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[发明专利]基板处理设备-CN202110333560.9在审
发明人：沈光辅;尹芝勋;申东辉;吴贤优;姜佳岚 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文公开了一种用于处理基板的设备。该设备包括：工艺处理单元，用于提供在其中执行基板处理的处理空间；以及产生等离子体的等离子体产生单元，其中，所述等离子体产生单元包括：等离子体室，具有等离子体产生空间；气体供应单元，用于将处理气体供应到等离子体产生空间；功率施加单元，用于通过使处理气体离开等离子体产生空间而产生等离子体；扩散室，布置在等离子体室的下方，并且具有扩散空间，该扩散空间用于扩散在等离子体产生空间中产生的等离子体和/或供应至等离子体产生空间的处理气体，以将其均匀地输送至处理空间，其中具有至少一个穿孔的扩散板可以布置在扩散空间中。
处理设备

[发明专利]基于大气压柔性低温等离子体的足部干式灭菌装置-CN201910705667.4有效
发明人：方志;张波;刘雨菲;刘诗筠 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： A61N1/44 文献下载
摘要：本发明公开了养生保健技术领域的一种基于大气压柔性低温等离子体的足部干式灭菌装置，包括柔性等离子体装置，由高压电源模块、第一等离子体灭菌单元、收卷垫、第二等离子体灭菌单元组成，高压电源模块、第一等离子体灭菌单元和第二等离子体灭菌单元均固定于收卷垫的同一面上；第一等离子体灭菌单元由柔性等离子体右第一处理面、柔性等离子体右第二处理面和右单元封口组成，第二等离子体灭菌单元由柔性等离子体左第二处理面、柔性等离子体左第一处理面和左单元封口组成；进行等离子体干式灭菌，灭菌完成后关闭高压电源，不消耗任何惰性气体，直接在空气中产生低温等离子体，不仅提高了介质表面产生等离子体的均匀性，还保障了人体接触的安全性。
基于大气压柔性低温等离子体足部灭菌装置

[发明专利]一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法-CN202310520132.6在审
发明人：王佳航;张赛谦;郭东 -专利权人：拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： F23Q3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法，涉及电子技术领域。该等离子体点火装置包括：射频电源、调节装置、射频匹配器、等离子体处理单元、控制单元、检测单元；射频电源通过调节装置连接射频匹配器，射频匹配器还连接等离子体处理单元的上电极，等离子体处理单元的下电极接地；检测单元连接等离子体处理单元的上电极，控制单元连接检测单元，控制单元还连接调节装置。从而，减少了等离子体的点火时间，提高了薄膜工艺的精度，减少了微粒的污染。
一种等离子体点火装置半导体薄膜设备点火控制方法

[实用新型]一种薄膜真空等离子体处理设备-CN202020163288.5有效
发明人：刘鑫培;沈文凯;王红卫 -专利权人：苏州市奥普斯等离子体科技有限公司;苏州德睿源等离子体研究院有限公司
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜真空等离子体处理设备，所述真空等离子体处理设备包括：多级抽真空单元、支撑单元及迂回部组合单元；所述迂回部组合单元位于真空等离子体处理设备的中部，用于对薄膜材料进行等离子体处理，所述多级抽真空单元位于真空等离子体处理设备的两侧，确保迂回部组合单元内部保持真空环境，所述支撑单元位于多级抽真空单元和迂回部组合单元的外侧，起支撑和保护作用。所述真空等离子体处理设备采取多级抽真空的方式实现迂回部组合单元内部的真空状态，以提供稳定的辉光放电环境，薄膜可以穿过真空等离子体处理设备做连续运动，放电产生的等离子体对迂回部组合单元内部的薄膜进行处理，既能兼顾薄膜处理的连续性，又能保证处理环境的密封性。
一种薄膜真空等离子体处理设备

