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[发明专利]一种与偏振无关的铌酸锂光隔离器-CN202110106888.7有效
发明人：李明轩;赵奕儒;戴双兴;李金野;刘建国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本发明提供一种与偏振无关的铌酸锂光隔离器，包括一体成型的第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)、第一耦合器(3)及第二耦合器(4)，第一耦合器(3)及第二耦合器(4)分别形成在第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)的两端，第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)沿长度方向均至少包括互易波导、非互易波导，其中：第一干涉臂(1)的互易波导与第二干涉臂(2)的互易波导长度不同；非互易波导包括磁光波导和铌酸锂脊波导，磁光波导位于铌酸锂脊波导的平板波导上方，磁光波导与铌酸锂脊波导的脊沿宽度方向并排形成；第一耦合器(3)及第二耦合器(4)为铌酸锂脊波导，实现同时对横模和纵模的反向输入光的隔离。
一种偏振无关铌酸锂光隔离器

[发明专利]一种铌酸锂横模光隔离器-CN202110106897.6在审
发明人：李明轩;赵奕儒;戴双兴;李金野;刘建国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明提供一种铌酸锂横模光隔离器，包括一体成型的第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)、第一耦合器(3)及第二耦合器(4)，第一耦合器(3)及第二耦合器(4)分别形成在第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)的两端，第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)沿长度方向均至少包括互易波导、非互易波导，其中：第一干涉臂(1)的互易波导与第二干涉臂(2)的互易波导长度不同；非互易波导包括磁光波导和铌酸锂波导，磁光波导和铌酸锂波导沿宽度方向并排形成
一种铌酸锂横模光隔离器

[发明专利]铌酸锂光波导芯片-CN201910776688.5在审
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技(安徽)有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锂光波导芯片，包括单晶硅基板、薄膜铌酸锂、设置在所述薄膜铌酸锂上的负热光系数材料、设置在所述单晶硅基板上并包覆所述铌酸锂薄膜和负热光系数材料的二氧化硅包层，以及设置在所述二氧化硅包层上的金属电极；所述薄膜铌酸锂包括铌酸锂中心脊，或者，包括质子交换层和铌酸锂侧翼。由于铌酸锂的折射率随温度的升高而增大，本发明利用负热光系数材料折射率随温度升高而降低的特性，通过在铌酸锂薄膜上设置合适厚度的负热光系数材料层，可以消除铌酸锂光波导有效折射率对温度的敏感性，实现了几种非热敏设计的光波导结构，可以有效降低薄膜铌酸锂光波导芯片的热光系数，使薄膜铌酸锂光波导的各种物理性能对温度变化不敏感。
铌酸锂热光系数薄膜铌酸锂光波导芯片二氧化硅包层铌酸锂光波导单晶硅基板铌酸锂薄膜温度变化不敏感侧翼材料折射率光波导结构有效折射率质子交换层金属电极物理性能材料层折射率中心脊包覆热敏升高

[实用新型]铌酸锂光波导芯片-CN201921367295.0有效
发明人：陈亦凡;黄萌 -专利权人：易锐光电科技（安徽）有限公司;苏州易锐光电科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铌酸锂光波导芯片，包括单晶硅基板、薄膜铌酸锂、设置在薄膜铌酸锂上的负热光系数材料、设置在单晶硅基板上并包覆铌酸锂薄膜和负热光系数材料的二氧化硅包层，以及设置在二氧化硅包层上的金属电极；薄膜铌酸锂包括铌酸锂中心脊，或者，包括质子交换层和铌酸锂侧翼。由于铌酸锂的折射率随温度的升高而增大，本实用新型利用负热光系数材料折射率随温度升高而降低的特性，通过在铌酸锂薄膜上设置合适厚度的负热光系数材料层，可以消除铌酸锂光波导有效折射率对温度的敏感性，实现了几种非热敏设计的光波导结构，可以有效降低薄膜铌酸锂光波导芯片的热光系数，使薄膜铌酸锂光波导的各种物理性能对温度变化不敏感。
铌酸锂光波导芯片

[发明专利]一种铌酸锂衬底及其制造方法-CN201210232239.2有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供一种铌酸锂衬底的制造方法，采用铌酸锂晶体生长为铌酸锂衬底，在所述铌酸锂晶体生长的过程中掺入光折变元素。本发明还提供一铌酸锂衬底，所述铌酸锂衬底通过生长铌酸锂晶体形成，所述铌酸锂衬底为在所述铌酸锂晶体的生长的过程中掺入光折变元素的衬底，采用所述铌酸锂衬底用于制备LED芯片，降低外延材料中的缺陷密度和LED
一种铌酸锂衬底及其制造方法

