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[发明专利] 主机常驻转换层 写入命令 -CN202110440783.5 在审
发明人：
D·巴卢智 ;D·米诺波力
- 专利权人：
美光科技公司
申请日：
2021-04-23
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公布日：
2021-10-26
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主分类号：
G06F9/30 文献下载
摘要： 本申请案涉及一种主机常驻转换层 写入命令。存储器系统中的处理装置从主机系统接收主机常驻转换层 写入命令，所述主机常驻转换层 写入命令请求将与逻辑块地址相关联的数据写入到存储器装置，并且作为响应而返回所述数据写入到的物理地址，并且执行写入操作以将与所述逻辑块地址相关联的所述数据写入到所述存储器装置的所述物理地址所述处理装置更新与所述逻辑块地址对应的转换层 条目以包含所述物理地址，且将对所述主机常驻转换层 写入命令的响应发送到所述主机系统，所述响应包括具有所述物理地址的经更新转换层 条目。所述主机系统可将具有所述物理地址的所述经更新转换层 条目存储在主机常驻转换层 映射表中。主机 常驻 转换 写入 命令
[发明专利] 支撑层 及柔性显示模组 -CN202110697528.9 在审
发明人：
赵远
- 专利权人：
武汉华星光电技术有限公司 ;武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日：
2021-06-23
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公布日：
2021-10-01
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主分类号：
G09F9/30 文献下载
摘要： 本发明提供一种支撑层 及柔性显示模组。支撑层 包括一个第一钢片层 和N个层叠于第一钢片层 的一侧表面的第二钢片层 ，N为正整数；其中，第一钢片层面向第二钢片层 的一侧表面设置有凹槽，任一第二钢片层 对应凹槽的部分设置有通孔，且通孔的截面宽度大于凹槽的截面宽度本发明通过将支撑层 分为一个第一钢片层 和N个层叠于第一钢片层 的一侧表面的第二钢片层 ，在第一钢片层面向第二钢片层 的一侧表面设置凹槽，在任一第二钢片层 对应凹槽的部分设置通孔，且通孔的截面宽度大于凹槽的截面宽度，其中，通孔和凹槽组合成的容置空间可以有效避免弯折过程中产生的应力集中，从而可以提升支撑层 的弯折性能，提升柔性显示模组的弯折性能和挺性。支撑 柔性 显示 模组
[发明专利] 防眩性叠层 体 -CN202080023444.0 在审
发明人：
小泽归心
- 专利权人：
三菱瓦斯化学株式会社 ;MGC菲尔须特股份有限公司
申请日：
2020-03-19
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公布日：
2021-11-05
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主分类号：
G02B5/02 文献下载
摘要： 本发明提供具有优异的耐冲击性、耐热性和防眩性能，并且抑制闪耀的发生，具有高的耐擦伤性，形状稳定性也优异的防眩性叠层 体。更详细而言，提供如下的防眩性叠层 体，其包括：包含含有聚碳酸酯树脂(a1)的树脂(A)的层 ；设置于包含含有聚碳酸酯树脂(a1)的树脂(A)的层 的至少1个面的、包含高硬度树脂(B)的层 ；和设置于包含高硬度树脂(B)的层 上的、具有凹凸形状的硬涂层，该防眩性叠层 体满足下述条件(i)和(ii)：(i)上述包含高硬度树脂(B)的层 的厚度为10～250μm，上述包含含有聚碳酸酯树脂(a1)的树脂(A)的层 与包含上述高硬度树脂(B)的层 的合计厚度为100～3,000μm；(ii)上述叠层 体的由JIS K 7136规定的雾度为15％以上，使用2.0mm宽度的光梳以45°的光入射角测得的反射清晰度为30％以下，将该叠层 体设置在265ppi防眩性叠层体
[发明专利] 去除阻挡层 的方法 -CN202010519561.8 在审
发明人：
王晖 ;张洪伟 ;代迎伟 ;金一诺 ;王坚
- 专利权人：
盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日：
2020-06-09
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公布日：
2021-12-10
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主分类号：
H01L21/311 文献下载
摘要： 本发明揭示了去除硅片上金属互连的阻挡层 的方法，去除单层金属钌阻挡层 ，包括：氧化步骤，使用电化学阳极氧化工艺将单层的金属钌阻挡层 氧化成钌氧化物层 ；氧化层 刻蚀步骤，用刻蚀液对钌氧化物层 进行刻蚀，去除钌氧化物层 本发明还提出去除硅片上金属互连的阻挡层 的方法，用于10nm及以下的工艺节点的结构中，结构包括衬底、介质层 、阻挡层 和金属层 ，介质层 沉积在衬底上，介质层 上形成凹进区，阻挡层 沉积在介质层 上，金属层 沉积在阻挡层 上，金属层 是铜层 ，阻挡层 是单层金属钌层 ，该方法包括：减薄步骤，对金属层 进行减薄；去除步骤，去除金属层 ；氧化步骤，对阻挡层 进行氧化，氧化步骤使用电化学阳极氧化工艺；氧化层 刻蚀步骤，刻蚀氧化后的阻挡层 。去除 阻挡 方法
