“铌酸锶基钙钛”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1380299个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种铌酸锶基钙钛矿层状结构无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202111193216.0在审
发明人：周志勇;夏燃;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锶基钙钛矿层状结构无铅压电陶瓷及其制备方法。所述铌酸锶基钙钛矿层状结构无铅压电陶瓷的化学组成为Sr2‑xNb2O
一种铌酸锶基钙钛矿层结构压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高温稳定型陶瓷粉及其陶瓷基板的制备方法-CN202310120364.2在审
发明人：姜滔;敖来远;韩玉成;应建;何创创;陈传庆 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B35/057 文献下载
摘要：所述陶瓷粉组分包括碳酸钙、碳酸锶、二氧化锆、五氧化二铌、氧化锌；采用碳酸锶、二氧化锆、二氧化钛合成锆锶钙钛主体材料；采用五氧化二铌、氧化锌及碳酸钙对锆锶钙钛主体材料进行掺杂改性，形成锆锶钙钛基瓷粉，即高温稳定型陶瓷粉所述陶瓷基板制备方法为：(1)在所述锆锶钙钛基瓷粉中，加入分散剂、溶剂、粘结剂；(2)通过球磨工艺制备成流延浆料；(3)所述流延浆料经过流延、裁片、叠片、等静压、热切、排胶、烧结后得到陶瓷基板。解决了现有锆酸钙作为陶瓷主体材料存在介电常数低、烧结温度高、温度特性差的问题。广泛应用于高温稳定型陶瓷粉及其陶瓷基板领域。
一种高温稳定陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法及应用-CN201510329631.2有效
发明人：王俊;张柏宇;新巴雅尔;李艳;郭峰;马文 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法及应用，其制备方法包括：如下步骤：(1)配制溶液A；(2)配制溶液B；(3)溶液A与溶液B混合制得溶液C；(4)溶液C中加碱制得前驱体溶液D；(5)前驱体溶液D反应干燥制得固体产物；(6)制得铌掺杂钛酸锶纳米粉体或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体。用铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体制备铌或铌镧掺杂钛酸锶热电陶瓷片的方法。本发明的优点：本发明采用水热法首次成功制备出纳米级铌掺杂钛酸锶粉体和铌镧掺杂钛酸锶粉体，掺杂浓度达到30％，并研究了其热电性能，得到目前在钛酸锶基热电陶瓷中最高的热电性能。
一种掺杂钛酸锶纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种锆酸钙粉体在铌酸钾钠基压电陶瓷的应用-CN202210686441.6有效
发明人：李敏;尹永国;葛俊彦;陈建兵;杨小红;朱子春;汪江节 -专利权人：池州市贵兴非矿新材料有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了本发明涉及一种锆酸钙粉体在铌酸钾钠基压电陶瓷的应用，所述陶瓷以五氧化二铌、无水碳酸钾、无水碳酸钠、二氧化钛、碳酸锶、碳酸钙、二氧化锆粉体为原料，制备化学组成0.93K048本发明通过添加特定用量的钛酸锶降低正交－四方(TO‑T)相转变温度，特定用量CaZrO3提高菱方－正交(TR‑O)相转变温度，使铌酸钾钠基压电陶瓷具有正交O和四方T两相共存结构，电畴在外电场下易转动，使制备得到的铌酸钾钠基压电陶瓷具有良好的电致应变性能，且不含贵金属，成本低廉。
一种锆酸钙粉体铌酸钾钠基压电陶瓷应用

[发明专利]钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料及其制备方法-CN200710121834.8无效
发明人：符汪洋;周岳亮;曹玲柱;汪宏 -专利权人：中国科学院物理研究所;西安交通大学
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料，包括至少一层钛酸锶钡层和至少一层铌酸锌铋层，其中，所述钛酸锶钡层为锰掺杂的钛酸锶钡层。本发明的钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料有机地结合了钛酸锶钡材料的高介电可调性与铌酸锌铋材料的低介电损耗特性，通过使用锰掺杂钛酸锶钡层，以及有目的地调控锰掺杂钛酸锶钡和铌酸锌铋层各自的厚度和生长条件，得到了一种同时具有高介电可调率和低介电损耗特性的锰掺杂钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料。
钛酸锶钡铌酸锌铋异质结构材料及其制备方法

