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[发明专利]采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法-CN200910199624.X有效
发明人：王曦;魏星;王湘;李显元;张苗;林成鲁 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底以及一键合衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层，所述键合衬底表面具有自停止层，所述自停止层表面具有薄膜半导体层；以薄膜半导体层和绝缘层的暴露表面为键合面将支撑衬底与键合衬底键合；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀键合衬底的第一腐蚀液，将键合衬底腐蚀除去；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀自停止层的第二腐蚀液，将自停止层腐蚀除去。本发明的优点在于，采用旋转腐蚀工艺腐蚀支撑衬底和自停止层，可以避免腐蚀液浸入到自停止层和薄膜半导体层而对薄膜半导体层和绝缘层进行腐蚀，因此能够保证最终产品结构的完整性。
采用腐蚀工艺形成带有绝缘衬底方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN00103559.2无效
发明人：祐川光成 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2000-03-24 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：形成接触孔208以露出半导体衬底201上的腐蚀停止膜205；去除该露出的腐蚀停止膜205；填充接触孔208以形成接触栓塞210；去除层间绝缘膜206上淀积的膜209，露出接触栓塞210；腐蚀层间绝缘膜206并去除腐蚀停止膜205；形成层间绝缘膜211；腐蚀层间绝缘膜211和栅电极203的绝缘膜204，形成接触孔213；去除扩散层231上露出的腐蚀停止膜205；填充接触孔
制造半导体器件方法

[发明专利]金属布线结构的制作方法-CN200610119049.4有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：金属布线结构的制作方法，包括：提供具有隔离结构和位于隔离结构之间的有源区，并且隔离结构上具有腐蚀阻挡层，有源区上具有绝缘隔离层的半导体基体；在半导体基体上依次形成第一刻蚀停止层、第二刻蚀停止层、层间介电层；在层间介电层上形成光刻胶图案；以光刻胶为掩膜刻蚀层间介电层，停止于第二刻蚀停止层；刻蚀第二刻蚀停止层，直至完全去除第二刻蚀停止层；以光刻胶为掩膜，选用对第一刻蚀停止层和腐蚀阻挡层的刻蚀速率选择比大于1，并且对绝缘隔离层和腐蚀阻挡层的刻蚀速率选择比大于1的刻蚀试剂，刻蚀第一刻蚀停止层以及腐蚀阻挡层和绝缘隔离层，直至完全去除有源区上的绝缘隔离层，去除光刻胶层。
金属布线结构制作方法

[发明专利]在半导体器件中形成自对准接触的方法-CN98125611.2无效
发明人：赵昶贤;郑弘植;李宰求;姜昌珍;郑相燮;郑澈;郑灿旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-12-18 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件中的自对准接触焊盘及其形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上和一个晶体管上形成腐蚀停止层；在腐蚀停止层上形成具有平整上表面的层间介质层；在层间介质层上形成具有T形开口区的掩模图形，以暴露所说有源区和部分无源区；腐蚀所说层间介质层和腐蚀停止层，形成自对准接触开口；去掉掩模图形；在自对准接触开口中和层间介质层上形成导电层；平面化腐蚀导电层和层间介质层，从而至少形成两个接触焊盘。
半导体器件形成对准接触方法

[发明专利]一种绝缘体上硅的制备方法-CN202211378498.6在审
发明人：魏星;汪子文;戴荣旺 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘体上硅的制备方法，在p型掺杂单晶硅外延衬底上形成自下而上叠置的本征硅第一腐蚀停止层、锗硅合金第二腐蚀停止层及硅器件层，经氧化、键合、加固及研磨处理后，进行选择性腐蚀，通过p+/本征硅的选择性腐蚀，将位于锗硅合金第二腐蚀停止层上的本征硅第一腐蚀停止层的厚度偏差控制在100nm以内，继而通过第二次腐蚀以及第三次腐蚀，可将最终制备的绝缘体上硅薄膜的厚度偏差优化到小于5nm，表面粗糙度小于
一种绝缘体制备方法

