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[发明专利]端氢基聚硅氧烷的制备方法及制备用反应釜系统-CN202111064965.3有效
发明人：任海涛;刘彬;赵洁;曹鹤;李献起;张鹏硕;刘秋艳;周健;赵磊;倪志远;曲雪丽;冯岳;胡志国;李双玲 -专利权人：唐山三友硅业有限责任公司
申请日： 2021-09-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种端氢基聚硅氧烷的制备方法及制备用反应釜系统，涉及端氢基聚硅氧烷制备技术领域。将除水后的硅氧烷混合环体及封头剂加入反应釜中，在40~75℃条件下聚合2~8小时，之后将物料输送至薄膜蒸发器或蒸馏塔脱除低沸物，即得端氢基聚硅氧烷成品。
端氢基聚硅氧烷制备方法反应系统

[发明专利]一种含磷氮硅膨胀型阻燃剂及其制备方法和在硬质聚氨酯泡沫中的应用-CN202111074007.4有效
发明人：袁尧;吴丽丽;岳芳竹 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C08G79/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种含磷氮硅膨胀型阻燃剂及其制备方法和在硬质聚氨酯泡沫中的应用，涉及材料技术领域。先通过异氰酸酯烷基烷氧基硅烷与三(2‑羟乙基)异氰尿酸酯的一端发生反应，再通过一步法与含磷二氯发生脱氯化氢反应，得到的大分子含磷氮硅阻燃剂，可发挥磷、氮、硅三者之间的协同阻燃作用，所得阻燃剂结构中的二甲氧基在水解后可以与多元醇的羟基发生缩合反应其次，将含磷氮硅膨胀型阻燃剂运用至硬质聚氨酯泡沫材料中，可以得到无卤环保的泡沫材料，同时该泡沫材料具有优良的耐热性、阻燃性和耐腐蚀性。
一种含磷氮硅膨胀阻燃及其制备方法硬质聚氨酯泡沫中的应用

[发明专利]一种生产2-硝基丙烷用耐久稳定型钛硅分子筛催化剂的制备方法-CN202011509993.7有效
发明人：俞阳晨;陶彬彬;柳圣境 -专利权人：宁波四明化工有限公司
申请日： 2020-12-19 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C01B37/06 文献下载
摘要：本申请涉及化工材料领域，具体公开了一种生产2‑硝基丙烷用耐久稳定型钛硅分子筛催化剂的制备方法。耐久稳定型钛硅分子筛催化剂包括下列制备步骤：S1、取木浆粕为原料，经酸解改性后溶解处理，制备得纤维素溶液；S2、以纤维素溶液为主要原料滴加至再生液中，制备纤维素微球模板；S3、取纤维素溶液煅烧处理，得基体炭气凝胶模板；S4、以纤维素微球模板和基体炭气凝胶模板，制备催化剂材料；S5、分别去除纤维素微球模板和基体炭气凝胶模板，即可制备得生产2‑硝基丙烷用耐久稳定型钛硅分子筛催化剂。本申请的耐久稳定型钛硅分子筛催化剂改善了孔道堵塞所造成的催化剂失活现象，延长了催化剂寿命，提高了催化剂材料的耐久性能。
一种生产硝基丙烷耐久稳定型钛硅分子筛催化剂制备方法

[发明专利]一种内炔衍生物及其制备方法-CN201910833596.6有效
发明人：李先纬;廖桂兰;欧阳文森 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C07C253/30 文献下载
摘要：所述内炔衍生物的结构式如式(Ⅰ)所示；其中，R1和R2独立的选自C1～C20的烃基、C5～C30的芳基或C5～C30的芳杂环基、或硅基如三异丙基硅基、二甲基叔丁基硅基、含环己基的氧硅醚。
一种衍生物及其制备方法