[发明专利]微波介电可调钛酸锶钡/铋锌铌复合薄膜及其制备方法-CN200610043025.5无效
发明人：任巍;史鹏;吴小清;阎鑫;林鹏;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：微波介电可调钛酸锶钡/铋锌铌复合薄膜及其制备方法，由交替的钛酸锶钡薄膜和铋锌铌薄膜构成。本发明选用两种不同结构和作用机理的微波可调介质薄膜，将具有立方焦绿石结构的铋锌铌薄膜材料和立方钙钛矿结构的钛酸锶钡薄膜材料按照溶胶凝胶旋涂工艺制备方法，获得具有交替结构的复合薄膜，其具备多层薄膜结构，利用铋锌铌薄膜的可调、良好的温度稳定性、中介电常数和低损耗特性弥补钛酸锶钡薄膜的高介电常数和高的介电损耗，使多层复合薄膜在不降低可调特性的同时提高薄膜的品质因子(即降低薄膜的介电损耗)，从而得到新型的、可实用的复合薄膜材料
微波可调钛酸锶钡铋锌铌复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种具有周期性纳米级微裂纹结构的铌酸铋钙薄膜材料及其制备方法-CN202211191375.1在审
发明人：周志勇;李宜冠 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有周期性纳米级微裂纹结构的铌酸铋钙薄膜材料及其制备方法。所述具有周期性纳米级微裂纹结构的铌酸铋钙薄膜材料的制备方法为：采用脉冲激光沉积法，包括：选择可使薄膜产生张应力并有良好晶格匹配关系的单晶衬底，在0.1mbar～0.2mbar沉积氧压下利用脉冲激光轰击烧蚀Bi过量的CBN靶材进行沉积，并在一定氧压下直接降温冷却，获得具有周期性纳米级微裂纹结构的铌酸铋钙薄膜材料；其中，单晶衬底为铌掺杂钛酸锶或钛酸锶单晶衬底；激光脉冲次数5000～15000次。
一种具有周期性纳米裂纹结构铌酸铋钙薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法-CN202211359763.6在审
发明人：岳建岭;杨泽欧;胡海龙;黄小忠 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：以掺铌钛酸锶单晶衬底作为底电极；在掺铌钛酸锶单晶衬底表面交替沉积钛酸锶层和另一类氧化物膜层，制备得到钛酸锶基氧化物超晶格薄膜作为存储介质层，其中，另一类氧化物膜层选用掺钇氧化锆、钴酸镧、或铁酸铋中的一种；在步骤S2得到的镀有存储介质层的基片表面再沉积金属薄膜作为顶电极，得到含有底电极∥STO基氧化物超晶格薄膜存储介质层∥顶电极的忆阻器。由该制备方法制备得到的钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器可形成单晶或晶体完整性较高的超晶格薄膜，忆阻器具备低的操作电压和高的组态稳定性。
一种钛酸锶基氧化物晶格薄膜忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钠钾-锰酸锶陶瓷及其制备方法-CN201110425711.X无效
发明人：黄延民;刘来君;史丹平;吴爽爽;郑少英 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钠钾-锰酸锶陶瓷及其制备方法。铌酸钠钾-锰酸锶陶瓷的组成式为：(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xSrMnO3，其中0.01≤x≤0.2，式中x表示相应的组分的摩尔数。采用钙钛矿型的锰酸锶(SrMnO3)作为烧结助剂，可以在晶界形成液相，加速了传质过程，得到了致密铌酸钠钾-锰酸锶[(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xSrMnO3]陶瓷，同时也提高了其压电常数。本发明采用将原料球磨4～24小时，然后以3～5℃/min的升温速率升温至800～1000℃预烧2～8小时；以4～8℃/min的升温速率升温至1000～1200℃烧结2～8小时得到铌酸钠钾-锰酸锶[(1-本发明通过掺杂锰酸锶助烧剂后的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷，其压电常数从纯的铌酸钠钾的118pC/N提高到250pC/N。
一种铌酸钠钾锰酸锶陶瓷及其制备方法

[发明专利]钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法-CN201810019438.2有效
发明人：李效民;黎冠杰;徐小科;高相东;毕志杰;陈永博 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜是由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体衬底上的TiO₂缓冲层、钴酸锶镧缓冲层以及钛铌镁酸铅铁电薄膜构成；所述氮化镓半导体衬底的取向包括（0002）面，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜的外延取向为（111）面，所述钴酸锶镧缓冲层的外延取向为（111）面，所述TiO₂缓冲层为金红石相、外延取向为
电薄膜钛铌缓冲层外延取向氮化镓半导体氮化镓基外延钴酸锶镧衬底制备脉冲激光沉积技术金红石相取向

[实用新型]铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷片-CN201120363110.6有效
发明人：单连伟 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： B32B18/00 文献下载
摘要：铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷片。微波介质陶瓷广泛应用于卫星、雷达、移动通信等众多领域，20世纪后期，微电子信息处理技术和电子信息技术获得了快速的发展，这极大促进了微波移动通信技术的发展需求。一种铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷片，其组成包括：铌镁酸钡膜（1）、钛酸锶钡膜（2），所述的铌镁酸钡膜上复合钛酸锶钡膜，然后再复合铌镁酸钡膜，再复合铌镁酸钡膜，如此反复，将铌镁酸钡膜和钛酸锶钡膜交替复合成层叠结构
铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷

