专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]读取器不稳定检测和恢复-CN202111202028.X在审
  • 许程旭;伍琳琳;林江海;蔡镇浩;苗学毅;叶芝 - 希捷科技有限公司
  • 2021-10-15 - 2022-04-22 - G11B5/455
  • 本申请公开了读取器不稳定检测和恢复。一种方法包含在读取传感器在数据存储介质上的第一磁道上进行第一读取操作期间检测读取错误。所述方法还包含在检测到所述读取错误之后,由所述读取传感器在所述第一磁道上执行第二读取操作,针对所述第二读取操作进行误码值(BEV)测量,并且根据所述BEV测量确定所述读取传感器是否产生边际BEV,所述边际响应于确定所述读取传感器产生所述边际BEV,由所述读取传感器在所述第一磁道上进行第三读取操作,并且针对所述第三读取操作执行BEV测量。当来自所述第二读取操作和所述第三读取操作的所述BEV测量满足至少一个预定读取传感器不稳定准则时,推断所述读取传感器不稳定。
  • 读取器不稳定检测恢复
  • [发明专利]减少概率性数据完整性扫描冲突-CN202111430377.7在审
  • S·谢里菲·德黑兰尼 - 美光科技公司
  • 2021-11-29 - 2022-06-10 - G06F3/06
  • 示例性方法、设备和系统包含接收读取操作。所述读取操作被划分成读取操作序列的当前组和读取操作序列的一或多个其它组。从所述当前组中选择攻击者读取操作。存储由所述攻击者读取操作读取的存储器位置的标识符,并且响应于确定所述攻击者读取操作的受害者位置的数据完整性扫描将与主机操作发生冲突,延迟所述数据完整性扫描。响应于满足触发条件,执行所述攻击者读取操作的所述受害者位置的经延迟的数据完整性扫描。
  • 减少概率数据完整性扫描冲突
  • [发明专利]存储器管理方法以及存储控制器-CN201810876374.8有效
  • 萧又华;柯勤彦;刘笠勋 - 深圳大心电子科技有限公司
  • 2018-08-03 - 2023-09-05 - G06F3/06
  • 所述方法包括对目标区块串执行读取重试操作,并且识别所述目标区块串的读取重试记录表;根据读取重试记录表中的一或多个第一读取重试索引值的读取重试权重值从一或多个第一读取重试索引值中选择一目标读取重试索引值:使用对应所述目标读取重试索引值的目标读取重试选项来对所述目标区块串执行读取操作;反应于判定所述读取操作成功,判定所述读取重试操作完成,并且根据所述目标读取重试索引值来更新所述读取重试记录表;以及根据最新的所述读取重试记录表来判断是否对所述目标区块串执行耗损平均操作
  • 存储器管理方法以及存储控制器
  • [发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201910602119.9在审
  • 金永东 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-07-05 - 2020-02-21 - G11C16/26
  • 本发明涉及一种存储器系统的操作方法,包括:使用包括第一读取电压的读取电压组,对与读取命令相对应的字线执行第一读取操作;根据对通过第一读取操作读取的数据的错误校正是否失败,使用大于第一读取电压的第二读取电压对字线执行第二读取操作;并且根据作为第二读取操作的结果,该字线是否被确定为擦除字线,将包括与该字线联接的存储器单元的存储块确定为关闭存储块。
  • 存储器系统及其操作方法
  • [发明专利]控制器及其操作方法-CN202110414427.6在审
  • 金壮燮 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-04-16 - 2022-01-14 - G11C16/26
  • 本公开涉及一种用于控制存储器装置的控制器,该存储器装置包括多个多层单元存储块,该控制器包括:处理器,适用于控制存储器装置使用所选择的读取电压组中的多个读取电压中的一些读取电压来对目标逻辑页面执行读取操作;以及错误校正码(ECC)组件,适用于通过对在读取操作中生成的并从存储器装置输出的数据执行错误检测和校正,确定读取操作是否成功,其中,当确定读取操作成功时,处理器利用读取操作成功时在该读取操作中已使用的读取电压以及所选择的读取电压组的未使用的读取电压的估计值来更新所选择的读取电压组,该估计值基于已使用的读取电压而确定。
  • 控制器及其操作方法
  • [发明专利]显示操作装置以及采用了该显示操作装置的图像处理装置-CN201110195773.6有效
  • 谷健;福本哲夫 - 夏普株式会社
  • 2011-07-08 - 2012-01-11 - G06F3/048