[发明专利]一种提取激光等离子体轮廓的系统及方法-CN202110569877.2有效
发明人：袁欢;柯伟;王小华;杨爱军;刘定新;荣命哲 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本公开揭示了一种提取激光等离子体轮廓的系统，包括：等离子体产生单元，通过发送激光脉冲沿第一光路传输并照射真空腔产生等离子体；成像单元，用于捕捉沿第一光路返回并继续沿第二光路传输的等离子体，以获得第一激光等离子体图像；图像处理单元，用于对所述第一激光等离子体图像进行处理，以获得第二激光等离体子图像，并从第二激光等离子体图像中提取激光等离子体的轮廓。
一种提取激光等离子体轮廓系统方法

[发明专利]一种电容器薄膜材料的双面等离子体处理系统-CN201910305899.0有效
发明人：孔飞;章程;邵涛;任成燕;叶成园 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容器薄膜材料的双面等离子体处理系统，包括壳体和等离子体处理装置，该等离子体处理装置有两个等离子体处理单元，且两个等离子体处理单元的等离子发生层方向相反。电机带动电容器薄膜材料依次通过两个等离子体处理单元的等离子体发生层进行处理。本发明在实现处理电容器薄膜双面的同时，并不影响材料本体的电学及机械性能，而且具有设备简单、操作容易、节能环保、处理时间短、面积大且效率高等优点，适合于工业大规模生产应用。
一种电容器薄膜材料双面等离子体处理系统

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法-CN201310045137.4有效
发明人：安藤阳二;小野哲郎;臼井建人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明提供一种具备高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理装置以及使用了高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理方法。本发明提供一种等离子体处理装置，具备：处理室，进行等离子体处理；气体供给单元，对所述处理室供给工艺气体；高频电源，供给用于对供给到所述处理室内的工艺气体进行等离子体化的高频电力；以及光检测器，检测在所述处理室内生成的等离子体的发光，所述离子体处理装置的特征在于：所述光检测器具备：检测部，在规定的曝光时间的期间，检测通过脉冲调制了的高频电力生成的等离子体的发光；以及控制部，进行控制以使在各所述曝光时间内检测的所述等离子体的发光的量成为恒定
等离子体处理装置以及方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN200580029854.1有效
发明人：阿部寿治;高桥俊树;松浦广行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种对被处理体(W)实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，该装置包括：能够抽成真空的处理容器(12)、保持上述被处理体的被处理体保持单元(20)、产生高频电压的高频电源(58)和将经过等离子体化的等离子体化气体供给至上述处理容器内的等离子体气体供给单元为了在上述处理容器内产生等离子体，通过配线(60)使均处于激发电极状态的一对等离子体电极(56A、56B)与上述高频电源的输出侧连接。并且，在上述配线的中途设置有高频匹配单元(72)，进一步使等离子体电极(56A、56B)均不接地。由此，能够增高等离子体密度，并提高等离子体生成效率。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理设备和使用其制造半导体器件的方法-CN201810722273.5有效
发明人：洪定杓;宣钟宇;成正模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体处理设备和制造半导体器件的方法。所述等离子体处理设备包括：处理室，其具有内部空间；静电卡盘，其在处理室中并且衬底被安装在其上；气体注入单元，其在处理室的一侧将处理气体注入到处理室中；等离子体施加单元，其将注入到处理室的处理气体转变为等离子体；以及等离子体调节单元，其设置在静电卡盘周围并且可操作以调节衬底上的等离子体的密度。
等离子体处理设备使用制造半导体器件方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201410081006.6有效
发明人：松浦广行;高桥俊树;福岛讲平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，对被处理体实施等离子体处理，其包括：能够抽真空的圆筒状的处理容器；保持多个被处理体向处理容器内插拔的保持单元；向处理容器内供给气体的气体供给单元；和利用等离子体使气体活性化的活性化单元，其中，活性化单元由沿处理容器长边方向配设的等离子体生成箱、沿等离子体生成箱配设的电感耦合型电极和连接到电感耦合型电极的高频电源构成，电感耦合型电极在等离子体生成箱的一端折返，沿等离子体生成箱的两侧壁配设，等离子体生成箱由截面“コ”状的等离子体区分壁区分形成，该等离子体区分壁由相对的一对侧壁和连接该侧壁的一端侧的背面壁构成，串联连接成为一部分被切去的状态的多个环状电极而形成电极。
等离子体处理装置

