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[发明专利]一种2-氨基-5-溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池及制备方法-CN202310219861.8有效
发明人：张晓丹;王三龙;齐珊珊;王鹏阳;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池及制备方法，涉及无机钙钛矿太阳能电池技术领域。该种2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池为PIN型结构，包括从下至上依次堆叠的透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、电子传输层和电极。制备方法包括钝化层的制备，通过采用溶液动态旋涂的方式，用2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺甲醇溶液对CsPbI3‑xBrx型的无机钙钛矿薄膜进行钝化处理本发明的2‑氨基‑5‑溴苯甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池降低了无机钙钛矿薄膜的表面缺陷、通过钝化的方式改善了无机钙钛矿薄膜的质量、提高了无机钙钛矿基太阳电池的光电转换效率。
一种氨基甲酰胺材料钝化无机钙钛矿基太阳电池制备方法

[发明专利]一种基于TFT驱动阵列的钙钛矿量子点显示阵列的调控方法-CN202210812457.7在审
发明人：冯林润;高贇;刘哲;杜江文;戴兴良 -专利权人：杭州领挚科技有限公司;浙江大学
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本申请提供一种基于TFT驱动阵列的钙钛矿量子点主动发光显示阵列，所述的TFT驱动阵列源极或漏极与铟锡氧化物(ITO)薄膜正极相连；所述的ITO作为钙钛矿量子点发光二极管的电极之一；所述的钙钛矿量子点发光二极管包括空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层、电极层。本申请采用TFT驱动阵列作为钙钛矿量子点LED的衬底，通过调节钙钛矿量子点表面配体碳链长度和配体密度使钙钛矿量子点LED的等效电阻与TFT驱动阵列输出等效电阻匹配，从而直接在TFT驱动阵列上制备钙钛矿量子点三基色主动发光阵列
一种基于 tft 驱动阵列钙钛矿量子显示调控方法

[发明专利]一种二氧化锡核壳结构纳米晶的低温制备方法及在钙钛矿太阳电池中的应用-CN202110897518.X有效
发明人：吕银花;王贤丰;张志群;蔡广志 -专利权人：鞍山七彩化学股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K30/85 文献下载
摘要：本发明提供了一种二氧化锡核壳结构纳米晶及低温制备方法，及由该核壳结构纳米晶制得的钙钛矿太阳能电池，该二氧化锡二氧化锡核壳结构纳米晶包括二氧化锡纳米晶核层和包覆在二氧化锡纳米晶表面的壳层，对二氧化锡纳米晶进行包覆可得到电导率高、载流子密度大、载流子迁移率高和缺陷态密度低的二氧化锡核壳结构纳米晶，将其应用于钙钛矿太阳能电池中，可有效提高钙钛矿太阳能电池的光电转化效率。
一种氧化锡核壳结构纳米低温制备方法钙钛矿太阳电池中的应用

