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[发明专利]一种聚酰亚胺薄膜的制作方法-CN201110206823.6无效
发明人：钱丽勋;韩阶平;李卓;吴峰霞 -专利权人：北京金盛微纳科技有限公司;北京理工大学
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，该方法采用旋涂法形成PI型聚酰亚胺薄膜，并利用腐蚀法剥离该层薄膜，该技术操作步骤包括：衬底清洗，腐蚀层的制作PI型薄膜层旋涂，PI型薄膜层热处理和PI型聚酰亚胺层薄膜腐蚀剥离等；衬底一般采用抛光的硅片，依次利用超声波、丙酮、乙醇和去离子水彻底清洗；腐蚀层是对应于腐蚀液的某种材料，利用化学气象沉积或溅射等方法制作在衬底的抛光面上；PI薄膜层的制作利用甩胶机完成，PI型薄膜层的厚度与PI型原胶的浓度、甩胶机转速、旋涂时间以及热处理参数有关；PI型薄膜层的热处理参数由薄膜用途决定；PI型薄膜层剥离使用与腐蚀层对应的腐蚀液完成。本技术可以实现衬底与PI型薄膜层的完整分离，加工工艺简单，制作成本低。
一种聚酰亚胺薄膜制作方法

[实用新型]一种耐腐蚀改性高分子塑料薄膜-CN202121654938.7有效
发明人：钱永兴 -专利权人：浙江兴士烨新材料科技有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B32B3/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及塑料薄膜技术领域，且公开了一种耐腐蚀改性高分子塑料薄膜，包括塑料薄膜，所述塑料薄膜的内部安装有聚苯乙烯，所述塑料薄膜的外壁两侧均安装有防腐蚀层，所述防腐蚀层的外壁安装有油脂层，所述油脂层的外壁安装有防静电层，所述防静电层的外壁安装有折叠线，所述塑料薄膜的外壁一侧安装有拼接条，所述塑料薄膜的外壁另一侧安装有储胶条，所述储胶条的内部设有胶水。该耐腐蚀改性高分子塑料薄膜，通过防腐蚀层的设置，在使用时将防腐蚀层安装到塑料薄膜外壁，可以对塑料薄膜起到有效的防腐蚀作用，塑料薄膜对食物进行包装，防腐蚀可以避免起对食物的污染，便于防腐可以有效的增加起使用效果
一种腐蚀改性高分子塑料薄膜

[发明专利]大气环境污染物腐蚀监测传感器-CN201210135695.5无效
发明人：李辛庚;王晓明;王宏;闫风洁;胡新芳;王学刚;樊志彬 -专利权人：山东电力研究院
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大气环境中污染物的腐蚀监测传感器，包括：消耗金属薄膜线，薄膜基板，受测元件。传感器的消耗金属薄膜线由高纯铜、银、锌、铝、铁等金属制成腐蚀裕量不同的n条平行薄膜导线结构，每条消耗金属薄膜线与一颗受测元件（电容或电阻）串联。大气环境中的液态、固态或气态侵蚀介质腐蚀消耗金属薄膜线，但是不同腐蚀裕量的金属线的消耗时间不同，金属线由薄到厚依次腐蚀后断路。因此，后端测量系统所测得的受测元件的物理数值也随之变化。根据消耗金属薄膜线腐蚀速率与环境腐蚀因素的经验关系可以对空气中的污染物腐蚀等级进行评价。
大气环境污染物腐蚀监测传感器

[实用新型]大气环境污染物腐蚀监测传感器-CN201220196861.8有效
发明人：李辛庚;王晓明;王宏;闫风洁;胡新芳;王学刚;樊志彬 -专利权人：山东电力研究院
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于大气环境中污染物的腐蚀监测传感器，包括：消耗金属薄膜线，薄膜基板，受测元件。传感器的消耗金属薄膜线由高纯铜、银、锌、铝、铁等金属制成腐蚀裕量不同的n条平行薄膜导线结构，每条消耗金属薄膜线与一颗受测元件（电容或电阻）串联。大气环境中的液态、固态或气态侵蚀介质腐蚀消耗金属薄膜线，但是不同腐蚀裕量的金属线的消耗时间不同，金属线由薄到厚依次腐蚀后断路。因此，后端测量系统所测得的受测元件的物理数值也随之变化。根据消耗金属薄膜线腐蚀速率与环境腐蚀因素的经验关系可以对空气中的污染物腐蚀等级进行评价。
大气环境污染物腐蚀监测传感器

[发明专利]降低湿法腐蚀后薄膜侧面接触角的方法-CN200910057388.8无效
发明人：陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-08 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低湿法腐蚀后薄膜侧面接触角的方法，其在进行湿法腐蚀之前，先用离子束对薄膜表面进行轰击以在薄膜表面形成一损伤层，而后进行常规的湿法腐蚀。采用本发明的方法，通过湿法腐蚀液沿损伤层渗透，增强侧面的腐蚀速度，从而使湿法腐蚀后薄膜和衬底之间的接触角变小。
降低湿法腐蚀薄膜侧面接触角方法