[实用新型]一种污水处理提标装置-CN202022250450.X有效
发明人：裴登明 -专利权人：南京科创环境工程发展有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种污水处理提标装置。该种污水处理提标装置包括：过滤单元，过滤单元用于将污水引入并将污水进行过滤处理；等离子体氧化单元，等离子体氧化单元与过滤单元连通，等离子体氧化单元用于将污水进行等离子体氧化处理；光氧化催化单元，光氧化催化单元与等离子体氧化单元连通，光氧化催化单元用于将污水进行光氧催化处理并排出。通过过滤单元、等离子体氧化单元、光氧化催化单元依次对污水进行净化处理，能够多角度将污水中的污染物进行净化处理。
一种污水处理装置

[实用新型]一种级联式低温常压放电等离子体处理含藻污水的系统-CN201420397261.7有效
发明人：黄青 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种级联式低温常压放电等离子体处理含藻污水的系统，包括污水池和净水池，污水池和净水池之间设置有级联式低温常压放电等离子体装置，其包括多个级联连接的等离子体放电处理单元，每个等离子体放电处理单元均包括绝缘储水容器、放电电极、高压供电电源，放电电极包括电极一和电极二两个电极且分别连接到高压供电电源上，多个等离子体放电处理单元的绝缘储水容器之间通过多个中间连接水管连通，位于最上游的等离子体放电处理单元与污水池通过主进水管连接，位于最下游的等离子体放电处理单元与净水池通过主出水管连接。本实用新型优点：通过级联连接的多个等离子体放电处理单元，处理更充分有效。
一种级联低温常压放电等离子体处理污水系统

[发明专利]感应耦合等离子体处理装置-CN201010557565.1有效
发明人：佐藤亮;齐藤均;山本浩司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法，该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室(4)的上方，隔着电介质壁(2)配置有通过被供给高频电力在处理室(4)内形成感应电场的高频天线(13)，通过等离子体发光状态检测部(40)检测通过感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的发光状态，根据该等离子体发光状态检测部(40)的检测信息，控制单元(50)控制调节包括高频天线的天线电路的特性的调节单元(21)，由此控制等离子体状态。
感应耦合等离子体处理装置

[发明专利]感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200810181115.X有效
发明人：佐藤亮;齐藤均;山本浩司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法，该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室(4)的上方，隔着电介质壁(2)配置有通过被供给高频电力在处理室(4)内形成感应电场的高频天线(13)，通过等离子体发光状态检测部(40)检测通过感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的发光状态，根据该等离子体发光状态检测部(40)的检测信息，控制单元(50)控制调节包括高频天线的天线电路的特性的调节单元(21)，由此控制等离子体状态。
感应耦合等离子体处理装置方法

[发明专利]用多缝隙天线的表面波等离子体处理装置-CN200410063770.7有效
发明人：铃木伸昌 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-07-07 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：提供一种用多缝隙天线的表面波等离子体处理装置。该表面波等离子体处理装置，包括：其一部分形成为可使微波透过的介电体窗的等离子体处理室、在该等离子体处理室内设置的被处理基体支撑体、向该等离子体处理室内导入等离子体处理用气体的等离子体处理用气体导入单元、使该等离子体处理室内排气成真空的排气单元、和采用了与上述被处理基体支撑体对置且配置在上述介电体窗的外侧的多缝隙天线的微波导入单元，其特征在于：作为缝隙并设有向周边方向上传播表面波的放射状缝隙和在径向上传播表面波的圆弧状缝隙
缝隙天线表面波等离子体处理装置

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