[发明专利]可实现高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置-CN201510088213.9有效
发明人：华勇;田自君;张征;乔海燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种可实现高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的中部设置有柱状的光波导区，光波导区的轴向与铌酸锂晶片的大平面垂直，光波导区贯通铌酸锂晶片；铌酸锂晶片的大平面上光波导区以外的区域，覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片的大平面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。本发明的有益技术效果是提供了一种用于替换偏振消光比测试装置中现有偏光棱镜的新的偏振片，使偏振消光比测试装置的测量上限得到提升，改善偏振消光比测试装置的性能。
实现偏振及其制作方法测试装置

[发明专利]一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法-CN202010602370.8有效
发明人：欧欣;孙嘉良;游天桂;林家杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本申请提供一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法，包括以下步骤：获取铌酸锂晶体；在所述铌酸锂晶体表面沉积钛层，将沉积有钛层的铌酸锂晶体进行高温扩散处理，获得钛扩散后的铌酸锂晶体；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行清洗处理，去除所述光刻处理后残留的光刻胶以及所述高温扩散处理后残余的钛层；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行区域离子注入处理，获得注入离子后的铌酸锂晶体；其中，所述区域离子注入处理中注入的离子为能够提高所述铌酸锂晶体抗光折变性的离子；对所述注入离子后的铌酸锂晶体进行退火处理。该制备方法在内扩散技术的基础上注入能够提高铌酸锂抗光折变性的离子，能够有效减小铌酸锂光波导光损伤效应。
一种基于扩散离子注入铌酸锂波导制备方法

[实用新型]一种薄膜铌酸锂器件-CN202221440585.5有效
发明人：陈泉安;陆明之 -专利权人：宁波元芯光电子科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜铌酸锂器件，所述薄膜铌酸锂器件由下至上依次包括衬底、缓冲层、铌酸锂层、绝缘层和热电极，所述铌酸锂层为薄膜铌酸锂，所述铌酸锂层包括与热电极对应的热调相移区以及沿第一方向位于热调相移区两侧的铌酸锂波导，所述第一方向为光传导的方向；在铌酸锂层上设置有介质波导，所述介质波导与热电极位置对应并且位于铌酸锂层和热电极之间，所述铌酸锂波导和介质波导共同构成光波导。与现有技术相比，本实用新型的优点在于：通过在热电极的热调相移区形成介质波导，能够避免铌酸锂波导刻蚀产生的Z界面导致的热光偏置相位的改变，从而提供一种消除热电效应电荷积累的热光偏置结构，避免热光偏置工作点漂移
一种薄膜铌酸锂器件

[发明专利]热光相移器、马曾干涉仪及光计算网络-CN202210801050.4在审
发明人：彭传艳;杨乐思 -专利权人：上海图灵智算量子科技有限公司;图灵智算量子科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种热光相移器、马曾干涉仪及光计算网络。热光相移器包括：铌酸锂波导层、包覆层、加热件；包覆层覆盖于铌酸锂波导层的外围，包覆层的折射率小于铌酸锂波导层的折射率；加热件设于包覆层；铌酸锂波导层盘设于加热件的热影响区。通过利用加热件对铌酸锂波导层加热，从而可以提高铌酸锂波导层的温度，进而调整铌酸锂波导层的折射率，实现对热光相移器内传输的光波相位的调整。通过将波导层盘设在加热件的加热区，可以有效地提高铌酸锂波导层的长度，并将铌酸锂波导层限制在较小的区域内，从而便于加热件对铌酸锂波导层加热，可以降低相移功率，也可以实现光波信号在较小的相移功率下实现稳定的输出
相移干涉仪计算网络

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的高消光比光开关-CN202010685447.2在审
发明人：尹锐;刘枫榆;黄庆捷;季伟 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铌酸锂薄膜的高消光比光开关，该光开关包括自上而下依次设置的铌酸锂薄膜层、光限制层和基底，铌酸锂薄膜层上设置有若干个电极组，电极组沿着铌酸锂薄膜层的长度方向设置，每个电极组包含两个电极；本发明提供了一种基于铌酸锂薄膜的高消光比光开关，基于铌酸锂薄膜的高消光比光开关巧妙利用铌酸锂材料的电光特性，通过电光效应改变材料折射率，从而提高材料特定区域单元的折射率，形成材料的波导结构，从而实现材料层光路的导通；未加电区域，材料层光路关断，进而实现高消光比光开关的功能。
一种基于铌酸锂薄膜高消光开关