[发明专利]基于混蒸工艺具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池制备方法-CN202310261164.9在审
发明人：李世彬;翟亚辉;钱峰;郑华琳;张婷 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明公开了基于混蒸工艺具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池制备方法，其制备的无机铅锡钙钛矿薄膜的质量要高于溶液法，在蒸镀过程中通过调整PbI2与SnI2的比例来调整无机铅锡钙钛矿的带隙，拓宽器件的吸收光谱，从而提升无机铅锡混合钙钛矿太阳能电池的光电转化效率，包括下述步骤：首先对导电基底做紫外臭氧处理，再采用磁控溅射的方法制备电子传输层而后进行退火处理；然后使用共混蒸工艺以不同速率将CsI、SnI2与PbI2蒸镀到电子传输层上，而后进行退火处理，形成钙钛矿层；之后采用旋涂法或蒸镀法在钙钛矿层上制备缓冲层，所述缓冲层厚度为15nm；最后在缓冲层上利用热蒸镀制备金属电极，得到所述具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池。
基于工艺具有能带梯度钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]一种基于钙钛矿吸光层的光伏器件及其制备方法-CN202211512619.1在审
发明人：方国家;王海兵;郑智淼;胡绪志 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于钙钛矿吸光层的光伏器件及其制备方法，包括如下步骤：在导电衬底上制备二氧化锡传输层；将PbI2溶液旋涂至二氧化锡传输层上，退火至室温，在PbI2上层旋涂铵盐溶液，表面覆盖阻隔片，退火，移除阻隔片，得到钙钛矿吸光层薄膜。本申请提供的制备方法在钙钛矿退火过程中表面覆盖阻隔片，阻隔片通过物理阻隔法有效抑制铵盐挥发，遏制钙钛矿的分解并提高其结晶度，抑制残余碘化铅的形成，从而获得大晶粒高质量与稳定性好的宽带隙p型钙钛矿薄膜，钙钛矿晶粒尺寸最大可增大至20μm左右，载流子寿命延长至683ns，费米能级降低至‑4.86eV，表明钙钛矿导电性能也发生了改变，从偏n型变化至偏p型导电。
一种基于钙钛矿吸光层器件及其制备方法

[发明专利]一种三乙胺盐酸盐修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202110380757.8有效
发明人：刘明侦;曾成松;张馨洋;曾鹏;李发明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明提供一种三乙胺盐酸盐修饰的钙钛矿太阳能电池，包括依次设置的透明导电玻璃、二氧化锡电子传输层、三乙胺盐酸盐层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和金属电极；其中三乙胺盐酸盐层是将浓度为1～4mg/mL的三乙胺盐酸盐水溶液旋涂于二氧化锡电子传输层上本发明通过设置三乙胺盐酸盐层，一方面降低二氧化锡电子传输层表面的粗糙度，改善二氧化锡电子传输层与钙钛矿吸收层的界面接触问题，提升二氧化锡电子传输层的电导率；另一方面三乙胺盐酸盐层中的‑NR3+和Cl‑钝化二氧化锡电子传输层表面和钙钛矿吸收层底部的电荷缺陷，提升电荷传输，显著提升三乙胺盐酸盐修饰的钙钛矿太阳能电池的
一种乙胺盐酸修饰钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿薄膜及具有钙钛矿薄膜的太阳能电池-CN201911029768.0有效
发明人：丁毅;侯国付;候敏娜;徐玉增;赵颖;张晓丹 -专利权人：南开大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种具有钝化层的钙钛矿薄膜，将修饰溶液采用旋涂法和浸泡法在钙钛矿薄膜表面形成钝化层；所述钝化层的钝化分子由三部分构成：芳基、烷基和功能基团；芳基为：亚芳基、杂亚芳基、亚芳基乙烯撑、杂亚芳基乙烯撑、亚芳基乙炔撑、杂亚芳基乙炔撑中的任意一种；烷基中的y≥1；功能基团为巯基、胺基、铵基、硫酸酯、磷酸酯、磺酸酯中的任意一种。本发明钝化后的钙钛矿薄膜，由于钝化层的钝化分子特征在于芳基的两端均具有功能基团，增强了钝化分子与钙钛矿之间的作用力；更重要的是，当两端的功能基团都与钙钛矿发生作用时，中间的芳基部分可以更有效的覆盖钙钛矿表面，修复结构缺陷；最终提高钙钛矿太阳电池的稳定性。
一种钙钛矿薄膜具有太阳能电池

