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[发明专利]一种QLED器件、显示装置及其制备方法-CN201710264527.9在审
发明人：钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇;陈崧 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该QLED器件包括依次设置的衬底、底电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，还包括由空穴注入材料和界面修饰材料掺杂制成的空穴注入层，其中，界面修饰材料为p型导电材料。在本发明中，通过采用空穴注入材料和界面修饰材料掺杂制成空穴注入层，以此提高其空穴传输能力和电离能，降低空穴注入势垒，从而有效的提高电导，降低驱动电压，改善载流子的注入平衡，同时减少了器件的荷电，提高了器件的功率效率以及器件的使用寿命
界面修饰空穴注入材料空穴注入层材料掺杂显示装置制备载流子空穴传输能力空穴注入势垒应用技术领域电子传输层空穴传输层功率效率驱动电压使用寿命依次设置注入平衡底电极电离能顶电极发光层量子点衬底电导荷电

[实用新型]一种多层结构的有机发光二极管-CN201420800417.1有效
发明人：傅立铭 -专利权人：苏州汉克山姆照明科技有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多层结构的有机发光二极管，包括自上而下顺次叠放的阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极层和玻璃基板，其特征在于，所述阴极层是MgAg合金层，所述阳极层是导电玻璃层，所述空穴注入层和导电玻璃层之间还设置有缓冲层，所述缓冲层是绝缘物质层且厚度为0.6-1.8nm，所述空穴注入层是PEDOT层。优选，所述缓冲层可以是二氧化硅层，或者是氟化锂层。优选，电子注入层是碱金属化合物层或碱金属氟化物层。对现有的多层结构进行改进，提高空穴注入层的电荷注入效率、降低驱动电压。
一种多层结构有机发光二极管

[发明专利]有机电致发光显示器件及其制备方法-CN200610168609.5有效
发明人：千民承;金美更;金东宪;孙正河;郭在见 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该有机EL显示器件的一个实施方式包括：在第一电极和第二电极之间的发光层；在第一电极和发光层之间的空穴注入层和空穴传输层；以及在空穴注入层和空穴传输层之间的电荷产生层。在空穴注入层和空穴传输层之间的该电荷产生层导致该有机EL显示器件的低驱动电压、高效率和长寿命。
有机电致发光显示器件及其制备方法

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310196562.3无效
发明人：周明杰;冯小明;陈吉星;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述空穴注入层包括氧化石墨烯层和金属氧化物层，本发明空穴注入层为双层结构，将原有的空穴注入势垒分隔成两个部分，首先是空穴从阳极跳跃到氧化石墨烯层中，然后再从氧化石墨烯层跳跃到金属氧化物层中，最后才从金属氧化物层中注入到空穴传输材料中，从而降低器件的启动电压并提高光效。
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机场致发光元件-CN200980108794.0有效
发明人：福松敬之;市桥郁美;宫崎浩;小田敦 -专利权人：新日铁化学株式会社;财团法人山形县产业技术振兴机构
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种在低电压下发光效率高且驱动稳定性也得到很大改善的有机场致发光元件(有机EL元件)用空穴注入材料及使用其的有机EL元件。该有机EL元件用空穴注入材料选自苯六甲酸酐、苯六甲酰亚胺或苯六甲酰亚胺的N取代体。另外，该有机EL元件在对置的阳极和阴极之间具有至少1层的发光层和空穴注入层，在空穴注入层中含有上述有机EL元件用空穴注入材料。该有机EL元件可以在空穴注入层或与邻接其的层中含有电离电位(IP)为6.0eV以下的空穴传输性材料。
机场发光元件

