“硅烷”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果76195个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高级硅烷组合物及使用该组合物的硅膜形成方法-CN03110610.2无效
发明人：青木敬;古沢昌宏;松木安生;岩沢晴生;竹内安正 -专利权人：精工爱普生株式会社;日商捷时雅股份有限公司
申请日： 2003-04-21 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明提供一种高级硅烷组合物，其特征在于其中含有经对具有光聚合性的硅烷化合物的溶液或具有光聚合性的液体硅烷化合物照射紫外线光聚合而成的高级硅烷化合物。而且本发明还提供一种硅膜的形成方法，其特征在于将上述高级硅烷组合物涂布在基板上。上述高级硅烷组合物由于含有分子量更大的高级硅烷化合物，所以从在基板上涂布时的湿润性、沸点和安全性的观点来看，能够特别容易形成优质硅膜。
高级硅烷组合使用形成方法

[发明专利]用于玻璃纤维的胶合剂组合物-CN89101696.1无效
发明人：安吉罗·约瑟夫·马吉斯特罗 -专利权人： B、F谷德里奇公司
申请日： 1989-03-27 - 公布日： 1994-04-13 - 主分类号： C09J127/06 文献下载
摘要：通过三嗪环上的多链中的烷氧基在一个多硅烷分子上提供至少3个、多达18个、最好至少9个交联点。该多硅烷由一种含有三嗪的化合物与氨烷基—烷氧基硅烷或烷基—氨烷基—烷氧基硅烷在无水或含水的液体介质中反应生成。该多硅烷可用作偶联剂。含有多硅烷的胶合剂使玻璃纤维增强有机合成树脂材料(特别是聚氯乙烯)的强度性能提高。该多硅烷用于各种材料的胶粘剂和用于保护涂料是有效的。
用于玻璃纤维胶合组合

[发明专利]制备氯乙烯均聚物和玻璃纤维粒料的方法-CN93108498.9无效
发明人：安吉罗·约瑟夫·马吉斯特罗 -专利权人： B·F·谷德里奇公司
申请日： 1989-03-27 - 公布日： 1994-03-02 - 主分类号： C08K5/54 文献下载
摘要：通过三嗪环上的多链中的烷氧基在一个多硅烷分子上提供至少3个、多达18个，最好至少9个交联点。该多硅烷由一种含有三嗪的化合物与氨烷基-烷氧基硅烷或烷基-氨烷基-烷氧基硅烷在无水或含水的液体介质中反应生成。该多硅烷可用作偶联剂。含有多硅烷的胶合剂使玻璃纤维增强有机合成树脂材料(特别是聚氯乙烯)的强度性能提高。该多硅烷用于各种材料的胶粘剂和用于保护涂料是有效的。
制备氯乙烯均聚物玻璃纤维方法

[实用新型]电泳涂装设备用硅烷喷涂机构-CN201521130661.2有效
发明人：黄立明;陈云;茅立安;余大海;黄叶东;李仁德;俞连荣 -专利权人：浙江明泉工业涂装有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： B05B13/02 文献下载
摘要：本实用新型属于涂装技术领域，涉及一种电泳涂装设备用硅烷喷涂机构。它包括喷涂室和硅烷储存箱，所述的硅烷储存箱位于喷涂室下方，喷涂室底部用回料管连接硅烷储存箱，还包括能把硅烷储存箱内的硅烷输送到喷涂室的输料机构，所述的喷涂室内设有至少一个连接输料机构的喷头组件，所述的喷头组件能从喷涂室的侧壁和底部向喷涂室的轴心线方向喷射硅烷
电泳装设备用硅烷喷涂机构