[发明专利]铟基钙钛矿单晶的制备方法和卤化铟的提纯方法-CN202211613796.9在审
发明人：时玉萌;房菲儿;周勃;李贺楠 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本申请涉及钙钛矿材料工艺技术领域，尤其涉及一种铟基钙钛矿单晶的制备方法和卤化铟的提纯方法。铟基钙钛矿单晶的制备方法包括：提供含卤化铟的溶液，溶液的pH＜4.0；将含卤化铟的溶液和乙腈混合，然后进行干燥处理，得到铟基钙钛矿单晶；其中，含卤化铟的溶液通过卤化铟溶解在氢卤酸中得到，且得到的铟基钙钛矿单晶的结构式为>3)3InX6；或者，含卤化铟的溶液通过卤化铟和掺杂金属卤化物溶解在氢卤酸中得到，且得到的铟基钙钛矿单晶的结构式为本申请提供的铟基钙钛矿单晶的制备方法不仅工艺步骤简单，而且条件温和，污染少，因此可以低成本地制备铟基钙钛矿单晶。
铟基钙钛矿单晶制备方法卤化提纯

[发明专利]铯锡卤钙钛矿薄膜材料的制备方法-CN201811448189.5在审
发明人：王飞;杨哲;田灿灿;王云鹏;赵东旭;崔迪 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种铯锡卤钙钛矿薄膜材料的制备方法，该方法通过将CsX和SnX₂的混合粉末和衬底置入CVD管式炉中，抽真空，然后以150～500标准mL/min通入氩气，并保持炉腔内的气压为50～300Pa，然后将炉腔内升温至500～800℃反应，反应完毕后淬火，得到铯锡卤钙钛矿薄膜材料；结果发现，通过该法制备的种铯锡卤钙钛矿薄膜材料晶型单一，具有很好的结晶质量和光学质量。
钙钛矿薄膜炉腔制备混合粉末氩气抽真空淬火衬底晶型置入气压发现

[发明专利]引入非溶质基溴化物添加剂制备混合卤素钙钛矿的方法-CN201710357723.0有效
发明人：张跃;司浩楠;康卓;廖庆亮;张铮 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及光伏材料领域，提供了一种引入非溶质基溴化物添加剂制备混合卤素钙钛矿的方法，在制备过程中引入非溶质基溴化物添加剂；添加剂引入到钙钛矿前驱体溶液中或反溶剂中；混合卤素钙钛矿材料结构式为ABX钙钛矿制备工艺中引入新型非溶质基溴化物添加剂。非溶质基溴化物的引入不仅将Br元素掺杂到钙钛矿薄膜，而且未改变原钙钛矿溶液中溶质阳离子的化学计量比，为制备混合钙钛矿薄膜提供了新的制备途径。该种方法工艺简单，成本低廉，有助于提高钙钛矿薄膜的稳定性，具有良好的应用前景。
引入溶质溴化物添加剂制备混合卤素钙钛矿方法

[发明专利]一种钙钛矿多晶薄膜的印刷制备方法-CN201910402820.6在审
发明人：郭飞;麦耀华;邱舒迪 -专利权人：暨南大学
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于材料制备工艺领域，公开了一种钙钛矿多晶薄膜的印刷制备方法。本发明首先在钙钛矿前驱体溶液中加入适量添加剂得到混合溶液，然后在低温条件下将混合溶液印刷在基底上，形成一层前驱体湿膜，再将前驱体湿膜通过抽真空，形成中间相钙钛矿薄膜，最后经热退火处理，得到结晶度高、均一性良好的钙钛矿多晶薄膜该方法通过添加剂的加入实现了对晶体质量和薄膜形貌的有效调控，且该方法具有广泛普适性可以拓展到Cs基全无机钙钛矿、FA基钙钛矿或含有FA/Cs混合钙钛矿，以及Pb/Sn混合钙钛矿等多种不同组分钙钛矿薄膜的制备该方法简单易行，有助于实现钙钛矿电池和钙钛矿其他器件的大面积制备和产业化生产。
钙钛矿制备多晶薄膜钙钛矿薄膜混合溶液前驱体印刷湿膜添加剂材料制备工艺产业化生产前驱体溶液无机钙钛矿薄膜形貌低温条件有效调控抽真空结晶度均一性普适性热退火基底基钙基全钛矿电池拓展