[发明专利]一种陶瓷结合铁铝尖晶石窑口浇注料及其制备方法-CN202210174363.1有效
发明人：朱国平;王立旺;王琪;朱玉萍;李新明;彭晶晶;方利华 -专利权人：浙江锦诚新材料股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明涉及耐火材料领域，尤其涉及一种陶瓷结合铁铝尖晶石窑口浇注料，按照重量份数计，其包括：骨料60~80份、粉料30~45份以及结合剂3~8份；其中，所述骨料包括铁铝尖晶石以及多孔硅铝陶瓷，所述多孔硅铝陶瓷由二氧化硅本发明中的陶瓷结合铁铝尖晶石窑口浇注料其通过骨料以及粉料之间的合理配置，能够有效提升浇注料在浇注成型之后的致密性，同时，本发明中的硅铝陶瓷其为多孔结构，因此在浇注料各组分烧结过程中，硅铝陶瓷中的孔隙能够吸收各组分融合过程中产生的体积膨胀
一种陶瓷结合尖晶石浇注料及制备方法

[发明专利]一种端嘌呤基有机硅化合物及其制备方法-CN202210485651.9有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：重庆米克智业科技有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C08G77/388 文献下载
摘要：本发明公开了一种端嘌呤基有机硅化合物、制备方法及应用，该端嘌呤基有机硅化合物的结构式为一种嘌呤有机硅化合物及其制备方法

[发明专利]一种低硅铝比ZSM-48分子筛的合成方法及其应用-CN202210031244.0有效
发明人：吴志杰;高诗奡;徐明吕;葛思达;马阿慧;金玮 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C01B39/48 文献下载
摘要：本发明涉及分子筛合成技术领域，具体涉及一种低硅铝比ZSM‑48分子筛的水热合成方法及其应用。本发明所述的合成方法，是以1,6‑己二胺为单一模板剂，通过晶种辅助，对水热体系进行预晶化及晶化；其中所述水热体系中，模板剂、硅源、铝源、水和碱金属的摩尔比为(0.1‑0.5):1:(0.005‑0.05本发明提出的水热合成方法以较少量的单一低廉的模板剂合成得到颗粒形貌良好、结晶度较高、低硅铝比的ZSM‑48分子筛，大大降低了模板剂成本，且所得分子筛硅铝比可调范围较大，在加氢异构化反应中有较好的应用前景
一种低硅铝 zsm 48 分子筛合成方法及其应用

[发明专利]一种超高纯均匀型硅溶胶的制备方法-CN202010686847.5有效
发明人：杨兴旺;郭建学;张倩 -专利权人：深圳市科玺化工有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C01B33/14 文献下载
摘要：缓缓加入定量光伏硅粉，得到硅溶胶种子溶液；将钾水玻璃用超纯水稀释至含二氧化硅质量分数为3～10%，过阴阳离子交换树脂，得到活性硅酸；在光伏硅粉中，加入超纯水，用搅拌机搅拌至均匀流体硅粉，待用；将硅溶胶种子溶液进行加热，将活性硅酸和流体硅粉用蠕动泵按先快后慢的速率交叉滴入硅溶胶种子溶液中，在反应过程中用蠕动泵按先快后慢的速率滴加催化剂，控制二氧化硅溶胶的pH值在11.50～12.50，反应时间8～40h，停止加热，反应结束
一种高纯均匀硅溶胶制备方法

[发明专利]有机硅改性三元乙丙橡胶及其制备方法-CN202111683306.8有效
发明人：李文康;杜常青;廖对军;赵灵芝 -专利权人：东莞市正安有机硅科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C08L83/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机硅改性三元乙丙橡胶及其制备方法，其中，有机硅改性三元乙丙橡胶的制备原料包括EPDM生胶50～100份、甲基乙烯基硅橡胶10～50份、铂催化剂0.01～0.2份、含氢硅油0.01～0.5本发明采用的技术方案中，有机硅改性三元乙丙橡胶的制备原料包括EPDM生胶、甲基乙烯基硅橡胶、铂催化剂和含氢硅油，含氢硅油在铂催化剂的作用下可通过硅氢加成反应而作为连接EPDM生胶和甲基乙烯基硅橡胶的桥梁
有机硅改性三元乙丙橡胶及其制备方法

