专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]导体器件-CN200810108449.4无效
  • 伊藤将之;藤原章;井上胜博 - 恩益禧电子股份有限公司
  • 2008-05-30 - 2008-12-03 - H01L27/12
  • 所提供的是一种半导体器件,其能够抑制在形成于SOI衬底上的细长电路区中产生晶体缺陷。低压晶体管区被多个内部隔离层分成多个子区。为此,例如,即使低压晶体管区非常细长,子区纵向方向上的长度也被减小了。虽然由于元件隔离层与低压晶体管区中的半导体层之间热膨胀或热收缩的差异可能产生这种缺陷,但是该结构能够抑制在低压晶体管区其纵向方向上产生晶体缺陷。
  • 半导体器件
  • [发明专利]多电极引管-CN03811042.3无效
  • 尼尔·劳伦斯·安德森;埃文·宗 - 导管治疗有限公司
  • 2003-05-09 - 2005-08-10 - A61B5/05
  • 一种多电极引管(10)包括具有纵轴的细长载体(12)。多个电导体由载体(12)携带,多个电极以一定的间隔连接至每个导体。电极(14)以一定的轴向间隔沿载体(12)设置,使得在载体(12)的长度方向上,与任何一个导体相关的任何一个电极(14)只与同另一个导体相关的电极(14)相邻。在本发明的另一个方面中,消融设备(50)包括用于影响组织的斑点消融的细长管状套管(52),传感电极导管可被接纳在套管(52)的通道(54)中,用于在使用时帮助定位消融电极(56)。
  • 电极
  • [发明专利]电力转换装置-CN201180063191.0有效
  • 石井旭;福增圭辅 - 日立汽车系统株式会社
  • 2011-12-22 - 2013-09-11 - H02M7/5387
  • 电力转换装置包括:具有功率半导体元件的功率半导体模块(300);输出控制功率半导体元件的控制信号的控制电路基板(20);输出驱动功率半导体元件的驱动信号的驱动电路基板(22);配置在驱动电路基板(22)与控制电路基板(20)之间的空间,形成有细长的开口部(113)的导电性的金属底板(11);通过开口部(113)连接驱动电路基板(22)与控制电路基板(20),将控制信号传输至驱动电路基板(22)的配线(115);和夹着驱动电路基板(22)配置在金属底板(11)的相反一侧,将从功率半导体模块(300)输出的交流电流传输至驱动用电机的交流汇流条(802),交流汇流条(802)的至少与开口部(113)相对的部分在与细长的开口部
  • 电力转换装置
  • [发明专利]用于注入微波能的微波火花塞-CN201610122303.X有效
  • 阿名·格莱茨;沃尔克·格莱茨 - MWI微波燃器股份公司
  • 2016-03-03 - 2018-09-28 - F02P23/04
  • 一种用于注入微波能的微波火花塞,用于将微波能注入引擎的燃烧腔,其特征在于包括细长壳体,壳体包括形成壳体内部的空心导体细长的腔,壳体还包括设置于壳体的腔的第一端部处的微波窗,其中,微波窗相对于燃烧室关闭空心导体,其中空心导体包括在第二端部处的与微波窗相对设置的用于高频进给导体的连接元件,其中连接元件包括与微波窗处的高频出口横截面几何结构不同的高频入口横截面几何结构,并且其中,从空心导体第一端部处的高频进入横截面几何结构至空心导体的第二端部处的高频出口横截面几何结构的过渡是连续的
  • 用于注入微波火花塞
  • [实用新型]屏蔽线缆-CN201420234690.2有效
  • 霍柱东;欧子生;熊国军 - 深圳市得润电子股份有限公司
  • 2014-05-08 - 2014-09-24 - H01B7/17
  • 本实用新型公开了一种屏蔽线缆,包括屏蔽层和至少一个导体组。每个所述导体组包括至少两个从所述线缆的一端延伸至另一端并且彼此隔开的细长导体,以及包裹所述至少两个细长导体的绝缘体;屏蔽层包括从所述线缆的一端延伸至另一端的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层和所述第二金属层设置在所述线缆的相对侧,所述导体组被固定在第一金属层和第二金属层之间,所述第一金属层和所述第二金属层在导体组之间接合形成贴合部。
  • 屏蔽线缆
  • [发明专利]包括细长的晶体状纳米结构的纳米级器件-CN201580036397.2在审
  • P·克罗格斯拉普;T·S·叶斯帕森;C·M·马卡斯;J·尼加德 - 哥本哈根大学
  • 2015-07-02 - 2017-05-10 - H01L29/06
  • 本公开涉及一种纳米级器件及其制备方法,该纳米级器件包括细长的晶体状纳米结构,如纳米线晶体、纳米晶须晶体或纳米棒晶体。一个实施方案涉及纳米级器件,其包括细长的晶体状半导体纳米结构例如纳米线(晶体)或纳米晶须(晶体)或纳米棒(晶体),优选由砷化铟制成,其具有多个基本上平的侧面;超导体材料(优选铝)的晶体状结构的第一面层,其覆盖一个或多个所述侧面的至少一部分;以及超导体材料(优选钒)的第二面层,其覆盖第一面层的至少一部分,第二面层的超导体材料不同于第一面层的超导体材料,其中半导体纳米结构的晶体状结构与两个晶体状结构之间的界面上的第一面层的晶体状结构为外延匹配
  • 包括细长晶体纳米结构器件

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