[发明专利]一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法-CN200910053505.3无效
发明人：魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，包括如下步骤：提供键合衬底，所述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层；提供第二半导体支撑衬底；在第一半导体层或者第二半导体支撑衬底表面形成绝缘埋层，或者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底的表面均形成绝缘埋层；将第二半导体支撑衬底与键合衬底键合；采用选择性腐蚀工艺除去剥离层和腐蚀停止层。本发明的优点在于，利用带有腐蚀停止层的多层结构键合衬底同支撑衬底相键合，以获得混合晶向衬底；由于采用了腐蚀停止层控制减薄工艺，因此该混合晶向衬底顶层半导体厚度均匀。
一种具有绝缘半导体衬底制备方法

[发明专利]多孔低K介质互连结构-CN02820436.0有效
发明人：安·R·福尔诺夫;杰弗里·C·海德里克;李康旭;凯利·马罗尼;克里斯蒂·S·迪伯格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2002-12-13 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明在衬底上提供了一种电互连结构，它包括具有从中已经清除了成孔源的表面区的第一多孔介电层；以及排列在第一多孔介电层上的腐蚀停止层，致使腐蚀停止层延伸，以便部分地填充从中已经清除了成孔源的第一多孔介电层表面区中的孔另一种结构包含衬底；排列在衬底上的多个多孔介电层；排列在第一介电层与第二介电层之间的腐蚀停止层；以及排列在至少一个多孔介电层与腐蚀停止层之间的至少一个薄的韧性非多孔介电层。还提供了制作这些结构的方法。
多孔介质互连结构

[发明专利]一种绝缘体上硅结构及其形成方法-CN202211374642.9在审
发明人：魏星;汪子文;戴荣旺;陈猛;徐洪涛 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘体上硅结构及其形成方法，绝缘体上硅结构的形成方法，通过活化处理增加键合工艺时的常温键合强度，降低了后续加固工艺所需的温度，从而降低了所述腐蚀停止层中的异质组分热扩散，保证了所述腐蚀停止层与器件层之间的界面清晰，进而避免了所述器件层在后续去除腐蚀停止层之后所述器件层的厚度均匀性恶化；还通过两次选择性腐蚀工艺控制腐蚀后器件层的均匀性，使得最终得到的绝缘体上硅结构的器件层的厚度均匀性小于10％；还通过牺牲氧化层的形成和去除使得器件层的表面没有高频腐蚀起伏的多孔形貌存在
一种绝缘体结构及其形成方法

[发明专利]一种高速激光器芯片结构及其制作方法-CN201610478194.5有效
发明人：罗飚;刘应军;汤宝;王任凡 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：其中所述高速激光器芯片包括腐蚀停止层(3)，在所述腐蚀停止层(3)上设置有电流注入区，其中，所述腐蚀停止层(3)为N型半导体材料构成；所述电流注入区的第一指定区域设置有P型上电极(14)，所述腐蚀停止层(3)的第二指定区域设置有N型上电极(15)；所述腐蚀停止层(3)的底部设置有衬底(0)。
一种高速激光器芯片结构及其制作方法

[发明专利]微机电器件的制造方法、微机电器件及微机电器件基底结构-CN201611052329.8在审
发明人：宋焱;韩冬;马清杰 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机电器件的制造方法、微机电器件及微机电器件基底结构，该微机电器件的制造方法包括如下步骤S1提供微机电器件基底结构，该微机电器件基底结构包括具有上表面和下表面的衬底，设置在所述衬底的上表面的至少一层停止层及设置在最上层的停止层上的器件层，其中，所述衬底与最靠近所述衬底的一层的停止层为不同材料；S2首先干法刻蚀衬底，然后湿法腐蚀停止层。由于微机电器件的制造方法在干法刻蚀衬底时，先停留在停止层上，然后，再采用湿法腐蚀工艺腐蚀停止层，从而可在干法刻蚀时，通过停止层增强器件层的强度，避免器件层破损，进而提高成品率，同时又能够满足小尺寸器件制造
微机器件制造方法基底结构

