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- [发明专利]金属纳米线的制造方法-CN201680054459.7有效
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原真尚;山木繁;内田博
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昭和电工株式会社
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2016-09-27
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2022-04-19
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B22F9/24
- 本申请发明的目的是提供直径细、且长度长的金属纳米线的制造方法。本申请发明的金属纳米线的制造方法是，将包含离子性衍生物、和作为溶剂的多元醇的第一溶液保持在80‑200℃，在该第一溶液中，供给包含金属盐、和作为溶剂的多元醇的第二溶液，使得1分钟内供给的金属盐的金属原子的摩尔数与上述第一溶液中的离子性衍生物的卤原子的总摩尔数之比(1分钟内供给的金属盐的金属原子的摩尔数/离子性衍生物的卤原子的总摩尔数)小于10。此外，上述离子性衍生物为季铵盐的卤化物、金属盐为硝酸银是适合的。
- 金属纳米制造方法
- [发明专利]低聚硅烷的制造方法-CN201780059057.0有效
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埜村清志;内田博
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昭和电工株式会社
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2017-09-19
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2022-03-11
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C01B33/04
- 本发明的目的是提供能够高效制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。本发明提供了一种低聚硅烷的制造方法，包含反应工序，在所述反应工序中，向内部具有催化剂层的连续式反应器中投入含有氢化硅烷的流体，由氢化硅烷生成低聚硅烷，从反应器排出含有低聚硅烷的流体，所述反应工序满足下述(i)～(iii)的所有条件，(i)含有氢化硅烷的流体在催化剂层的入口处的温度高于含有低聚硅烷的流体在催化剂层的出口处的温度，(ii)含有氢化硅烷的流体在催化剂层的入口处的温度是200～400℃，(iii)含有低聚硅烷的流体在催化剂层的出口处的温度是50～300℃。
- 硅烷制造方法
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