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[发明专利]硅基填埋扇出结构及其制备方法-CN202310357664.2在审
发明人：王玮;汪琪;温博 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基填埋扇出结构及其制备方法，该硅基填埋扇出结构包括硅衬底、至少一个芯片、介质层和金属布线层，硅衬底上表面上开设有凹槽；所述凹槽的侧壁和底面以及所述硅衬底的上表面上均覆盖一层Cu/Sn合金层本发明基于硅基填埋扇出技术，采用Cu/Sn合金层作为黏附层，增强了射频系统的散热能力，且制备了完整的金属接地互连，确保射频信号的一致性。
硅基填埋扇出结构及其制备方法

[发明专利]一种硅基扇出型封装结构及其制备方法-CN202110557585.7有效
发明人：王玮;杨宇驰;杜建宇 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括嵌入歧管式微流道的硅基扇出型封装结构，其包括：芯片，包括衬底和位于所述衬底背部的嵌入式微流道；硅基转接板,包括用于填埋所述芯片的凹槽、位于所述凹槽下方并与其连通的歧管通道、入液口和出液口；用于使所述嵌入式微流道和所述歧管通道密封连通的低温密封层，所述低温密封层位于所述芯片和所述硅基转接板之间；以及位于所述芯片顶部的重布线层。本发明还涉及一种包括嵌入歧管式微流道的硅基扇出型封装结构的制备方法。本发明的硅基扇出型封装结构同时具有低温工艺兼容性和封装兼容性并且具有高的散热效率。
一种硅基扇出型封装结构及其制备方法

[实用新型]一种硅基扇出型封装结构-CN201921224999.2有效
发明人：王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种硅基扇出型封装结构，属于集成电路封装领域。所述本实用新型提供的硅基扇出型封装结构包括硅基，所述硅基上刻蚀的凹槽中埋有芯片；所述硅基和所述芯片上依次形成有干膜材料和阻焊层；所述阻焊层上形成有凸点，并通过再布线层与所述芯片的焊盘连通。本实用新型的硅基扇出型封装结构中，埋入芯片厚度与封装厚度几乎一致，使得封装体厚度大大减小，散热性能大大提高。
一种硅基扇出型封装结构

[实用新型]一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构-CN201921224997.3有效
发明人：王成迁;明雪飞;吉勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构，属于集成电路封装领域。所述埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构包括硅基，所述硅基的第一面开有凹槽，所述凹槽中埋有芯片；所述芯片包括TSV转接芯片、TSV转接芯片和高密度I/O异质芯片；所述芯片的TSV金属通道或金属焊盘与第一表面重布线连接，所述第一表面重布线通过微凸点与高密度I/O异质芯片倒装焊接；所述硅基的第二面填充有真空压干膜，并依次制作有第二表面重布线、阻焊层和凸点。
一种埋入 tsv 转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构

[实用新型]一种三维系统级集成硅基扇出型封装结构-CN201921225002.5有效
发明人：王成迁;明雪飞;吉勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型公开一种三维系统级集成硅基扇出型封装结构，属于三维系统级集成电路封装领域。所述三维系统级集成硅基扇出型封装结构包括硅基，该硅基的第一面沉积有截止层；第二面刻蚀有TSV通孔和凹槽，所述TSV通孔中制作有背面第一层重布线，所述凹槽中埋有桥芯片；所述背面第一层重布线依次通过背面第二层重布线和微凸点与高密度I/O异质芯片焊接；所述硅基的第一面依次形成有正面重布线、阻焊层和凸点，所述正面重布线与所述背面第一层重布线连接。
一种三维系统集成硅基扇出型封装结构

[实用新型]一种3D扇出型封装结构-CN201921627161.8有效
发明人：王成迁;明雪飞;吉勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本实用新型公开一种3D扇出型封装结构，属于集成电路封装技术领域。所述3D扇出型封装结构包括硅基、n层重布线和若干个异构芯片；所述硅基正面沉积有截止层，背面刻蚀有TSG（Through Silicon Groove）凹槽和TSV硅通孔，所述TSG凹槽中埋有芯片；所述n本实用新型通过在硅基背面制作金属焊垫和通孔焊垫，大大增加了硅基单位面积的垂直互连密度，解决高密度I/O芯片三维扇出互连难题，增加了三维集成密度，制作方法简便，适合大规模量产使用。
一种扇出型封装结构

