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[实用新型]一种钙钛矿-碲化镉/掺硒碲化镉叠层太阳能电池-CN202221832800.6有效
发明人：严册;肖诚斌;王博;赵彬 -专利权人：中国光大绿色技术创新研究院有限公司;光大环境科技（中国）有限公司;光大环保技术研究院（深圳）有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿‑碲化镉/掺硒碲化镉叠层太阳能电池，其包括：钙钛矿子电池和碲化镉/掺硒碲化镉子电池，所述钙钛矿子电池与所述碲化镉/掺硒碲化镉子电池设置为上下堆叠，所述碲化镉/掺硒碲化镉子电池包括碲化镉吸收层和掺硒碲化镉吸收层本申请通过引入掺硒碲化镉吸收层修复碲化镉吸收层的晶格缺陷，减少光生载流子被缺陷散射，促进光生载流子的定向传输，提高载流子的寿命，优化了碲化镉吸收层，提升了碲化镉/掺硒碲化镉子电池的光电转化效率；以及通过设置含螯合剂的聚合物薄膜作为铅离子吸收层
一种钙钛矿碲化镉掺硒碲化镉叠层太阳能电池

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺-CN201711079180.7在审
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;杨少飞 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺，包括步骤1)依次沉积透明导电层、高电阻层及窗口层；2)在硒气氛下沉积碲化镉薄膜获得掺硒碲化镉薄膜，所述硒气氛为硒在真空条件下高温蒸发获得；3)在氯化镉气氛下高温处理掺硒碲化镉薄膜本发明可以实现在碲化镉薄膜中掺杂硒，达到改变碲化镉薄膜带隙的目的，从而提高碲化镉薄膜太阳能电池的短路电流与转换效率。
一种碲化镉薄膜太阳能电池吸收层掺硒工艺

[发明专利]硒化镉和碲化镉量子点的合成方法-CN200410011201.8有效
发明人：王强;潘道成;聂伟;蒋世春;姬相玲;安立佳 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C01G11/00 文献下载
摘要：本发明属于溶剂热法合成硒化镉和碲化镉量子点的方法，该方法是以含2～18个碳原子的烷基羧酸镉或氧化镉为镉源，硒粉和碲粉分别为硒源和碲源，镉源和硒源或碲源的摩尔比为5∶1－1∶5，并使用三辛基膦溶解硒粉和碲粉，油酸、十六烷基胺或三辛基氧化膦为包裹剂，镉源和包裹剂的摩尔比为1∶2－1∶6，苯、甲苯、环己烷、正己烷或正庚烷为溶剂，镉源的浓度为0.001－0.015M，在高压釜内140－180℃的条件下加热0.8－16小时来完成反应的，并且通过改变反应时间获得不同尺寸的硒化镉和碲化镉量子点。合成的硒化镉和碲化镉量子点具有较窄的尺寸分布，表现为较窄的荧光发射，硒化镉量子点荧光发射峰半峰宽为22－33nm，碲化镉量子点荧光发射峰半峰宽为29－35nm。
硒化镉碲化镉量子合成方法

[发明专利]一种硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法-CN201410827635.9有效
发明人：林时胜;李晓强;陈红胜;骆季奎;李尔平;王朋;章盛娇;徐志娟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法，该石墨烯/碲化镉太阳电池自下而上依次有衬底、导电镀膜层、碲化镉层、石墨烯层及硒化镉层，所述的太阳电池还设有第一电极和第二电极，第一电极设置在导电镀膜层上其制备方法如下：先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积碲化镉层；然后将石墨烯转移至碲化镉层上；在石墨烯层上制备硒化镉层；最后在石墨烯层及导电镀膜层上分别制作电极，获得太阳电池。本发明的硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池利用硒化镉引入的光生掺杂效应来获得具有高转化效率的石墨烯/碲化镉太阳电池，工艺简单，便于推广。
一种硒化镉增强石墨碲化镉太阳电池及其制备方法

[发明专利]水溶性聚丙烯胺－碲/硒化镉核壳结构量子点的制备方法-CN200510027956.1无效
发明人：任吉存;钱惠锋 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2005-07-21 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种水溶性聚丙烯胺－碲/硒化镉核壳结构量子点的制备方法，首先以镉盐或镉的氧化物、镉的氢氧化物和碲/硒氢化钠，在水溶液中制得碲/硒化镉量子点，再以1－乙基－3[3－(二甲氨基)丙基]碳二亚胺和N－羟基丁二酰亚胺为联接剂，在碲/硒化镉量子点表面均匀包覆一层聚丙烯胺聚合物，得到核壳结构聚丙烯胺－碲/硒化镉量子点。合成的产物聚丙烯胺－碲/硒化镉核壳结构量子点具有良好的光学性能，均一的尺寸分布，良好的光稳定性和水溶性，表面功能化(存在大量的氨基)，适合于生物应用。
水溶性聚丙烯硒化镉核壳结构量子制备方法