[发明专利]用于成型、填充、密封柔性包装袋的系统-CN97199977.5有效
发明人： A·斯卡迪 -专利权人：巴克斯特生物技术公司
申请日： 1997-11-18 - 公布日： 1999-12-15 - 主分类号： B65B55/02 文献下载
摘要：在系统中，成型、填充、密封(FFS)柔性包装袋，其基本上按照美国专利US－4656813(相应的欧洲专利EP－142758)所述的内容，该系统包括当薄膜从供给料卷展开时，在薄膜上进行全印刷；干燥清洗；平衡对准经过印刷和清洗的折叠薄膜；加热杆焊接经过折叠的薄膜；通过编码控制焊接阀门；对阀门腔体进行加湿处理；由编码控制的加热装置成型包装袋；高精度按计量填充液体。
用于成型填充密封柔性装袋系统

[发明专利]PVDF压电薄膜敏感元件的转印腐蚀制备方法-CN202111420016.4在审
发明人：龚文强;王选择 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L41/332 文献下载
摘要：本发明涉及PVDF压电薄膜敏感元件制备技术领域，具体为PVDF压电薄膜敏感元件的转印腐蚀制备方法。作为对PVDF压电薄膜掩模腐蚀法的改进，本发明公开的转印腐蚀方法以定制转印膜中的印刷层作为化学腐蚀过程中的掩模，以转印膜转印方式实现掩模精确定位。本发明公开的转印腐蚀方法解除原有掩模腐蚀法对PVDF压电薄膜敏感元件有效面形状、尺寸设计的限制，使设计自由度得到显著提升。掩膜与PVDF压电薄膜之间均匀、牢靠粘贴且精准定位，使PVDF压电薄膜敏感元件有效面形状、尺寸精度要求得到保证。本发明公开的转印腐蚀方法有利于PVDF压电薄膜掩模腐蚀过程的标准化。应用该方法，在普通实验室条件下即能有效提升PVDF压电薄膜敏感元件成品质量，提高工作效率，促进PVDF压电薄膜传感器相关的研究工作。
pvdf 压电薄膜敏感元件腐蚀制备方法

[发明专利]一种测量硅片上多层膜应力的方法-CN200410065789.5有效
发明人：聂萌;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：一种测量硅片上多层膜应力的方法，该测量方法为：依次腐蚀掉硅片背面的各层薄膜，通过激光干涉仪或者表面轮廓仪测出由硅片和正面薄膜层及剩余背面薄膜层所构成复合结构挠曲的曲率半径，再由应力关系式（见上式）得到各层薄膜的应力，使之满足硅片正反两面都有薄膜的情况，基于背面腐蚀的多层膜应力测试方法，可以简化测量过程，减少腐蚀工序，仅需要依次腐蚀硅片背面的各层薄膜，用激光全场测量法测出相应的曲率半径，无须腐蚀基片正面有用层，就可以提取各层薄膜的应力该方法解决了传统的测量硅片上多层膜应力的方法中需要很多腐蚀工序，并且在完成参数提取后，片上的薄膜层已被腐蚀掉，需要重新生长薄膜。
一种测量硅片多层应力方法

[发明专利]组合材料芯片应力腐蚀敏感性的快速检测方法-CN201710108626.8在审
发明人：高克玮;杨杨;庞晓露;乔利杰;宿彦京 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种组合材料芯片应力腐蚀敏感性的快速检测方法，制备不同成分的薄膜，将所有薄膜一端用夹头固定后，浸入腐蚀溶液中，随着浸泡时间的延长，不同成分薄膜的挠度不同，从而根据Stoney法可以评价每种成分薄膜的应力腐蚀敏感性强弱本发明使用组合材料芯片技术制备薄膜材料的数量可以达到上千种，能够满足薄膜材料的应力腐蚀敏感性的高通量快速检测；可以直接通过观察挠度就可以比较薄膜的应力腐蚀敏感性，操作简单，易于观察。
组合材料芯片应力腐蚀敏感性快速检测方法

[发明专利]一种非极性GaN薄膜缺陷密度的测试方法-CN201610937830.6在审
发明人：李国强;杨为家;李春林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种非极性GaN薄膜缺陷密度的测试方法，其特征在于，包括以下步骤(1)采用饱和KOH溶液腐蚀非极性GaN薄膜，腐蚀时间为2～20min；(2)清洗腐蚀后的非极性GaN薄膜；(3)对清洗后的非极性GaN薄膜进行SEM或者AFM测试，测定非极性GaN薄膜的腐蚀坑数量或三棱柱缺陷的数量；(4)计算薄膜缺陷密度穿透位错密度的计算穿透位错密度＝腐蚀坑数量/非极性GaN薄膜总面积；堆垛层错密度的计算堆垛层错密度＝三棱柱总数/非极性GaN薄膜上垂直于棱柱高度方向的直线长度。本发明的方法简单，结果准确可靠；根据不同的腐蚀时间，可以计算薄膜不同厚度处的缺陷密度。
一种极性 gan 薄膜缺陷密度测试方法

