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[发明专利]一种扩散保护的硅烷涂布聚氨酯人造革-CN201610199772.1在审
发明人：季建良 -专利权人：无锡华联塑料制品有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： D06N3/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种扩散保护的硅烷涂布聚氨酯人造革，是在聚氨酯基底表面涂饰一层硅烷涂布材料并固化，硅烷涂布材料是用反应物掺混一种或多种未预缩合或部分预缩合的硅烷。硅烷的分子量大于200。硅烷在有机侧链中具有适于形成氢桥键的极性化基团。聚氨酯人造革表面经硅烷涂布材料保护后，使聚氨酯人造革具有更好的扩散保护特性，提高了聚氨酯人造革的使用品质。
一种扩散保护硅烷聚氨酯人造革

[发明专利]一种防起雾的硅烷涂布聚氨酯人造革-CN201610205689.0在审
发明人：朱广和 -专利权人：江阴市华东塑胶制品有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： D06N3/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种防起雾的硅烷涂布聚氨酯人造革，是在聚氨酯基底表面涂饰一层硅烷涂布材料并固化，硅烷涂布材料是用反应物掺混一种或多种未预缩合或部分预缩合的硅烷。硅烷的分子量大于200。硅烷在有机侧链中具有适于形成氢桥键的极性化基团。聚氨酯人造革表面经硅烷涂布材料保护后，使聚氨酯人造革具有更好的防起雾特性，提高了聚氨酯人造革的使用品质。
一种防起雾硅烷聚氨酯人造革

[发明专利]一种烃基氯硅烷的制备方法-CN202211095318.3在审
发明人：张行程;杨青海 -专利权人：中山海泓药业有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C07F7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种烃基氯硅烷的制备方法，其中，制备方法包括将1‑烯烃和氯硅烷在铂催化剂的催化下进行硅氢加成反应，得烃基氯硅烷；其中1‑烯烃为C3～C20烯烃，氯硅烷为含氢氯硅烷；所述硅氢加成的温度为10～40℃，压力为常压。本发明提出的烃基氯硅烷的制备方法，能够有效简化烃基氯硅烷的制备过程、提升安全性和产物品质。
一种烃基氯硅烷制备方法

[发明专利]碳化硅陶瓷前驱体热固性聚硅烷树脂的制备-CN201010617487.X有效
发明人：王明存 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：本发明公开了热固性聚硅烷树脂的合成方法，和作为陶瓷前驱体制备热解制备碳化硅陶瓷的方法。将以一定比例混合甲基乙烯基二氯硅烷和甲基氢二氯硅烷在催化剂存在下滴加到金属锂四氢呋喃中，回流反应合成聚硅烷；将硼烷溶液加入聚硅烷中，于室温反应即得到树脂状含硼热固性聚硅烷陶瓷前驱体。含硼热固性聚硅烷陶瓷前驱体可以加热固化，在惰性气氛下烧结可以制备碳化硅陶瓷。
碳化硅陶瓷前驱热固性硅烷树脂制备

[发明专利]一种阿托伐他汀钙中间体的纯化方法-CN201611192003.5有效
发明人：吴俊帽;李文轩;张晓峰;肖宁;张维伟 -专利权人：北京嘉林药业股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种阿托伐他汀钙中间体的纯化方法，特别涉及中间体(R)‑4‑腈基‑3‑(叔丁基二甲基)硅氧基丁酸(简称“硅烷化羧酸”)的纯化方法，所述方法包括如下步骤：步骤1，将硅烷化羧酸粗品或含硅烷化羧酸的反应液与含钙的盐或碱反应生成硅烷化羧酸钙盐，步骤2，硅烷化羧酸钙盐以有机溶剂洗涤除去杂质，步骤3，除去杂质的硅烷化羧酸钙盐酸化，得到硅烷化羧酸。
硅烷化羧酸阿托伐他汀钙羧酸钙盐有机溶剂洗涤二甲基硅氧基碱反应叔丁基盐酸化羧酸钙粗品丁酸腈基

