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- [发明专利]包括菱形刀片和支撑座的组件以及菱形可翻转切削刀片-CN201680035189.5有效
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D.亨
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伊斯卡有限公司
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2016-05-24
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2019-09-13
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B23B27/16
- 切削刀片（22）的每一端面（26）具有相邻每一刀尖切削刃（36）的拐角邻接表面（38）、在横向平面（P2）的一个侧面上的至少一个内邻接表面（40a、40b）、以及在横向平面（P2）的相对侧面上的至少一个内邻接表面（40a、40b），并且每一拐角邻接表面（38）定位成比其相邻刀尖切削刃（36）更接近于中平面（M）。在切削刀片（22）在支撑座（24）上的每一转位位置中，仅一个拐角邻接表面（38）与支撑座（24）的多个凸出支撑构件（44a、44b、44c）中的一者（44a）操作性接触，并且仅定位在横向平面（P）的与操作性拐角邻接表面（38）相对的侧面上的至少一个内邻接表面（40a、40b）与至少一个剩余支撑构件（44b、44c）接触。
- 包括菱形刀片支撑组件以及翻转切削
- [发明专利]沟槽肖特基整流器-CN02811144.3有效
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石甫渊;苏根政
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通用半导体公司
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2002-05-31
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2004-08-11
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H01L29/47
- 肖特基整流器包括：(A)具有半导体区和漂移区的第一和第二相对表面的半导体区，该半导体区包括邻接第一表面(12A)的第一导电类型的阴极区(12C)和邻接第二表面的第一导电类型的漂移区(12D)，该漂移区具有比阴极区的掺杂浓度更低的净掺杂浓度；(B)从第二表面(12B)延伸进入半导体区并在半导体区中限定一个或多个台面的一个或多个沟槽；(C)绝缘区(16)，邻接沟槽下部中的半导体区；(D)以及阳极电极，其(I)邻接肖特基整流接触并与第二表面(12)处的半导体形成肖特基整流接触，(II)邻接肖特基整流接触并与沟槽上部之中的半导体区形成肖特基整流接触，并且(III)邻接沟槽下部之中的绝缘区(16)。
- 沟槽肖特基整流器
- [发明专利]呼吸辅助设备-CN201110092307.5无效
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乔治斯·鲍辛纳克
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乔治斯·鲍辛纳克
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2011-04-13
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2011-10-19
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A61M16/06
- 根据本发明，呼吸辅助设备包括限定内腔（3）的中空本体（2），所述中空本体配置有呼吸气体入口和出口；以及邻接构件（11），所述邻接构件旨在邻接患者的一个器官（9）并且由柔性膜（13）包裹，所述设备特征在于：膜（13）被插入到中空本体（2）的外表面（2E）上并且能够插入到邻接构件（11）与邻接构件所邻接的患者的器官（9）之间；以及中空本体（2）包括面向膜（13）的连通端口（14），以便使得呼吸气体（7）从腔（3）传送到在膜（13）与本体（2）的外表面（2E）之间形成的中间空间（E）中。
- 呼吸辅助设备
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