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310429687.6无效
发明人：周明杰;黄辉;陈吉星;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件为层状结构，所述层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括三元掺杂层；所述三元掺杂层的材质包括具有空穴注入能力的金属氧化物、铜化合物以及空穴掺杂客体材料。本发明有机电致发光器件的散射层提高空穴的注入能力、空穴的传输速率、以及光的散射，从而有利于提高出光效率。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种OLED显示装置及其制作方法-CN201611237431.5有效
发明人：臧丹丹;熊志勇;楚海港 -专利权人：上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开一种OLED显示装置及其制作方法，所述OLED显示装置包括基板、阳极层、像素定义层，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层、间隔柱；位于像素间隔区域上间隔柱之外的区域上的阻隔柱，阻隔柱至少贯穿空穴传输层和空穴注入层；本发明提供的OLED显示装置中，在相邻的两个颜色不同的发光像素之间的像素间隔区域上制作阻隔柱，阻隔柱靠近像素间隔区域的两个内角中至少有一个大于90°，从而在蒸镀空穴传输层和空穴注入层等有机材料时，能够使得空穴传输层和空穴注入层在阻隔柱的地方断开，进而减小了某个发光像素被点亮时，与相邻发光像素之间的横向漏流，避免其他发光像素偷亮的问题，提高了产品良率。
一种 oled 显示装置及其制作方法

[发明专利]一种QLED器件及其制作方法-CN201810520585.8有效
发明人：宋莹莹 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明的方法包括基板及位于其上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层以及阴极，其中，所述阳极上采用LB膜法形成PEDOT/二十烷酸复合固态膜作为所述空穴注入层；采用溶液法工艺在所述空穴注入层上形成非交联空穴传输材料层本发明采用LB法制备PEDOT/二十烷酸复合固态膜并在其后采用溶液法形成空穴传输层，缓解了现有技术溶液法制备空穴注入层的QLED器件中上下层之间的相互溶解的问题，得到性能改善的QLED器件。
一种 qled 器件及其制作方法

[发明专利]有机EL元件及其制造方法-CN201080068375.1有效
发明人：西山诚司;大内晓;小松隆宏;冢本义朗;藤村慎也;藤田浩史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种采用了能得到良好的空穴传导效率的空穴注入层的有机EL元件及其制造方法。有机EL元件具备：功能层（6），其配置在阳极（2）与阴极（8）之间，由包括使用有机材料形成的发光层（6B）的一层或者多层构成；空穴注入层（4），其配置在阳极（2）与功能层（6）之间；以及堤（5），其规定发光层（6B），空穴注入层（4）包含氧化钨，构成氧化钨的钨元素以六价的状态以及比该六价低的价数的状态包含在空穴注入层（4）中，并且，空穴注入层（4）包含粒径为纳米级大小的氧化钨的结晶，在由堤（5）规定的区域，空穴注入层（4）形成为凹陷构造，所述凹陷构造为空穴注入层（4）的功能层侧（6）的表面的一部分比其它部分更靠阳极（2）一侧的构造，凹陷构造的凹部的边缘（4c）被堤（5）的一部分覆盖。
有机 el 元件及其制造方法

[发明专利]有机发光二极管和包含其的有机发光装置-CN202111527469.7在审
发明人：申智彻;徐正大;金信韩 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本公开涉及一种有机发光二极管，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；第一发射部分，所述第一发射部分位于第一和第二电极之间，并且包括第一发射材料层、位于第一电极和第一发射材料层之间的空穴注入层和位于空穴注入层和第一发射材料层之间的第一空穴传输层，其中，空穴注入层包括空穴注入材料，且第一空穴传输层包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料中的至少一种，并且其中第一空穴传输材料和第二空穴传输材料是具有不同结构的芴衍生物。
有机发光二极管包含发光装置