  • 一种显示操作装置以及图像处理装置。显示操作装置包含显示一体型操作面板、第1UI部件显示装置、读取起动装置、第2UI部件显示装置、读取处理停止装置,第1UI部件显示装置显示读取开始键(600),读取起动装置响应于用户对读取开始键(600)进行的操作来起动原稿的读取处理,第2UI部件显示装置响应于原稿读取处理的起动以便显示读取中止键(610)来代替读取开始键(600),读取处理停止装置响应于用户对读取中止键(610)进行的操作来停止读取处理的执行若读取完成则显示追加读取键(612)来代替读取中止键(610)。读取中止键(610)的背景色是与读取开始键(600)的背景色完全不同的颜色,追加读取键(612)的背景色是与读取开始键(600)的背景色类似的颜色。
  • 显示操作装置以及采用图像处理
  • [发明专利]符号读取装置及控制方法、计算机可读存储介质、设备-CN201910125922.8有效
  • 内藤英浩 - 东芝泰格有限公司
  • 2019-02-20 - 2021-09-28 - G07G1/14
  • 本发明公开了一种符号读取装置及控制方法,计算机可读存储介质、设备,该装置包括:读取部,读取附在商品上的、指定商品的符号;操作判断部,对用于开始通过读取部进行的符号的读取操作部是否已被操作进行判断;第一可读取部,在判断出操作部已被操作时,在已设定的第一规定时间内,使读取部能够读取符号;第二可读取部,在第一规定时间内读取部已读取符号时,在已设定的第二规定时间内,使读取部能够读取符号;销售登记处理部,基于在第一规定时间内或第二规定时间内读取到的符号,对该商品进行销售登记处理;以及读取结束部,在第一规定时间内或第二规定时间内读取部未读取到符号时,结束通过读取部进行的符号的读取
  • 符号读取装置控制方法计算机可读存储介质设备
  • [发明专利]控制器及其操作方法-CN202110045869.8在审
  • 尹相皓;姜淳荣;金大成 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-01-14 - 2021-10-22 - G11C16/26
  • 本公开涉及一种控制存储器装置的控制器,该控制器包括:处理器,适于控制存储器装置通过使用第一软读取电压来执行第一软读取操作;以及错误校正码(ECC)编解码器,适于基于通过第一软读取操作获得的第一软读取数据来执行第一软判决解码操作,其中根据第一软判决解码操作是否失败,处理器控制存储器装置利用第二软读取电压的附加读取电压来执行第二软读取操作,该第二软读取电压的附加读取电压不同于第一软读取电压中的任意一个且基于第一软读取数据而确定,并且其中ECC编解码器基于第一软读取数据和通过第二软读取操作获得的第二软读取数据来执行第二软判决解码操作
  • 控制器及其操作方法
  • [发明专利]容灾异常处理方法、系统、计算机设备和存储介质-CN202211076993.1在审
  • 胡成祥 - 苏州浪潮智能科技有限公司
  • 2022-09-05 - 2022-12-09 - G06F11/10
  • 本申请涉及一种容灾异常处理方法、系统、计算机设备和存储介质,方法包括:主机执行对主卷的数据读取操作,待主机对主卷的数据读取操作出现数据块读取失败时执行磁盘阵列的镜像操作或者校验操作;待磁盘阵列的镜像操作或者校验操作失败时,从主卷上获取读取失败的数据块,并根据读取失败的数据块确定辅卷上相应的待读取数据块;主卷向辅卷发送对待读取数据块的数据读取指令,通过数据读取指令确定待读取数据块对应的辅卷;将待读取数据块对应的辅卷的修正状态配置为允许可读状态,以获取主卷对辅卷的临时读取权限;对处于允许可读状态的辅卷执行对待读取数据块的数据读取操作,提高了自修复功能,进一步提高了容灾异常处理能力。
  • 异常处理方法系统计算机设备存储介质
  • [发明专利]用于多级单元的非易失性存储器的加速软读取-CN201310289856.0有效
  • 陈振岗;钟浩 - LSI公司
  • 2013-07-11 - 2018-11-02 - G11C16/26
  • 本公开涉及用于多级单元的非易失性存储器的加速软读取。存储器件包括包含多级存储单元的存储器阵列,以及与存储器阵列耦接的控制电路。控制电路被配置成对存储器阵列的至少一部分执行加速软读取操作。针对存储器阵列的非上页的加速软读取操作中的给定的加速软读取操作包括针对存储器阵列的对应上页的至少一个硬读取操作。例如,该给定的加速软读取操作可以包括多个硬读取操作的序列,包括针对非上页的硬读取操作以及针对对应上页的一个或更多个硬读取操作
  • 用于多级单元非易失性存储器加速读取
  • [发明专利]半导体存储器-CN03104113.2有效
  • 柳下良昌;内田敏也;阪東能英;小林広之;山口秀策;奥田正樹 - 富士通株式会社
  • 2003-02-13 - 2004-01-14 - H01L27/108
  • 多个存储块被分配相同的地址空间,以在其中写入相同的数据,并且可相互独立地操作。响应一个刷新命令,一个存储块被选择为执行刷新操作的刷新块,而响应读取命令,另一个存储块被选择为执行读取操作读取块。然后,多个存储块以不同的时序执行读取操作,从而读取操作相互重叠。因此,该半导体存储器可以在比单个读取操作的执行时间更短的时间间隔接收读取命令。结果,可以高速地响应外部提供的读取命令,并且可以提高在读取操作过程中的数据传输速率。
  • 半导体存储器

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