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201910019216.5有效
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;赵雷 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开一种碲化镉薄膜太阳能电池，包括由下至上依次设置的衬底层、光吸收层、背接触层和背电极层，所述的光吸收层为碲化镉薄膜层，所述的背接触层由碲化锑与硒化铜的复合材料构成。本发明所述的碲化镉薄膜太阳能电池设置碲化锑与硒化铜的复合材料的背接触层，可以与碲化镉光吸收层形成良好的欧姆接触，降低了势垒，同时掺杂的硒化铜可以有效的改善碲化镉光吸收层的缺陷，而且硒扩散到碲化镉界面后，可以有效的提高碲化镉的禁带宽度，呈现深“V”型的梯度变化，电池初始性能、长期稳定性优异，转换效率高。
一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]碲化镉太阳能电池及其制备方法-CN201910865180.2在审
发明人：彭寿;陈瑛;殷新建;周显华 -专利权人：中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明提供一种碲化镉太阳能电池及其制备方法，该方法包括：提供一衬底层，于衬底层的第一表面形成窗口层，窗口层的材料包括掺镁氧化锌；于窗口层的表面形成光吸收层，所述光吸收层包括硒化镉/掺硒碲化镉/碲化镉的复合层采用硒化镉/掺硒碲化镉/碲化镉的复合层结构，使太阳能电池对长波长和短波长光的吸收达到最大，增加电池短路电流密度，提高电池效率；另外太阳能电池窗口层采用掺镁氧化锌材料，作为缓冲层，减小界面间载流子的复合；最后，具有掺硒梯度的硒化镉/掺硒碲化镉/碲化镉复合层能有效阻止铜离子向掺镁氧化锌窗口层扩散，降低深能级缺陷的产生，从而提高太阳能电池的初始性能和长期稳定性。
碲化镉太阳能电池及其制备方法

[发明专利]硒化镉及碲化镉纳米棒的制备方法-CN03127160.X无效
发明人：聂伟;刘晓播;陈延明;姬相玲 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2003-09-17 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明属于硒化镉及碲化镉纳米棒的制备方法。本方法采用氧化镉为单体，以十四酸为配体，通过控制纳米晶的成核及生长过程，在190℃～230℃温度下将硒或碲前体溶液注入到镉前体溶液中，进而在160～180℃温度下生长制备成纳米棒。本发明合成的硒化镉和碲化镉纳米棒产率高、尺寸分布窄，形状规整且实验的可重复性强。实验条件温和，制备成本低廉，合成路线简单，环境污染小，制备的硒化镉和碲化镉纳米棒可作为基质材料制备成纳米器件，在光电子领域及生物传感器等都有非常好的应用前景。
硒化镉碲化镉纳米制备方法

[发明专利]新型近红外截止玻璃-CN200310108652.9无效
发明人：何美玉 -专利权人：上海爱蓓儿光学玻璃有限公司
申请日： 2003-11-18 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： C03C4/08 文献下载
摘要：本发明属于光学玻璃，尤指一种新型近红外截止玻璃，其配方为，按重量百分比，氧化硅45～60.0，氧化硼3.0～10.0，氧化钾10.0～20.0，氧化锌13.0～20.0，氧化镉3.0～8.0，硒0.5～1.5，碲1.0～5.0，氧化锡0.1～2.0。本发明主要通过加入氧化锡，用硒、碲、氧化镉取代硒化镉、碲化镉，解决了合成硒化镉、碲化镉带来的环境污染问题。
新型红外截止玻璃

[发明专利]一种碲硒砷镉化合物、靶材及其制备方法-CN202111429740.3有效
发明人：李青霄;张心会;徐开东;王继娜;李志新;王朝勇;徐龙云;包云;杨欢;丁凌凌;李文静 -专利权人：河南城建学院
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲硒砷镉化合物/靶材及制备方法，由摩尔比为(60‑90):(0.999‑39.99):(0.001～0.01)的碲化镉颗粒、碲硒镉颗粒和砷化镉颗粒研磨成粉、混匀，将混匀的物料装入石墨坩埚中，或者将混匀的物料放入模具中室温压片成靶材坯，压片成形的靶材坯装入石墨治具内，石墨治具放入真空烧结炉内，在真空烧结炉内压实，真空状态加热烧结，自然降温至室温，打开真空烧结炉即得到碲硒砷镉化合物/靶材。制备出的碲硒砷镉化合物结晶度好，制备出的碲硒砷镉靶材相对密度高于90％（晶粒尺寸小于300nm）。
一种碲硒砷镉化合物及其制备方法