[发明专利]光栅激光器及制备方法-CN202210876197.X在审
发明人：李振宇;剌晓波;梁松 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种光栅激光器及制备方法，该光栅激光器包括：InP衬底；InP缓冲层，形成于InP衬底的一侧；下限制层，形成于InP缓冲层上；多量子阱层，形成于下限制层上；上限制层，形成于多量子阱层上；InP间隔层，形成于上限制层上；刻蚀停止层，形成于InP间隔层上；三个间隔设置的腐蚀层，每个腐蚀层包括：InP层，形成于刻蚀停止层上；InGaAs层，形成于InP层上；其中，三个腐蚀层沿着预设方向延伸，相邻的两个腐蚀层与两个腐蚀层之间的刻蚀停止层形成矩形槽结构；氧化硅钝化牺牲层，形成于矩形槽结构的侧壁和底部；多个光栅填充层，多个光栅填充层沿着预设方向依次排布在矩形槽结构中，多个光栅填充层形成布拉格光栅结构。
光栅激光器制备方法

[发明专利]一种MEMS高台阶加工制造方法-CN202210219856.2在审
发明人：王东平 -专利权人：苏州感芯微系统技术有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS高台阶加工制造方法，包括步骤：在基底上淀积膜层；通过光刻、腐蚀膜层，形成所需的膜层结构；在基底和膜层结构上淀积第一牺牲层；在第一牺牲层上淀积停止层；通过光刻、腐蚀停止层的中部区域，只保留边缘区域；在第一牺牲层和停止层结构上淀积第二牺牲层；采用CMP工艺对第二牺牲层研磨，直到边缘区域研磨到停止层，中部区域继续研磨至与停止层同样高度。本发明的牺牲层MEMS高台阶加工制造方法，在膜层上淀积两层牺牲层和一层停止层，利用牺牲层与停止层的材质不一样，其研磨速率也不一样，利用停止层可以保证圆片中部和边缘区域剩余的牺牲层厚度一致。
一种 mems 台阶加工制造方法

[发明专利]半导体激光器及其制造方法-CN00106721.4无效
发明人：福久敏哉;吉川昭男 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-03-02 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：半导体激光器，其包括：第1覆盖层；有源层，形成在第1覆盖层顶部上；第2覆盖层，形成在有源层的顶部上，具有和第1覆盖层不同的导电类型；腐蚀停止层，形成在第2覆盖层的顶部上，具有和第2覆盖层相同的导电类型；利用腐蚀工艺在腐蚀停止层的顶部形成的限光结构。腐蚀停止层具有和限光结构接触的表面部分。
半导体激光器及其制造方法

[发明专利]一种免扩散的雪崩光电二极管及其制备方法-CN201310045387.8有效
发明人：岳爱文;胡艳;李晶;王任凡 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种免扩散的雪崩光电二极管及其制备方法，所述雪崩光电二极管包括衬底，所述衬底表面上依次生长有缓冲层、扩散阻挡层、雪崩倍增层、电场控制层、渐变层、光吸收层、腐蚀停止层、窗口层和接触层，所述的窗口层位于腐蚀停止层的中心位置，所述腐蚀停止层于窗口层的周围以及接触层的上方均覆盖有介质绝缘层，所述介质绝缘层上具有环形沟道。本发明选择性腐蚀腐蚀出圆形的窗口层，窗口层以外的部分覆盖有介质绝缘层，窗口层的大小可以直接定义雪崩光电二极管的光敏感区域，使雪崩光电二极管适用于不同速率环境下工作；另外在光吸收层靠近窗口层边缘一侧，尽管存在略强的电场
一种扩散雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]一种绝缘体上硅的制作方法-CN200510028365.6有效
发明人：陈猛 -专利权人：上海新傲科技有限公司;陈猛
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子注入和键合工艺相结合制备绝缘体上的硅圆片的方法，特征在于先采用离子注入方法形成一腐蚀阻挡层，然后将器件片和支撑片键合在一起，并结合键合减薄的方法，减薄器件片反面到一定厚度，再把器件片中的离子注入层作为腐蚀的自停止层，利用化学腐蚀剩余的器件片厚度到腐蚀自停止层；最后对剩余的硅层进行精细抛光，形成一种SOI产品。采用该工艺制造的SOI圆片，埋层的厚度可以在很大的范围内自由调节，且作为自停止层的离子注入层可以精确控制顶层硅的厚度和均匀性，从而提高了顶层硅的厚度均匀性。
一种绝缘体制作方法

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