[发明专利]晶种层的形成方法以及含硅薄膜的成膜方法-CN201210418546.X有效
发明人：冈田充弘;柿本明修;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶种层的形成方法以及含硅薄膜的成膜方法，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：使用氨基硅烷系气体，使氨基硅烷系气体中包含的至少硅吸附到基底上的工序；以及使用乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在吸附有氨基硅烷系气体中包含的至少硅的基底上沉积乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅的工序。
晶种层形成方法以及薄膜

[发明专利]可光交联的硅烷衍生物-CN98107099.X有效
发明人： R·布彻克;G·马克;H·塞伯勒 -专利权人：罗利克有限公司
申请日： 1998-02-05 - 公布日： 1998-10-07 - 主分类号： C09K19/40 文献下载
摘要：本发明涉及通式Ⅰ新的可交联的光活性的硅烷衍生物、式Ⅰ的硅烷衍生物的混合物和式Ⅰ的硅烷衍生物与通常用于含无机氧化物的表面的硅烷化的不可交联的硅烷衍生物的混合物。本发明还涉及通式Ⅰ的硅烷衍生物和含有至少一种通式Ⅰ的硅烷衍生物的混合物作为液晶定向层的用途和在生产未结构化或结构化的光学元件和多层体系中的应用。
交联硅烷衍生物

[发明专利]可水解聚醚单硅烷增塑的单组分可湿致固化硅烷密封剂-CN201680061955.5有效
发明人： Q·徐;A·M·斯蒂芬森;W·H·希思;W·A·库恩斯 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C08L71/02 文献下载
摘要：可湿致固化树脂组合物包括一种或多种聚甲硅烷基化聚醚和一种或多种聚醚单硅烷的混合物。所述聚醚单硅烷每分子具有一个可水解硅烷基团，并且所述可水解硅烷基团具有至少两个可水解取代基。所述聚醚单硅烷是一种有效的增塑剂和降粘剂。尽管存在所述聚醚单硅烷，但所述树脂组合物固化形成具有适用的拉伸和伸长性质的固化密封剂。
水解聚醚单硅烷组分可湿致固化密封剂

[发明专利]绝缘层蚀刻剂组合物和使用该绝缘层蚀刻剂组合物形成图案的方法-CN201910110765.3有效
发明人：李恩姃;崔汉永;金炳默;金泰熙;金正桓 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：一种绝缘层蚀刻剂组合物，包括：磷酸；硅烷化合物，其包含第一硅烷化合物和第二硅烷化合物，所述第一硅烷化合物包括通过连接基与硅原子结合的磷酸可溶性基团，所述第二硅烷化合物具有比所述第一硅烷化合物的水溶解性低的水溶解性可以钝化氧化物层并且可以通过第一硅烷化合物增强溶解性以改善蚀刻性能。
绝缘蚀刻组合使用形成图案方法

[发明专利]用于制备混合的硅烷封端的聚合物的方法-CN201880083198.0有效
发明人： F.J.施坦普弗莱;C.蒂贝斯;U.纳特克;H-J.拉斯 -专利权人：科思创德国股份有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C08G18/10 文献下载
摘要：本发明涉及通过多元醇A）与二异氰酸酯B）、异氰酸根合硅烷C）和氨基硅烷E）的反应来制备硅烷封端的聚合物的方法，其中多元醇成分A）与至少一种二异氰酸酯B）和异氰酸根合硅烷C）的混合物同时反应，并且在此生成的产物随后与氨基硅烷E）反应生成硅烷封端的聚合物。用本发明的方法可以制备具有低粘度的混合的硅烷封端的聚合物。
用于制备混合硅烷聚合物方法

[发明专利]一种氨丙基三甲氧基硅烷及制备方法-CN201910860612.0有效
发明人：请求不公布姓名;陈国辉;王三跃;蒋鹏;余洋;刘慧捷;王聪 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明公开一种氨丙基三甲氧基硅烷的制备方法，包括取烯丙基胺、六甲基二硅氮烷为原料，反应生成N‑烯丙基‑N,N‑双(三甲基甲硅烷基)胺，以对氨基进行保护；将N‑烯丙基‑N,N‑双(三甲基甲硅烷基)胺和三甲氧基硅烷进行加成反应，生成硅烷中间体；将硅烷中间体进行水解，制得氨丙基三甲氧基硅烷。
一种丙基三甲氧基硅烷制备方法

