专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种限域热压制备大面积薄膜的设备和方法-CN202211384590.3在审
  • 张昊 - 张昊
  • 2022-11-07 - 2023-03-07 - H10K71/13
  • 本发明公开了一种限域热压制备大面积薄膜的设备和方法,所述设备包括:工作台、热压组件、以及传动装置。工作台用于放置基片。台四周围栏结构和底部带有加热功能。且四周围栏结构可保证前驱体溶液不流出台污染环境;热压组件其顶部圆柱结构作用是将前驱体溶液注入。底部由高密度小孔道组成,所有孔道均连向顶部注入结构。热压组件具有全局加热系统,使湿膜快速干燥形成薄膜;传动装置用于移动热压组件,可精准控制热压组件与工作台上基片距离,从而形成不同厚度的薄膜。本设备结构简单,操作简便,对精度和密闭性要求低,可制备高质量的大面积薄膜。
  • 一种热压制备大面积钙钛矿薄膜设备方法
  • [发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN201710495524.6有效
  • 程书博;刘孟思;熊艳 - 长江大学
  • 2017-06-26 - 2019-08-23 - H01L51/42
  • 本发明提供了一种稳定的光电探测器,依次相连的基底(1)、共混活性层(2)、电极(3),所述共混活性层(2)为和聚3‑己噻吩共混使聚3‑己噻吩包裹在表面而成。进一步的本发明提供了光电探测器的制备方法,包括以下步骤:基底准备与清洗、处理;配制前驱体溶液,然后通过溶剂诱导法结晶形成纳米粉体分散液;配制聚3‑己噻吩溶液;配制和聚3‑己噻吩的共混溶液;使用旋涂或刮涂方式制备和聚3‑己噻吩共混薄膜,热退火处理后得到高质量共混活性层;采用蒸镀法制备电极。
  • 一种钙钛矿光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]氧化/Cs3-CN202310669057.X在审
  • 余家国;徐飞燕;胡佩玉 - 中国地质大学(武汉)
  • 2023-06-06 - 2023-09-22 - B01J27/135
  • 本发明提供了氧化/Cs3Bi2Br9量子点梯型异质结复合光催化剂及其制备方法和应用氧化/Cs3Bi2Br9量子点梯型异质结复合光催化剂,所述氧化/Cs3Bi2Br9量子点梯型异质结复合光催化剂由氧化纳米纤维和吸附在纤维表面的Cs3Bi2Br9量子点组成,所述氧化纳米纤维的直径为150~250nm;Cs3Bi2Br9量子点的平均粒径小于5nm。
  • 氧化csbasesub
  • [发明专利]一种提升镉光吸收层结晶度和覆盖率的方法-CN201810620391.5有效
  • 徐先亿;张晟熙;麦晋康;刘汝庚 - 香港城市大学深圳研究院
  • 2018-06-15 - 2022-11-22 - H01L51/48
  • 本发明提供了一种提升镉光吸收层结晶度和覆盖率的方法,其包括以下步骤:移取镉前驱液,并采用滴涂法将其滴涂于FTO导电玻璃上;于80‑130℃下,对滴涂于该导电玻璃上的镉前驱液进行热退火处理本发明提供的镉光吸收层呈现出更大尺寸的晶粒和更为良好的薄膜覆盖率,更大尺寸的晶粒可增强电子和空穴载流子在晶粒中的传输并可减少晶界在光吸收层中的数量,还可减少电子和空穴载流子在晶界处的淬灭和复合,进一步可提升电子和空穴载流子在光吸收层中的传输性能;同时,良好的薄膜覆盖率可有效地减少光电化学器件中暗电流现象的产生,并最终有效提升光电化学器件的光电转换效率。
  • 一种提升镉基钙钛矿光吸收结晶度覆盖率方法
  • [发明专利]一种器件的制备方法-CN202211554206.X在审
  • 毕恩兵;文芳;巴前凯 - 宣城先进光伏技术有限公司
  • 2022-12-05 - 2023-04-07 - H10K71/12
  • 本发明提供一种器件的制备方法,包括以下步骤:形成固态的金属卤化物膜,金属卤化物膜中含有金属卤化物和添加剂,添加剂含有胍;在金属卤化物膜的表面形成有机液膜,有机液膜中含有甲眯基团或胺基团,有机液膜与金属卤化物膜反应生成中间体;对中间体进行第一退火得到三维膜。位于金属卤化物膜中的含有胍的添加剂,在形成三维膜之后均匀分布在晶界处,不仅抑制了相分离现象,提高了晶体结构的稳定性,还提高了膜的结晶性,增大了晶粒的尺寸,降低膜内的缺陷态密度,从而同时提高了太阳能电池的光电转换性能和稳定性。
  • 一种钙钛矿器件制备方法
  • [发明专利]一种钾掺杂二维薄膜的制备方法-CN202210775814.7在审
  • 毕世青;屈倩倩;周金肖;奚小艳;王憨鹰 - 榆林学院
  • 2022-07-03 - 2022-09-27 - H01L51/46
  • 本发明公开了一种钾掺杂二维薄膜的制备方法,涉及薄膜的技术领域,所述制备方法包括下述操作步骤:S1、ITO导电玻璃氧化铟的清洗;S2、二维前驱体溶液的制备;S3、钾掺杂二维前驱体溶液的制备;S4、ITO玻璃的预处理和S5、钾掺杂二维溶液的旋涂。该钾掺杂二维薄膜的制备方法,采用碘化钾掺杂二维的方法来改善薄膜的成膜质量和稳定性,通过K离子掺杂修饰,二维的成膜质量明显提高,致密性和均匀性均得到了提高,进而提升了薄膜的稳定性。
  • 一种掺杂二维钙钛矿薄膜制备方法
  • [发明专利]一种大面积薄膜及其电池组件的制备方法-CN201810813700.0有效
  • 程一兵;卜童乐;钟杰;黄福志 - 武汉理工大学
  • 2018-07-23 - 2020-06-19 - H01L51/48
  • 本发明属于太阳能电池领域,具体涉及一种大面积薄膜及其电池组件的制备方法。所述制备方法包括:清洗透明导电基板并干燥备用;采用化学浴法沉积氧化电子传输层;采用狭缝挤出刮涂法均匀涂覆沉积前驱体溶液,然后采用旋涂移动滴反溶剂法处理得到吸收层;使用绿色溶剂配制Spiro‑OMeTAD溶液,采用狭缝挤出刮涂法在吸光层上制备空穴传输层,最后在空穴传输层上蒸镀金属电极。本发明采用狭缝挤出刮涂沉积前驱体溶液,能有效铺展溶液且节约用量;进一步采用移动滴涂反溶剂法在薄膜上均匀移动滴下反溶剂,可以有效地拓宽薄膜的萃取面积,且节约反溶剂的使用量。
  • 一种大面积钙钛矿薄膜及其电池组件制备方法

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