[发明专利]制造多成分薄膜的方法-CN201110048467.X有效
发明人：萧满超;杨柳;雷新建;I·布查南 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：在一个实施方式中，本发明所述的方法和组合物用于沉积碲锗(GeTe)、碲锑(SbTe)、锗锑(SbGe)、锗锑碲(GST)、铟锑碲(IST)、银铟锑碲(AIST)、碲化镉(CdTe)、硒化镉(CdSe)、碲化锌(ZnTe)、硒化锌(ZnSe)、铜铟镓硒(CIGS)薄膜或其他用于相变存储器和光伏装置的碲和硒基的金属化合物。
制造成分薄膜方法

[发明专利]基于二维二硒化铂纳米薄膜与碲化镉晶体的异质结型近红外光电探测器及其制备方法-CN201811336880.4在审
发明人：吴翟;郭佳文;王媛鸽;贾诚;吴恩平;史志锋;李新建 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了基于二维二硒化铂纳米薄膜与碲化镉晶体的异质结型近红外光电探测器及其制备方法，是在碲化镉晶体表面平铺有二维二硒化铂纳米薄膜，在二维二硒化铂纳米薄膜和碲化镉晶体上分别设置有与其呈欧姆接触的金属电极，碲化镉与二硒化铂形成异质结、两金属电极作为两输出级，即构筑成为异质结型近红外光电探测器。
碲化镉近红外光电探测器硒化纳米薄膜异质结型二维金属电极晶体的制备红外探测器晶体表面欧姆接触制备工艺高响应快响应输出级探测率异质结波段平铺构筑响应

[发明专利]自组装聚合物空穴传输层结构的高效量子点发光二极管-CN201610008669.4在审
发明人：卡安纳;王昕;陈静;雷威;张晓兵 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：，另一端与连接着电子传输层相连；所述电子传输层为掺杂后的无机纳米颗粒；空穴传输层为单聚物、多聚物、小分子、无机氧化金属纳米颗粒或二维纳米材料掺杂进入聚（3，4-乙撑二氧噻吩单体）组成；量子点为硫化锌，硒化锌，碲化锌，硫化镉，硒化镉，碲化镉，硫化汞，硒化汞，碲化汞或者他们的核壳纳米结构硒化镉-硫化锌，硫化镉-硫化锌，硫化镉-硒化锌，硫化镉-硒化锌，石墨烯量子点等等。
组装聚合物空穴传输结构高效量子发光二极管

[发明专利]一种用于检测氯霉素的光电化学传感器及其构建方法与应用-CN202211730023.9在审
发明人：黄青;彭金云;凌晨东;诸葛文凤;邱兆新;刘凤平;张翠忠;向刚;成继虎 -专利权人：广西民族师范学院
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明涉及电化学检测技术领域，特别涉及一种用于检测氯霉素的光电化学传感器，所述光电化学传感器为基于铁硒化钼‑碲化镉复合材料，将铁硒化钼‑碲化镉复合材料修饰ITO电极，构建光电化学传感器。本发明的光电化学传感器中，利用铁硒化钼和碲化镉复合材料修饰ITO电极，铁硒化钼和碲化镉具有好的协同效应，能够加快电子的转移速率，对氯霉素有较强的光电化学响应，能够用于快速、简便地检测氯霉素，具有较低的检测限
一种用于检测氯霉素电化学传感器及其构建方法应用

[发明专利]一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法-CN201410687093.X有效
发明人：张忠平;蒋阳;蓝新正;常亚婧;姚旭东;王辉;李国鹏 -专利权人：巢湖学院
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法，其中碲化镉量子点的合成方法是在室温下将镉源、碲源、配体和有机介质加入反应釜中，在氮气或氩气保护下升温至220℃保温反应5-20min，随后升温至230-245℃保温反应5-30min，得到碲化镉量子点。本发明Ⅱ型碲化镉核壳量子点的化学结构式为CdTe/CdSe或CdTe/CdS，碲化镉量子点包壳硒化镉或硫化镉的过程采用无膦原位加热法进行。本发明合成的碲化镉量子点和Ⅱ型碲化镉核壳量子点发射在530-800nm，在550-650nm波段荧光量子产率≥40％，最高可达75％。
一种碲化镉量子合成方法以及型碲化镉核壳

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