[发明专利]一种基于定向耦合器的锗硅光电探测器-CN202210744171.X有效
发明人：董建文;田仲韬;周鑫;汤国靖;何辛涛;陈晓东 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于定向耦合器的锗硅光电探测器，包括锗吸收区、定向耦合器、第一锥形亚波长反射光栅、第二锥形亚波长反射光栅、硅平板及衬底；锗吸收区、定向耦合器、第一锥形亚波长反射光栅、第二锥形亚波长反射光栅及硅平板均集成在衬底上锗吸收区设置在定向耦合器第一输出端和第二输出端的两根波导内，第一锥形亚波长光栅和第二锥形亚波长反射光栅都和定向耦合器的输出端连接；第一锥形亚波长反射光栅和第二锥形亚波长反射光栅的间隙处都填充有二氧化硅介质；硅平板设置在所述的锗吸收区所在的波导区域与衬底之间
一种基于定向耦合器光电探测器

[发明专利]集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法-CN202210387745.2有效
发明人：王兵兵;陈雨璐;崔慧源;周宏;吴翼飞;刘文辉;王洋刚;董祚汝;陈栋;童武林;秦世宏;周扬州;徐方俊鹏;杨绪起;戴小宛;汪泽文;张传胜;王晓东;曹俊诚 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
集成多晶表面砷化镓基太赫兹探测器制作方法

[发明专利]耐高温无卤阻燃陶瓷化耐火有机硅泡沫材料及其制备方法-CN202211052837.1有效
发明人：黄浩;葛欣国;毛朝君;尹朝露;杜卫宁;张秉浩 -专利权人：应急管理部四川消防研究所
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温无卤阻燃陶瓷化耐火有机硅泡沫材料及其制备方法，涉及材料制备技术领域。本发明设计多级助熔陶瓷化体系，多级助熔陶瓷化体系在不同温度下开始熔融形成液相，液态的多级复合助熔剂可以与耐火填料以及有机硅泡沫分解产物发生反应，最终形成的有机硅泡沫热稳定性、阻燃抑烟性能显著提升，该有机硅泡沫用于封堵系统
耐高温阻燃陶瓷耐火有机硅泡沫材料及其制备方法

[发明专利]负极极片以及电化学装置-CN202310254661.6有效
发明人：程宝校 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：本申请公开了一种负极极片以及电化学装置，所述负极极片包括第一活性物质，所述第一活性物质包括硅基材料和壳层导电粘结剂，所述壳层导电粘结剂包覆在所述硅基材料的外表面，所述壳层导电粘结剂中含有第一碳纳米管和聚合物本申请通过在硅基材料的外表面包覆壳层导电粘结剂，且壳层导电粘结剂中的聚合物上接枝有碳纳米管，通过碳纳米管和聚合物的接枝连接以及聚合物和硅基材料的连接，利于提升电池的循环性能。
负极以及电化学装置

[发明专利]一种具有双层结构栅极的场效应晶体管及制备方法-CN202310443646.6有效
发明人：任杰;马治军;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种具有双层结构栅极的场效应晶体管及制备方法，包括：衬底、外延层、体区、源区、第一金属层、第二金属层；还包括第一栅氧化物层，形成于外延层上方并延伸至体区上方；第一多晶硅层，覆盖于第一栅氧化物层上方；第二栅氧化物层，覆盖于第一多晶硅层上方；第二多晶硅层，覆盖于第二栅氧化物层上方；隔离层，形成于第二多晶硅层上方。
一种具有双层结构栅极场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种基于半柔性印制电路板的显示驱动封装及其制作方法-CN202110983530.2有效
发明人：朱道田 -专利权人：江苏运鸿辉电子科技有限公司;苏州鸿微斯特电子科技有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半柔性印制电路板的显示驱动封装及其制作方法，包括背板、灯板和平整涂覆在灯板表面的有机硅密封剂，所述灯板为9‑12个Mini‑LED芯片串联成一个矩形发光区域，多个所述矩形发光区域进行并联形成灯板，所述Mini‑LED每个芯片上点涂覆盖有半球形有机硅密封剂。本发明有机硅密封剂的低挥发性在可靠性测试之前/之后提供了一致的光学透射率，可以保证背光板整体光学系统不受破坏，蓝光将均匀地由半柔性印制电路板射出，有机硅密封剂可以最大程度上排除与空气接触导致的不良，大大降低了不良率
一种基于柔性印制电路板显示驱动封装及其制作方法