[发明专利]一种抑制钙钛矿太阳电池铅泄露和降低对生物毒性的封装结构及其封装方法-CN202310515583.0在审
发明人：吴武强;杨梅芳;田甜;方玉璇 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K71/15 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿太阳电池材料技术领域，尤其涉及一种抑制钙钛矿太阳电池铅泄露和降低对生物毒性的封装结构及其封装方法。本发明的钙钛矿太阳电池的保护方法为先将CD和BTCA加入钙钛矿前驱体溶液中，得到具有内置自交联CD‑BTCA超分子网络的钙钛矿薄膜，再将该钙钛矿薄膜制备为完整钙钛矿器件，最后使用柔性PS@CD‑BTCA纺丝薄片对钙钛矿器件进行封装。本发明的内置自交联CD‑BTCA超分子网络能够在提高器件性能的同时有效抑制各种铅基钙钛矿太阳电池中的铅泄漏。此外，CD‑BTCA配合物与卤化铅钙钛矿的螯合可以降低铅对生物体的毒性，使铅基钙钛矿薄膜和太阳电池对生物更加环保和安全。
一种抑制钙钛矿太阳电池泄露降低生物毒性封装结构及其方法

[发明专利]一种掺杂钙钛矿锡酸钡材料及其制备方法与应用-CN202010233747.7有效
发明人：付振晓;刘建梅;任海东;刘芸;特里·詹姆士·弗朗科姆;曹秀华;沓世我 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂钙钛矿锡酸钡材料，所述掺杂钙钛矿锡酸钡材料的化学通式为BaAxBxSn1‑2x本发明所述掺杂钙钛矿锡酸钡材料具有高介电常数﹑低损耗和温度稳定性好的性能，不仅可用于低频陶瓷电容器介质，尤其突出其作为微波陶瓷的优良性能及其在微波通讯领域的应用价值。本发明还公开了所述掺杂钙钛矿锡酸钡材料的制备方法和在低频陶瓷电容器或微波通讯介电陶瓷中的应用。
一种掺杂钙钛矿锡酸钡材料及其制备方法应用

[发明专利]一种钙钛矿基太阳电池-CN202211198371.6在审
发明人：张晓丹;许巧静;石标;李玉成;延玲玲;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿基太阳电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿基太阳电池。本发明提供了一种钙钛矿基太阳电池，包括由下到上依次层叠设置的底层基板、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和金属电极；或包括由下到上依此层叠设置的底层基板、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和金属电极；所述钙钛矿吸收层和电子传输层之间设置有导电钝化层；所述导电钝化层的导电钝化材料为噻吩烷胺卤化盐类化合物、噻吩烷胺卤化盐类化合物的同分异构体、噻吩甲脒卤化盐类化合物或噻吩甲脒卤化盐类化合物的同分异构体。所述钙钛矿基太阳电池中钝化材料工艺窗口宽，使钙钛矿基太阳电池具有较好的电学性能。
一种钙钛矿基太阳电池

[发明专利]一种有效提升钙钛矿催化剂催化性能的普适方法-CN201811201842.8有效
发明人：王春栋;李志山;吕琳 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B01J23/83 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效提升钙钛矿催化剂催化性能的普适方法，其特征在于，该方法是针对钙钛矿结构物质，采用化学水浴沉积技术在这些钙钛矿结构物质上沉积制备羟基氧化铁，得到羟基氧化铁修饰的钙钛矿基催化剂，由此提升钙钛矿基催化剂的催化性能通过对提升方法所针对的对象、以及提升方法的整体工艺流程进行控制，以钙钛矿结构物质为对象，在钙钛矿结构物质上沉积制备羟基氧化铁，由此解决现有技术存在制备过程工艺复杂、成本高、效率低且得到的催化剂稳定性不高的技术问题，可提升钙钛矿基催化剂的催化性能，尤其是析氧催化性能。
一种有效提升钙钛矿催化剂催化性能方法