[发明专利]耐热性硅烷交联树脂成型体及其制造方法、耐热性硅烷交联性树脂组合物及其制造方法、硅烷母料、以及使用了耐热性硅烷交联树脂成型体的耐热性制品-CN201480053193.5有效
发明人：松村有史;西口雅己 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： C08L23/26 文献下载
摘要：一种制造方法，其具有以下工序工序(1)，将聚烯烃树脂的全部或一部分、有机过氧化物、含有金属水合物和金属碳酸盐的无机填料、和硅烷偶联剂在有机过氧化物的分解温度以上的温度下熔融混合，制备硅烷母料；以及工序(3)，将硅烷母料和硅烷醇缩合催化剂或催化剂母料混合；利用上述制造方法所制造的耐热性硅烷交联树脂成型体和耐热性硅烷交联性树脂组合物、以及硅烷母料和耐热性制品。
耐热性硅烷交联树脂成型及其制造方法组合以及使用制品

[发明专利]甲硅烷基乙炔基并五苯化合物和组合物及其制备和使用方法-CN200980128699.7有效
发明人：约翰·E·安东尼;格雷格·A·考德威尔;罗伯特·S·克拉夫;詹姆斯·C·诺瓦克;马西亚·M·佩恩;大卫·H·瑞丁格尔;丹尼斯·E·沃格尔 -专利权人： 3M创新有限公司;奥特雷德科技公司
申请日： 2009-05-29 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开了甲硅烷基乙炔基并五苯和含有甲硅烷基乙炔基并五苯的组合物。示例性的并五苯化合物具有6，13-甲硅烷基乙炔基取代基，且一个或多个基团(例如R，R′和R″)共价连接至甲硅烷基乙炔基的每个Si原子。本发明也公开了制备和使用甲硅烷基乙炔基并五苯和含有甲硅烷基乙炔基并五苯的组合物的方法。本发明也公开了包含甲硅烷基乙炔基并五苯和组合物的基材和器件。
硅烷乙炔化合物组合及其制备使用方法

[发明专利]金属硅化物的表面改性方法、利用表面改性的金属硅化物的三氯硅烷的制备方法及装置-CN201580005699.3有效
发明人：崔源春;朴容起;李右炯;徐辉旼;姜拏永;韩柱熙;李东昊;安贵龙;金吉浩 -专利权人：韩国化学研究院;韩华石油化学株式会社
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： C01B33/08 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的三氯硅烷的制备方法包括向反应部供给表面改性的金属硅化物和冶金级硅的步骤；向所述反应部供给四氯硅烷和氢的步骤；以及，将在所述反应部内，在所述金属硅化物的存在下，由冶金级硅、四氯化硅烷和氢之间的反应生成的生成物，供给到分离部，分离三氯硅烷成分的步骤。利用根据本发明实施例的三氯硅烷的制备方法进行四氯硅烷氢氯化反应时，能够提高三氯硅烷的收率。
金属硅表面改性方法利用硅烷制备装置

[发明专利]绝缘电线和电缆-CN201680044522.9有效
发明人：芦原新吾;矢崎浩贵;青山贵 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施形态的绝缘电线具备导体、配置在导体的外周上的绝缘层，绝缘层具有包含内层和外层的层叠结构，内层由包含在氯系聚合物(a)上接枝共聚硅烷化合物而成的硅烷接枝氯系聚合物(A)的内层材料构成，外层由包含在氯化聚乙烯(b)上接枝共聚硅烷化合物而成的硅烷接枝氯化聚乙烯(B)、和在聚乙烯(c)上接枝共聚硅烷化合物而成的硅烷接枝聚乙烯(C)的外层材料构成，内层和外层以一体地进行硅烷交联的方式构成。
绝缘电线电缆

[发明专利]制造硅烷化多孔绝缘膜的方法、制造半导体装置的方法和硅烷化材料-CN200980119778.1无效
发明人：木下启藏;邻真一;中山高博 -专利权人：瑞萨电子株式会社;株式会社爱发科
申请日： 2009-05-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供一种对具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜进行有效的硅烷化处理的方法。本发明还提供制造硅烷化多孔绝缘膜(204c)的方法，所述方法包括形成具有多个孔的多孔绝缘膜(204b)的步骤和使通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化材料蒸汽(210)作用于所述多孔绝缘膜(204b)的步骤，所述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻聚剂。
制造硅烷多孔绝缘方法半导体装置材料