[发明专利]通过使用三烷氧基硅烷制备甲硅烷的方法-CN201380057610.9在审
发明人：金宅中;金容逸;金敬烈;金德允;阿舒罗夫·阿塔姆;萨利霍夫·沙夫卡特;罗特施泰恩·弗拉基米尔;阿舒罗瓦·凯可亚特;库巴诺夫·阿齐兹;阿卜迪萨伊多夫·伊缪;阿齐佐夫·苏丹;阿舒罗夫·鲁斯塔姆 -专利权人： OCI有限公司;等离子及雷射科技研究院
申请日： 2013-10-02 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明提供了通过使用三烷氧基硅烷制备具有高纯度和高产量的甲硅烷用于制备甲硅烷的方法，更特别是用于经济地制备甲硅烷的方法，所述甲硅烷有用于薄的半导体结构和多功能高纯度多晶硅的组合物。
通过使用三烷氧基硅烷制备方法

[发明专利]一类高耐热酰亚胺芳杂环改性硅烷偶联剂-CN201010045841.6无效
发明人：刘峰;张招贵;齐海霞;张旭华;张余宝;徐建芳;肖炳瑞;黄永发;王平;袁智斌 -专利权人：南昌大学
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：一类高耐热酰亚胺芳杂环改性硅烷偶联剂，其特征是分子结构式为：或一类耐热亚胺芳杂环改性硅烷偶联剂

[发明专利]一种生产高纯乙硅烷的系统及其方法-CN201110418634.5无效
发明人：余京松;杨智敏;程战锋;朱鲁明;沃银花 -专利权人：浙江赛林硅业有限公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C01B33/04 文献下载
摘要：本发明公开生产高纯乙硅烷的系统和方法。硅化镁和氯化铵加料装置与反应釜第1进料口相连，液氨储槽与反应釜第2进料口相连，冷凝器氨回流口与反应釜第2进料口相连，反应釜硅烷和乙硅烷出口与冷凝器进气口相连，冷凝器出气口与粗硅烷提纯装置进口相连，粗硅烷提纯装置出口分别与第一阀门的一端和第二阀门的一端相连，第二阀门另一端与乙硅烷液化装置进口相连，乙硅烷液化装置出口分别与第三阀门的一端和第四阀门一端相连，第四阀门另一端与乙硅烷提纯装置进口相连，第一阀门另一端和第三阀门另一端与硅烷提纯装置的进口相连。无需投入新的生产原料，增加大型生产设备，在硅烷生产线上增加乙硅烷的液化和提纯装置就能够形成高纯乙硅烷的生产能力。
一种生产高纯硅烷系统及其方法

[实用新型]一种二甲基二氯硅烷的提纯系统-CN201620410388.7有效
发明人：曹华俊;方红承;谭军;彭金鑫;聂长虹;贾勇;赵晓辉;欧阳玉霞 -专利权人：合盛硅业股份有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二甲基二氯硅烷的提纯系统，包括：脱低塔，底端出料口连通脱高下塔的进料口，用于除去二甲基二氯硅烷粗品中的低沸物；脱高下塔，顶端出料口连通固定床反应器的进料口，用于除去二甲基二氯硅烷粗品中的高沸物；固定床反应器，出料口连接脱高上塔的进料口，用于与氯化氢反应，将二甲基二氯硅烷粗品中残余的含氢硅烷转化成相应的氯硅烷；脱高上塔，用于除去所述的氯硅烷。直接法生产获得的二甲基二氯硅烷粗品经脱低塔和脱高下塔先除去低沸物和高沸物，再在固定床反应器中将粗品中的含氢硅烷与氯化氢反应转变成相应的氯硅烷，然后在脱高上塔中除去氯硅烷，从而获得高纯度的二甲基二氯硅烷。
一种甲基硅烷提纯系统