[发明专利]一种多通道空穴传输层、电学器件与QLED器件-CN201710657454.X有效
发明人：梁柱荣;曹蔚然;刘佳 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种多通道空穴传输层、电学器件与QLED器件，所述多通道空穴传输层包括水平设置的石墨烯、与所述石墨烯垂直设置的碳纳米管阵列、所述碳纳米管阵列间隙中叠层设置的空穴注入层和空穴传输层。本发明多通道空穴传输层中，空穴的注入与传输不仅能够通过空穴传输材料，而且能够直接通过石墨烯与碳纳米管传输到量子点发光层中，同时还能先从空穴传输材料中注入到碳纳米管中，然后从碳纳米管直接传输到量子点发光层中，如此多通道传输空穴的方式能够有效地提高空穴的注入和传输效率，从而提高器件的发光效率。
一种通道空穴传输电学器件 qled

[发明专利]发光元件、发光装置和显示装置-CN201980101083.4在审
发明人：木本贤治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：发光元件(5R)具备：作为阳极的第一电极(22)；作为阴极的第二电极(25)；设置在第一电极(22)和第二电极(25)之间的发光层(35R)；设置在第一电极(22)和发光层(35R)之间的空穴注入层(33)；以及设置在空穴注入层(33)和发光层(35R)之间的空穴输送层(34)，在空穴注入层(33)和空穴输送层(34)之间具有绝缘体层(37)。空穴注入层(33)、绝缘体层(37)和空穴输送层(34)分别由具有1种以上的阳离子和1种以上的阴离子的化合物构成，所述阴离子由元素周期表第15族或第16族的元素构成，绝缘体层(37)中所含的阳离子的平均氧化数大于空穴输送层(34)中所含的阳离子的平均氧化数，且小于空穴注入层(33)中所含的阳离子的平均氧化数。
发光元件装置显示装置

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201210367532.X无效
发明人：周明杰;王平;黄辉;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件为顶发射有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述空穴注入层的材质包括二氧化钛本发明的有机电致发光器件的空穴注入层中聚3，4-二氧乙烯噻吩的折射率约为1.5，使光线在玻璃基底表面发生全反射，提高器件的出光效率，同时空穴注入层中含有二氧化钛，使空穴注入层同时具有空穴注入及传输能力，
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构-CN202211713104.8在审
发明人：刘腾飞;杨建兵;秦昌兵;张阳;唐宇;王玉珠 -专利权人：南京国兆光电科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：一种空穴传输层搭配的硅基OLED器件结构，包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层组成的复合空穴传输层结构，空穴注入层结构由空穴传输主体材料以及P型掺杂材料组成，空穴传输层由空穴传输主体材料与空穴传输次主体材料组成，电子阻挡层由空穴传输次主体材料与电子阻挡材料组成，且构成空穴传输主体材料的HOMO能级与空穴传输次主体材料的HOMO能级不同。空穴传输次主体材料的HOMO能级大于电子阻挡材料的HOMO能级。本发明通过材料设计产生两个空穴传输通道，从而分别提升两个发光单元的空穴注入传输效率，降低由于材料HOMO能级不同导致的势垒效应。通过降低空穴传输势垒来降低热效应，从而实现OLED器件的高寿命表现。
一种空穴传输搭配 oled 器件结构

[发明专利]一种有机发光器件的制造方法以及有机发光器件-CN201610624351.9有效
发明人：欧阳攀 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机发光器件的制造方法以及有机发光器件，其中，制造方法包括：提供一透明导电层；以及在磁场中，向透明导电层逐次蒸镀至少一结构层，结构层为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一种，结构层的分子链沿磁场的磁感线方向高度取向。本发明能够在不降低空穴注入层厚度的前提下，增大空穴注入层的横向电阻，从而隔离低亮度下空穴注入层中电流从蓝色像素的区域迁移而流向绿色或红色像素的区域，改善OLED低灰阶色偏，提高有机发光器件的使用寿命。
有机发光器件空穴注入层结构层透明导电层磁场制造磁感线方向电子传输层电子注入层电子阻挡层空穴传输层空穴阻挡层高度取向横向电阻红色像素蓝色像素区域迁移使用寿命低灰阶发光层分子链色偏蒸镀隔离

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