专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种多功能量子膜及其制备方法-CN201710270818.9在审
  • 罗培栋;赵杨;付俊;樊华伟 - 宁波东旭成新材料科技有限公司
  • 2017-04-24 - 2017-08-25 - B32B7/12
  • 一种多功能量子膜,包括量子,分别设于量子两面的上、下阻隔层,设于上阻隔层上的棱镜,设于下阻隔层上的光扩散量子由树脂、单体、光引发剂、扩散粒子、红色量子、绿色量子组成;光扩散由有机高分子粒子和热固性树脂组成其制备方法包括如下步骤①.按照配比配置量子胶料;②.将红色量子和绿色量子加入配制好的量子胶料中;③.将步骤②配置好的胶水涂布在上阻隔层上,然后再将下阻隔层覆盖在胶水上得到中间膜;④.在中间膜的上阻隔层上涂布棱镜涂料,并且UV固化成棱镜结构;在中间膜的下阻隔层上涂布光扩散涂料,并固化成型。
  • 一种多功能量子及其制备方法
  • [发明专利]量子显示基板及其制作方法、显示装置-CN201910567183.8有效
  • 梅文海 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2019-06-27 - 2023-05-23 - H10K71/00
  • 本发明提供了一种量子显示基板的制作方法,量子显示基板包括多个间隔设置的像素区,多个像素区具有至少一种颜色;制作方法包括:在基底上形成载流子传输;分别在每种颜色的像素区中形成发射相应颜色光线的量子;在每种颜色的像素区中形成量子的步骤包括:在载流子传输上形成限定图形;限定图形将待形成量子的像素区露出、将其他区域覆盖;且限定图形与载流子传输被露出的部分的亲疏水性相反;涂覆量子溶液,量子溶液与载流子传输被露出的部分的亲疏水性相同;对量子溶液进行固化处理。本发明还提供一种量子显示基板和显示装置。本发明能够形成电致量子点发光结构,实现量子的图形化。
  • 量子显示及其制作方法显示装置
  • [发明专利]一种量子背光模组-CN201510274965.4在审
  • 程艳 - 武汉华星光电技术有限公司
  • 2015-05-26 - 2015-08-19 - G02F1/13357
  • 本发明公开了一种量子背光模组,该背光模组包括:光源;量子,其受光源发出的光激发后射出荧光;导光板,其用于将量子射出的荧光导向所需的方向,其中,量子设置于导光板的入光侧,在光源与量子之间设置有胶体,以使得光源与量子紧密结合,进而使得光源、量子和导光板组装为一体。本发明通过改变量子背光模组的结构,改变了光源进入导光板的光传导方式,从而减小了光能损失,提高了背光模组的发光效率。
  • 一种量子背光模组
  • [发明专利]一种多层量子膜及背光模组-CN201510762713.6在审
  • 周守发;王增敏;何晶晶;汪志松 - 合肥乐凯科技产业有限公司
  • 2015-11-10 - 2016-01-20 - G02B5/02
  • 本发明涉及一种多层量子膜及背光模组,包括量子核心和上水氧阻隔层,下水氧阻隔层,所述量子核心与上水氧阻隔层之间设有第一量子微胶囊量子核心与下水氧阻隔层之间设有第二量子微胶囊,第一量子微胶囊和第二量子微胶囊包括以下组份:基体胶粘剂,80重量份~110重量份,量子微胶囊,3重量份~41重量份,扩散粒子,1重量份~15重量份。本发明的多层量子膜发光效率稳定性好,高温高湿条件下测试,亮度与色域衰减小。
  • 一种多层量子背光模组
  • [发明专利]一种量子及其合成方法与应用-CN201811017169.2有效
  • 张超;李霞;张孟 - 宁波纳鼎新材料科技有限公司
  • 2018-08-31 - 2021-09-07 - C09K11/88
  • 本发明公开了一种量子及其合成方法。所述量子具有核壳结构,其中的核包括III‑V族量子,所述III‑V族量子上依次包覆有In2S3过渡和ZnS壳所述量子的合成方法,包括:提供作为核的III‑V族量子;于所述III‑V族量子上依次包覆In2S3过渡和ZnS本发明通过在量子核的包覆壳中加入硫化铟(In2S3)过渡,提高了壳晶格常数与带宽的匹配度,提高了与量子的能级匹配度,使得量子结构更加致密,从而提高了量子量子效率,提高了其光学性能和稳定性,降低了半峰宽。
  • 一种量子及其合成方法应用
  • [发明专利]量子膜与背光单元-CN201610828312.0在审
  • 康永印;杜向鹏;赵飞 - 纳晶科技股份有限公司
  • 2016-09-18 - 2017-01-04 - H01L33/56
  • 本申请提供了一种量子膜与背光单元。该量子膜包括量子和设置在量子相对两个侧面上的第一阻隔层和第二阻隔层,量子膜还包括至少一个牺牲,各牺牲设置在量子与第一阻隔层之间和/或量子与第二阻隔层之间,各牺牲包括主体树脂与分散在主体树脂中的吸收物牺牲中具有吸收物,该吸收物可以与氧和/或水发生物理反应或者化学反应,可以吸收水和/或氧,该牺牲与阻隔层协同作用,将水汽和氧气阻隔在量子之外,并且相对于只有阻隔层的量子膜,其寿命延长。
  • 量子背光单元
  • [发明专利]一种铟砷量子有源区结构及发光器件-CN201010186606.0无效
  • 黄黎蓉;费淑萍;田芃 - 华中科技大学
  • 2010-05-25 - 2010-11-17 - H01L33/30
  • 本发明涉及铟砷量子有源区结构,它包含n个铟砷量子(1),n≥1,n为自然数;每一个铟砷量子(1)中都自下而上依次外延生长In组分线性增加的InGaAs、InAs量子、In组分线性减小的InGaAs、盖层。本发明还涉及铟砷量子点发光器件,它是在镓砷衬底上由下至上依次外延生长镓砷缓冲、下包层、下限制波导、铟砷量子有源区结构、上限制波导、上包层、欧姆接触。本发明可以减小铟砷量子所承受的压应力、抑制量子点中的铟析出、减小量子有源区结构的积累应变、减小缺陷和位错,因此,铟砷量子及相应的发光器件具有较大的发光效率和发光强度。
  • 一种量子有源结构发光器件
  • [发明专利]半导体栅极电控量子及其制备方法-CN201910366140.3有效
  • 李海欧;胡睿梓;王柯;张鑫;罗刚;郭国平 - 中国科学技术大学
  • 2019-04-30 - 2021-07-09 - H01L29/778
  • 一种半导体栅极电控量子及其制备方法,结构包括:衬底(101);二氧化硅(102),其形成在衬底(101)上,二氧化硅(102)上形成有离子注入区域(200)和量子大电极(400),离子注入区域(200)制备有欧姆接触电极(300),二氧化硅(102)上制备有量子小电极(500),其中,量子大电极(400)与量子小电极(500)相连;绝缘(600),其形成在二氧化硅(102)上,只覆盖量子区域,其中,量子区域包括量子小电极(500)、量子大电极(400)的内部区域和离子注入区域(200)的内部区域。该半导体栅极电控量子只保留量子区域的氧化铝绝缘,解决了传统硅基半导体材料空穴型量子点中出现的本底电流问题。
  • 半导体栅极量子及其制备方法

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