备方法,包括:提供一衬底,所述衬底包括阵列区和逻辑区;在衬底表面沉积介质,形成阵列区的第一介质以及逻辑区介质,之后阵列区形成磁性隧道结底电极、磁性隧道结材料和介质硬掩膜,并暴露逻辑区介质;在阵列区介质硬掩膜上形成第二介质,并补充逻辑区介质;进行光刻和刻蚀,在阵列区形成用于暴露磁性隧道结材料的第一穿孔,以及,在逻辑区形成用于暴露底部金属线的第二穿孔;在第一穿孔和第二穿孔中填充金属,并进行平坦化处理,形成阵列区的金属硬掩膜和逻辑区金属通孔;基于金属硬掩膜对磁性隧道结材料进行刻蚀,在阵列区形成磁性隧道结。
  • mram存储器制备方法
  • [发明专利]阵列基板及制作方法、移动终端-CN202110782275.5有效
  • 艾飞;罗成志;尹国恒 - 武汉华星光电技术有限公司
  • 2021-07-12 - 2023-06-27 - G02F1/1362
  • 本申请提出了一种阵列基板及制作方法、移动终端;阵列基板包括衬底、位于衬底上的阵列驱动、位于阵列驱动中的公共电极、位于阵列驱动上的像素电极和位于像素电极上的降阻件,像素电极包括绝缘设置的像素电极和桥接电极,桥接电极连接有与公共电极设置的恒压传输端,降阻件位于桥接电极上,公共电极与桥接电极电连接,像素电极与薄膜晶体管电连接;本申请通过桥接电极连接公共电极和恒压传输端,以减少或在阵列驱动的多个膜中逐形成过孔时所需的光罩次数
  • 阵列制作方法移动终端
  • [发明专利]一种微针阵列式脑机接口器件及其制备方法-CN202011515537.3有效
  • 刘景全;徐庆达;谢凡 - 上海交通大学
  • 2020-12-21 - 2022-03-22 - G06F3/01
  • 本发明提供一种微针阵列式脑机接口器件及其制备方法,包括:采用非导电材料作为针间绝缘,在针间绝缘制备若干通孔;在导电材料上制备若干金属焊盘;将导电材料设置于针间绝缘下方,并将导电材料的上表面与针间绝缘的下表面连接;将导电材料加工成呈阵列分布的微柱状结构,使微柱状结构之间相互绝缘;将微柱状结构加工成底端为针尖的微针结构,形成呈阵列分布且针尖朝下的微针阵列;在微针阵列的上方制备用于连接外部电路的外部引线;在微针阵列的针尖上制备电极点;得到微针阵列式脑机接口器件。本发明具备减少微针阵列式脑机接口器件的工艺步骤,提高生产效率和成品率,降低器件的加工成本等优点。
  • 一种阵列式脑机接口器件及其制备方法
  • [发明专利]QLED器件及其制备方法-CN201710561444.6有效
  • 曹蔚然;梁柱荣;刘佳 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2017-07-11 - 2020-11-10 - H01L51/50
  • 本发明提供了一种QLED器件,包括依次层叠结合的底电极、第一功能,设置在所述第一功能上的功能化石墨烯像素阵列,设置在所述功能化石墨烯像素阵列上的量子点发光,以及依次结合在所述量子点发光上的第二功能和顶电极,其中,所述功能化石墨烯像素阵列包括石墨烯像素阵列以及在所述石墨烯像素阵列表面修饰的活性官能团,且所述活性官能团修饰在所述石墨烯像素阵列背对所述空穴传输的表面,所述量子点发光通过所述活性官能团与所述功能化石墨烯像素阵列结合
  • qled器件及其制备方法
  • [发明专利]阵列透镜、透镜天线和电子设备-CN201911040057.3有效
  • 杨帆 - OPPO广东移动通信有限公司
  • 2019-10-29 - 2021-06-25 - H01Q1/22
  • 本申请涉及一种阵列透镜、透镜天线和电子设备,阵列透镜包括:至少一介质;至少两阵列结构,介质阵列结构沿第一方向交替层叠设置;每一阵列结构包括金属本体,金属本体上开设有多个呈阵列设置的镂空槽,每个镂空槽中内置有与金属本体隔离的阵列单元,至少两阵列结构位于同一相对位置的多个阵列单元在第一方向上同轴设置;其中,同一阵列结构中,多个镂空槽中的阵列单元在至少一个阵列方向上具有相对于阵列方向渐变的相对旋转角度;可对不同频段的相位分布进行补偿,能对电磁波进行汇聚,可使得该阵列透镜在更宽的频率范围内焦平面保持不变,大大减小偏焦波束增益的降幅,大幅提高透镜天线的扫描角度,覆盖范围大。
  • 阵列透镜透镜天线电子设备

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