“黄德猛”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示终端-CN202211700674.3在审
发明人： 黄德猛;刘方梅;请求不公布姓名 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其制作方法、显示终端；显示面板包括基板、设置于基板上的遮光层、接触设置于遮光层背离基板的一侧的缓冲层、有源层，有源层包括沟道和位于沟道两端的接触部，一接触部与遮光层接触设置，至少部分沟道位于缓冲层的侧壁上，另一接触部位于缓冲层的上表面；本申请通过将缓冲层设置为包括侧壁，有源层的沟道与侧壁接触，位于沟道两端的接触部之一与遮光层直接接触，从而实现了接触部与遮光层的电连接，避免了在源漏极层与遮光层之间设置过孔，从而避免了过孔导致的器件尺寸增大的问题。
一种显示面板及其制作方法终端

[发明专利]阵列基板及显示面板-CN202210937699.9在审
发明人： 黄德猛 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板包括衬底；源极层，设于所述衬底上；缓冲层，设于所述源极层上，所述缓冲层具有至少一缓冲侧壁；漏极层，设于所述缓冲层上，所述漏极层具有至少一漏极侧壁；有源层，连接所述源极层和所述漏极层，且覆盖所述缓冲侧壁和所述漏极侧壁；其中所述缓冲侧壁倾斜设置于所述源极层上、和/或所述漏极侧壁倾斜设置于所述缓冲层上。通过设置缓冲侧壁倾斜于源极层上，或漏极侧壁倾斜于缓冲层上，使得有源层不需要沿着垂直面沉积，能够提高有源层对漏极侧壁和缓冲侧壁的覆盖有效率，保证沉积的有源层厚度均匀，不易断裂，避免出现短路的问题。
阵列显示面板

[发明专利]一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置-CN202110231946.9在审
发明人：陈晓妮;晏国文;陈明;黄德猛 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置，薄膜晶体管包括基板；半导体层，叠置于基板；第一导电层，叠置于半导体层；第二导电层，叠置于半导体层，第二导电层与第一导电层之间具有间隙，以使第一导电层和第二导电层绝缘；绝缘层，叠置于半导体层；栅极，叠置于绝缘层；漏极，与第一导电层电连接；源极，与第二导电层电连接。通过在半导体层形成第一导电层和第二导电层，漏极和第一导电层电连接，源极和第二导电层电连接，则不需要将半导体层进行导体化处理，因此，不存在漏区和源区向中间的半导体区扩散的现象，在不对栅极施加电压的情况下，第一导电层和第二导电层不会导通，本申请提供的薄膜晶体管的电学特性好，且使用寿命长。
一种薄膜晶体管显示面板以及显示装置

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN202110080235.6在审
发明人： 黄德猛 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明实施例涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法，对于该薄膜晶体管，使得第一有源层可以受到第二有源层的保护，在蚀刻漏源层时，不会对第一有源层造成结构缺陷。从而，当第一栅极电极施加正电压时，载流子向第一有源层靠近第一栅极介电层的表面偏移，不受捕获，能够形成稳定的载流子运输通道(第一导电沟道)，有益于提高开启电流，减少亚阈值摆幅。此外，基于第二有源层的费米能级高于第一有源层的费米能级，从而，当薄膜晶体管连通导电时，电子将会从费米能级高的第二有源层漂移到费米能级低的第一有源层，从而，更多的电子在第一导电沟道参与导电，能进一步有效提高薄膜晶体管的开启电流。
一种薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种GaN基LED芯片的外延生长方法-CN201680049257.3在审
发明人： 黄德猛 -专利权人：深圳市柔宇科技有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种GaN基LED芯片的外延生长方法，包括以下步骤：制备GaN薄膜；对所述GaN薄膜进行原位SiNx处理；以及在处理后的所述GaN薄膜上生长InGaN/GaN量子阱。在生长InGaN/GaN量子阱之前对GaN薄膜作原位SiNx处理，通过Ga表面活性剂作用和Si_Ga原子替位，使量子阱的层状结构生长得到促进，内应力得到释放，晶体质量提高，量子阱内电子空穴波函数交叠增加，发光得到大幅增强。
量子阱外延生长生长表面活性剂层状结构电子空穴波函数交叠制备发光释放