[发明专利]热光相移器、马曾干涉仪及光计算网络-CN202210802170.6在审
发明人：彭传艳;杨乐思 -专利权人：上海图灵智算量子科技有限公司;图灵智算量子科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种热光相移器、马曾干涉仪及光计算网络，所述热光相移器包括：铌酸锂波导层、加热件，所述铌酸锂波导层用于传输光波；所述加热件被设置为加热所述铌酸锂波导层，以使所述铌酸锂波导层调节所述光波的相位通过利用加热件对铌酸锂波导层加热，从而可以提高铌酸锂波导层的温度，进而调整铌酸锂波导层的折射率，实现对热光相移器内传输的光波相位的调整。采用热光相移器的马曾干涉仪可以有效地避免光波在到达第二个Y分支会产生不符预期的相位差。
相移干涉仪计算网络

[实用新型]热光相移器、马曾干涉仪及光计算网络-CN202221769300.2有效
发明人：彭传艳;杨乐思 -专利权人：上海图灵智算量子科技有限公司;图灵智算量子科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种热光相移器、马曾干涉仪及光计算网络，所述热光相移器包括：铌酸锂波导层、加热件，所述铌酸锂波导层用于传输光波；所述加热件被设置为加热所述铌酸锂波导层，以使所述铌酸锂波导层调节所述光波的相位通过利用加热件对铌酸锂波导层加热，从而可以提高铌酸锂波导层的温度，进而调整铌酸锂波导层的折射率，实现对热光相移器内传输的光波相位的调整。采用热光相移器的马曾干涉仪可以有效地避免光波在到达第二个Y分支会产生不符预期的相位差。
相移干涉仪计算网络

[发明专利]一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器及其制造方法-CN201610941780.9在审
发明人：李萍;范宝泉 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器及其制造方法，包括：石英基底晶片、铌酸锂薄膜、光学波导、金属薄膜电极以及金属封装管壳。本发明的有益效果如下：1)缩短了弯曲波导长度和行波电极长度，去掉了直流偏移补偿电极，实现了铌酸锂QPSK光调制器的小型化；2)采用低介电常数的石英材料作为铌酸锂单晶薄膜的基底晶片，实现了微波折射率与光波折射率的良好匹配，提高了铌酸锂QPSK光调制器的调制带宽；3)去掉了直流偏移补偿电极，降低了铌酸锂QPSK光调制器的信号处理复杂性；4)提高了铌酸锂薄膜晶圆的利用率，降低了铌酸锂薄膜QPSK光调制器的制造成本。
一种铌酸锂薄膜 qpsk 调制器及其制造方法

[实用新型]一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器-CN201621155126.7有效
发明人：李萍;范宝泉 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器，包括石英基底晶片、铌酸锂薄膜、光学波导、金属薄膜电极以及金属封装管壳。本实用新型的有益效果如下1)缩短了弯曲波导长度和行波电极长度，去掉了直流偏移补偿电极，实现了铌酸锂QPSK光调制器的小型化；2)采用低介电常数的石英材料作为铌酸锂单晶薄膜的基底晶片，实现了微波折射率与光波折射率的良好匹配，提高了铌酸锂QPSK光调制器的调制带宽；3)去掉了直流偏移补偿电极，降低了铌酸锂QPSK光调制器的信号处理复杂性；4)铌酸锂薄膜晶圆的利用率更高，降低了铌酸锂薄膜QPSK光调制器的制造成本。
一种铌酸锂薄膜 qpsk 调制器

[发明专利]高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置-CN201510088214.3有效
发明人：华勇;田自君;杨千泽;张鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的正、反面各设置有一光波导区，两个光波导区的截面尺寸相同、位置正对；所述铌酸锂晶片表面光波导区以外的区域覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片表面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。本发明的有益技术效果是提供了一种用于替换偏振消光比测试装置中现有偏光棱镜的新的偏振片，使偏振消光比测试装置的测量上限得到提升，改善偏振消光比测试装置的性能。
偏振及其制作方法测试装置

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