[发明专利]二氧化硅-CN03820279.4无效
发明人：于尔根·迈尔;斯特凡妮·弗拉恩;曼弗雷德·埃特林格 -专利权人：德古萨股份公司
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C09C1/30 文献下载
摘要：硅烷化的、结构改性的、热解法制备的二氧化硅，其特征在于表面结合基团，其中所述基团为二甲基甲硅烷基和/或单甲基甲硅烷基，其由热解法制备的二氧化硅用二甲基二氯硅烷和/或单甲基三氯硅烷以已知方法处理，二甲基甲硅烷基和/或单甲基甲硅烷基结合在热解法二氧化硅的表面，然后进行结构改性和任选后研磨来制备。
二氧化硅

[发明专利]在微波能照射下制备卤硅烷的方法-CN03808605.0无效
发明人：诺贝特·奥纳 -专利权人：瓦克化学有限公司
申请日： 2003-04-15 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： C07F7/16 文献下载
摘要：本发明涉及使用微波能制备含有卤素与硅键合的硅烷的方法。将硅与选自以下组中的元素或化合物的混合物反应：卤素或卤素和有机卤素化合物或卤素和氢气或卤素和卤化氢或有机卤素化合物或有机卤素化合物和氢气或有机卤素化合物和卤化氢或卤化氢或氟硅烷和氢气或氟硅烷和卤化氢或含氢的氯硅烷和氢气或含氢的氯硅烷和卤化氢或有机卤硅烷和氢气或有机卤硅烷和卤化氢或烃类和卤化氢
微波照射制备硅烷方法

[发明专利]氯硅烷残液处理工艺-CN201210531271.0有效
发明人：王姗 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明氯硅烷残液处理工艺，将一定浓度的氯硅烷残液送入处理系统，在表面蒸发器内均匀分配、并保持一定的温度、压力，使氯硅烷残液蒸发，回收蒸发出的氯硅烷气体；蒸发后的残液进入螺旋蒸发器，进行二次蒸发。通过两级蒸发、分离，将蒸发得到的氯硅烷气体，通过保温和换热冷凝后，得到氯硅烷产品，回收率达到95%以上。
硅烷处理工艺

[发明专利]低聚硅烷的制造方法-CN201580043836.2有效
发明人：石原吉满;滨田秀昭;岛田茂;佐藤一彦;五十岚正安;内田博 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种低聚硅烷的制造方法，特别是提供能改善收率和选择率、可效率良好地在更低温下制造低聚硅烷的方法。在氢硅烷的脱氢缩合反应中，通过在具有短径0.43nm以上、长径0.69nm以下的细孔的沸石存在下进行反应，低聚硅烷的选择率、特别是乙硅烷的选择率提高，能够在更低温下效率良好地制造低聚硅烷。
硅烷制造方法

[发明专利]硅烷混合物-CN200710104535.3有效
发明人：罗伯特·G·库伊梅利斯;格伦·H·麦加 -专利权人：阿菲梅特里克斯公司
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： G01N33/543 文献下载
摘要：含有两种或多种硅烷化剂的混合物的硅烷化组合物，其中至少一种硅烷化剂包括能够支持聚合物合成的官能团以及至少一种硅烷化剂没有包括能够支持聚合物合成的官能团，所述硅烷化组合物用于调节表面的活性部位密度和水解稳定性这些组合物特别是在制备聚合物阵列前用于硅烷化表面并提供增加的杂交结果。
硅烷混合物

[发明专利]利用硅烷或聚硅烷供给燃料电池氢的方法-CN200780029023.3无效
发明人：尤利乌斯·普雷特雷布纳 -专利权人： REV可再生能源投资公司
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01M8/06 文献下载
摘要：本发明涉及供给燃料电池氢的方法，所述方法包括下列步骤：中间存储(聚)硅烷或(聚)硅烷溶液；将(聚)硅烷转移到反应室内；硅烷或硅烷溶液在反应室内与水溶液反应或水解来释放H₂；从反应室分离固态和除此之外本发明还涉及基于硅烷的用于燃料电池的氢发生器。
利用硅烷供给燃料电池方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top