[发明专利]采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法-CN200510011989.7无效
发明人：石莎莉;陈大鹏;欧毅;谢常青;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法，其工艺步骤如下：1.在<100>硅基片上淀积氮化硅薄膜；2.表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀部分深度氮化硅薄膜，形成倒梯形窗口；3.表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀氮化硅薄膜，去胶；4.腐蚀硅衬底，形成倒梯形腐蚀坑及突点；5.表面淀积二氧化硅薄膜牺牲层；6.光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀二氧化硅薄膜孔，去铬，清洗处理表面；7.表面淀积氮化硅薄膜；8.表面淀积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜腐蚀槽；9.腐蚀释放二氧化硅薄膜牺牲层；10.表面淀积氮化硅薄膜，密封腐蚀槽。
采用基于衬底制作释放牺牲方法

[发明专利]腐蚀环境监测装置和方法-CN202180030212.2在审
发明人：南谷林太郎 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2021-02-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种腐蚀环境监测装置和方法，其抑制环境的腐蚀性在监测初始的测量精度降低，在整个监测期间中，即使是腐蚀性非常严重的环境，也长期高精度且连续地测量环境的腐蚀性。本发明的腐蚀环境监测装置的特征在于，具有：层叠体，其具有绝缘板、在绝缘板上形成的难以被腐蚀性物质腐蚀的基底金属薄膜、和在基底金属薄膜上形成的易于被腐蚀性物质腐蚀的传感金属薄膜；和壳体，其内包层叠体，在侧面方向具有开口部，在内部形成上述腐蚀性物质的气体通路，其中，传感金属薄膜形成于基底金属薄膜上的一部分区域。
腐蚀环境监测装置方法

[发明专利]一种从薄膜复合材料中分离出薄膜的方法-CN201310227875.0有效
发明人：朱远志;李丙亮 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C23F1/28 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种从薄膜复合材料中分离出薄膜的方法。其技术方案是：先将薄膜复合材料的一个平面用密封胶密封，再将另一平面用砂纸打磨至露出基体平面，得到待分离的薄膜复合材料；然后在室温条件下，将待分离的薄膜复合材料浸入腐蚀液中进行腐蚀，每隔20~30分钟用酒精冲洗，继续进行腐蚀，重复此操作，直至基体被腐蚀液完全腐蚀溶解露出整个薄膜为止；再取出薄膜，清洗，即从薄膜复合材料中分离出薄膜。其中：薄膜复合材料的基体材料为不锈钢薄板，表面薄膜为高温氧化生成的氧化膜；密封胶是耐酸性的环氧树脂AB胶；腐蚀液是浓度为30~90%的盐酸溶液。本发明具有能缩短分离薄膜时间、分离过程简单、便于观测、易于操作和成本低的特点。
一种薄膜复合材料分离方法

[发明专利]采用基于硅衬底突点制作及释放牺牲层的方法-CN200510127446.1有效
发明人：石莎莉;陈大鹏;欧毅;谢常青;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：其工艺步骤如下：1.在<100>硅基片上淀积SiN_x薄膜；2.光刻，刻蚀SiN_x薄膜，形成腐蚀窗口，去胶；3.腐蚀硅衬底，形成硅突点；4.表面淀积SiO₂薄膜牺牲层；5.光刻，打底胶，表面淀积铬薄膜，剥离，刻蚀SiO₂薄膜孔，去铬，清洗处理表面；6.表面淀积SiN_x薄膜；7.积铬薄膜，光刻，去铬，刻蚀SiN_x薄膜和SiO₂薄膜腐蚀槽；8.腐蚀释放SiO₂薄膜牺牲层；9.表面淀积SiN_x薄膜，密封腐蚀槽。
采用基于衬底制作释放牺牲方法

[发明专利]药用薄膜成型设备、成型设备控制方法及薄膜成型方法-CN202110330832.X有效
发明人：刘海利;熊伟弘;全丹毅 -专利权人：江苏集萃新型药物制剂技术研究所有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B29C48/00 文献下载
摘要：本专利提供了一种大面积粘弹性材料薄膜的精密成型设备及方法，该薄膜成型设备包括机架、混合挤出装置、动床、垫块、压板、辊压装置以及控制系统。通过将薄膜材料挤出到动床上，控制辊压装置对薄膜材料进行均匀分布和预压，控制压板移动到垫块上将薄膜材料均匀按压至预设厚度。本专利提供的薄膜成型设备、薄膜成型设备控制方法以及薄膜成型方法能够满足医药行业对大面积粘弹性材料薄膜精密成型的需求，可以快速且均匀地成型薄膜，并且能够在保证薄膜厚度精度的前提下实现连续化生产，降低了操作人员的劳动强度
药用薄膜成型设备控制方法