专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种/聚合物/石墨三元复合材料及其制备方法-CN201510005856.2有效
  • 蒋永;赵兵;凌学韬;王志轩;高强;焦正;吴明红 - 上海大学
  • 2015-01-07 - 2017-03-29 - H01M4/62
  • 本发明涉及一种/聚合物/石墨三元复合材料及其制备方法,属锂离子电池正极材料技术领域。本发明方法的主要过程和步骤如下以硫酸钠为原料合成出亚微米颗粒,通过化学氧化法获得聚合物包覆,再以Zeta电位法包覆氧化石墨,获得双层核壳结构的/聚合物/石墨复合材料。本发明制得三元复合正极材料,聚合物层具有优异的导电性能,之间连接形成的间隙为锂离子的嵌入提供了有利环境,石墨的进一步包覆为其提供了弹性空间,以及褶皱结构有利于抑制活性物质的体积膨胀带来的破坏与质量损失本发明得到的双层核壳结构复合材料,结构稳定,大幅提高了正极的电化学性能及其稳定性,为锂电池的广泛应用提供了可能。
  • 一种聚合物石墨三元复合材料及其制备方法
  • [发明专利]氨基甲酰基碳酰肼-CN95193819.3无效
  • O·瓦格纳;F·怀特里奇;K·埃肯;E·阿莫曼;G·劳伦兹;T·穆勒;J·B·斯琵克曼 - 巴斯福股份公司
  • 1995-05-20 - 1997-08-06 - C07C271/22
  • 本文描述了氨基甲酰基碳酰肼I及其盐,其中基团具有下列含意R1是未取代的或取代的烷基、基、炔基、环烷基、基、芳基或杂芳基,或未取代或取代非芳香性碳或杂,W1W1C=N-,其中W1是未取代或取代的烷基、炔基、炔基、环烷基、基、芳基或杂芳基和W2是氢或W1;R2是氢或未卤的或卤烷基或环烷基;R3是未取代或取代的烷基、环烷基或苯烷基;R4是氢或基团R3之一或R3和R4与它们键合的C原子一起,是未取代或取代的饱和碳或杂;R6是基团R2之一;R6是未取代或取代的烷基、基、炔基、环烷基、基、芳基或杂芳基,未取代或取代的非芳香性碳/或杂,或如果R3=异丙基、氢;R7是基团R6之一,氢除外,X1、X2、X3各是氧或及其制备方法
  • 氨基甲酰基碳酰肼
  • [发明专利]吡啶并(2,3-b)吡嗪衍生物-CN96199282.4无效
  • 岛崎宪彦;泽田昭彦;渡边真也 - 藤泽药品工业株式会社
  • 1996-12-13 - 1999-01-20 - C07D471/04
  • 、[保护的氨基]苯基、[[[卤苯基](低级)酰基]氨基]苯基、[[吡啶基](低级)酰基]氨基]苯基、[[[N-氧吡啶基](低级)酰基]氨基]苯基、[[[保护的氨基吡啶基](低级)酰基]氨基]苯基、可以具有吡啶基的[噻唑基羰基氨基]苯基、具有低级烷氧基和卤素的萘基、[二卤苯基](低级)基、[N-氧吡啶基](低级)基、[氨基吡啶基](低级)基、[保护的氨基吡啶基](低级)基、[羧基吡啶基](低级)基、[保护的羧基吡啶基](低级)基、[[吡啶基](低级)基]吡啶基](低级)基、[[羧基](低级)基]吡啶基](低级)基、[[保护的羧基(低级)基]吡啶基](低级)基、[吡啶基(低级)基]吡啶基、低级烷基苯并噻唑基或[卤吡啶基羰基]氨基,前提为当R2为[[4-吡啶基(低级)酰基]-氨基]苯基、氨基苯基、[低级烷酰氨基]苯基或者[二卤苯基](低级)基时,那么R1为N-氧吡啶基(低级)烷基或咪唑基(低级)烷基。
  • 吡啶衍生物
  • [发明专利]作为CDK抑制剂的取代的4-氨基-噻唑-2-基化合物-CN98810474.1无效
  • W·K·M·钟;储少嵩;R·K·杜瓦迪伊;李琳;肖薇;杨怡 - 阿古龙制药公司
  • 1998-10-27 - 2004-07-21 - C07D277/42
  • 本发明涉及式(I)氨基噻唑化合物,其中R1是取代或未取代的基团,它选自:C1-6-烷基;C1-6-基;C1-6羟;和磺酰基;其中当R1有取代时,各取代基独立为卤素;卤烷基;C1-6-烷基;C1-6-基;C1-6-炔基;羟基;C1-6-烷氧基;氨基;硝基;羟;醚;亚胺;氰基;酰氨基;膦酸酯基;膦;羧基;羰基;磺酰基;氨磺酰;酮;醛;酯;氧;碳或杂、单或稠合或非稠合多环环烷基;或碳或杂的每个取代基独立为卤素;卤烷基;C1-6-烷基;C1-6-基;C1-6-炔基;羟基;C1-6-烷氧基;氨基;硝基;羟;醚;亚胺;氰基;酰氨基;膦酸酯基;膦;羧基;羰基;磺酰基;氨磺酰;酮;醛;酯;氧;碳或杂、单或稠合或非稠合多环环烷基;或碳或杂、单或稠合或非稠合的多芳基;或式I化合物的药学上可接受的盐
  • 作为cdk抑制剂取代氨基噻唑化合物
  • [发明专利]一种结晶性聚单碳酸酯的制备方法-CN201810410542.4有效
  • 任伟民;乐天俊;顾格阁;吕小兵 - 大连理工大学
  • 2018-04-26 - 2020-07-14 - C08G75/28
  • 本发明属于高分子材料领域,涉及一种结晶性聚单碳酸酯的制备方法。内消旋氧烷烃与羰基在手性催化剂作用下发生不对称共聚反应,形成具有高度全同结构的结晶性聚单碳酸酯。该结晶性聚单碳酸酯的聚合物中单碳酸酯单元含量大于99%;聚合物全同度为75%~99%;聚合物经过简单的热处理后即可得到半结晶性材料。本发明是通过羰基与内消旋氧烷烃聚合而来,内消旋氧烷烃来源广泛,因此可制备多种结晶性聚单碳酸酯;本发明反应条件温和,催化剂活性高,聚合物选择性高;制备得到的聚单碳酸酯结构可控、完全交替、没有氧交换
  • 一种结晶性聚单硫代碳酸制备方法

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