[发明专利]基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器-CN201810315148.2有效
发明人：陆小力;王贺;史泽堃;王涛;姚会娟;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器的制作方法，主要解决现有形变应力传感器功耗大且不能弯曲的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术，在镧锶锰氧做牺牲层的钛酸锶衬底上生长掺铌钛酸锶薄膜；2.在掺铌钛酸锶薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用碘化钾溶液除去镧锶锰氧薄膜；3.将掺铌钛酸锶薄膜转移到后续所需的柔性导电衬底上，在丙酮中浸泡除去聚甲基丙烯酸甲酯；4.在掺铌钛酸锶薄膜表面加电极，完成形变应力传感器的制作。本发明采用掺铌钛酸锶阻变薄膜作为传感材料，耗能小，且提高了应力传感器的灵敏度，实现了传感器的弯曲，满足柔性电子设备的要求，可用于半导体器件的制备。
基于掺铌钛酸锶阻变薄膜形变应力传感器

[发明专利]一种稀土镍基氧化物多晶薄膜材料的制备方法-CN201611141905.6在审
发明人：陈吉堃;姜勇;徐晓光;苗君;吴勇;孟康康 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：一种稀土镍基氧化物多晶薄膜材料的制备方法，属于无机非金属薄膜材料领域，本发明是在衬底材料表面生长具有与稀土镍基钙钛矿氧化物材料晶格参数相近的氧化物材料缓冲层；在缓冲层表面进一步利用真空沉积法沉积稀土镍基钙钛矿氧化物薄膜所述稀土镍基钙钛矿氧化物材料的晶体结构为ABO3的钙钛矿结构ReNiO3Re位为单一稀土元素或多种稀土元素的组合；所述缓冲层材料的组分优选锶铷氧、钛酸锶、镧掺杂钛酸锶、钕掺杂钛酸锶、钛酸钡、钛酸钙。本发明提供了一种简便高效制备稀土镍基钙钛矿氧化物多晶薄膜材料的方法，所制备的薄膜材料具有优异的温致与氢致性能，可以进一步应用于功能电子器件、燃料电池、红外探测器件等领域。
一种稀土氧化物多晶薄膜材料制备方法

[发明专利]铕/钛酸锶钡共改性的铌酸钾钠光致变色透明陶瓷及其制备方法-CN201910660924.7在审
发明人：吴啸;周阳;林锦锋;鲁齐铃;林枞 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铕/钛酸锶钡共改性的铌酸钾钠光致变色透明陶瓷的制备方法，首先制备xEu‑KNN‑yBST粉料，通过干压压片成型，在1200～1210℃下烧结成型，得到具有纯的四方相钙钛矿结构、致密度高、晶粒细小且均匀，在850 nm处透光率可达60%的铕/钛酸锶钡共改性的铌酸钾钠光致变色透明陶瓷，并且具有优异的光致发光/光致变色特性。该铕/钛酸锶钡共改性的铌酸钾钠光致变色透明陶瓷集高的光学透过率、优异上转换光致发光特性以及光致变色特性为一体，这些多功能光电特性可进一步扩展其相应的应用，有望应用于环保型的光学开关、光电铁电图像存储等领域
光致变色透明陶瓷钛酸锶钡铌酸钾钠共改性制备光致变色特性光致发光钙钛矿结构光学透过率晶粒光电特性光学开关烧结成型图像存储环保型上转换四方相透光率粉料铁电成型应用

[发明专利]一种锰掺杂钛铌酸铋钙锂铈基陶瓷材料及其制备方法-CN201610206658.7在审
发明人：朱建国;辛德琼;陈强;刘洪;肖定权 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰掺杂钛铌酸铋钙锂铈基压电陶瓷材料及其制备方法，其特点是该方法是采用传统的固相法制备锰掺杂钛铌酸铋钙锂铈基粉体材料；再通过造粒压片、排胶、烧结和被银测试等传统的电子陶瓷制备工艺制备锰掺杂钛铌酸铋钙锂铈基陶瓷通过A位锂、铈(Li，Ce)和B位铌(Nb)复合取代降低了钛酸铋钙基(CBT)陶瓷的烧结温度，在较低的烧结温度下明显提高其压电性能并降低其介电损耗，为CBT基陶瓷材料在高温领域实用化起到重要作用。
一种掺杂钛铌酸铋钙锂铈基陶瓷材料及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条