[发明专利]一种柔性混合电子系统加工方法和柔性混合电子系统-CN202110224990.7有效
发明人：王玮;陈浪 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种柔性混合电子系统加工方法和柔性混合电子系统，所述方法包括：在硅基衬底的正面上刻蚀出对应减薄后的多个异质异构芯片的大小的填埋凹槽；将所述多个异质异构芯片填埋至对应的填埋凹槽内，其中，填埋后的多个异质异构芯片的正面与硅基衬底的正面齐平；实现多个异质异构芯片间的聚合物柔性连接；实现各个异质异构芯片之间的电学互连；实现对各个异质异构芯片之间的电学互连的绝缘保护；对完成绝缘保护的结构从背面进行减薄本发明实施例提供的方法，基于填埋芯片的方式加工柔性混合电子系统，减少了材料损耗和加工步骤，有利于实现柔性混合电子系统的规模化制造。
一种柔性混合电子系统加工方法

[实用新型]一种树脂型晶圆级扇出集成封装结构-CN201922259168.5有效
发明人：王成迁;李杨;李守委;张爱兵;夏晨辉;颜炎洪 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种树脂型晶圆级扇出集成封装结构，属于集成电路封装领域。树脂型晶圆级扇出集成封装结构包括硅基，硅基背面依次制作有截止层、凸点和第一凹槽；正面刻蚀有第二凹槽、TSV通孔和切割槽，TSV通孔中制作有铜柱，第二凹槽中埋有第一芯片；第一芯片的正面填充有干膜，并制作有第一n层再布线；第一芯片通过第一n层再布线与第二芯片连接；硅基背面通过塑封料塑封，并依次制作第二n层再布线、阻焊层和焊球，第二n层再布线与凸点相连。通过在硅基正反面进行预切割，同时运用临时键合技术，完成硅基正面和背面的塑封工艺，形成三明治结构，大大降低了圆片翘曲。本实用新型提供的方法可以被大规模应用在量产中，提高生产效率，提高封装成品率。
一种树脂型晶圆级扇出集成封装结构

[发明专利]一种垃圾填埋气/沼气中硅氧烷的脱除方法和装置-CN201510062448.0有效
发明人：李恩田;李天洲;王树立;赵会军 -专利权人：常州大学
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本发明属于气体分离领域，尤其涉及一种垃圾填埋气硅氧烷的脱除方法和装置。将垃圾填埋气增压后通入气液分离器，脱除填埋气中的游离水、泡沫及固体颗粒；将步骤1）处理得到的填埋气通入装有碳酸钠溶液的吸收罐，去除填埋气中的硫化氢；将步骤2）处理得到的填埋气通入膜分离处理单元对含有硅氧烷的填埋气进行膜分离操作；混合气体通过膜分离处理单元的中空纤维膜接触器，硅氧烷在膜丝内外压差和浓度差的作用下从渗透侧渗透出来通入正己烷有机溶剂中溶解，回收硅氧烷；将步骤3）处理得到的尾气通入填充了氯化钙的干燥塔，脱除甲烷气体携带的水蒸气后进入储气罐
一种垃圾填埋气沼气中硅氧烷脱除方法装置

[实用新型]系统级双面硅基扇出封装结构-CN202222227679.0有效
发明人：张鹏;耿雪琪;王成迁 -专利权人：无锡中微高科电子有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型关于系统级双面硅基扇出封装结构，涉及集成电路封装技术领域。该系统级双面硅基扇出封装结构包括硅基板；硅基板的第一表面以及硅基板的第二表面上分别设置有至少一个凹槽；在第一表面的凹槽内设置有至少两个功能芯片，且在第二表面的凹槽内设置有至少两个功能芯片；第一表面的凹槽位置与第二表面的凹槽位置对应；硅基板上具有至少两个通孔；硅基板的第一表面设置有上层金属布线层，上层金属布线层覆盖第一表面；硅基板的第二表面上设置有下层金属布线层以及凸点。通过在硅基板的双面进行凹槽的设置，并使得双面凹槽均可以承载至少两个芯片，使得多个芯片以系统级封装的形式埋与硅基板中，提高了封装结构的集成度。
系统双面硅基扇出封装结构

[发明专利]沼气净化系统-CN201580047266.4在审
发明人：朴成圭 -专利权人：株式会社KF
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B01D53/26 文献下载
摘要：本发明作为沼气净化系统，包括填埋气体捕集装置，设置在填埋场来捕集填埋气体；惯性碰撞型热交换装置，脱除所述填埋气体中的水分以及灰尘；氨以及硫化氢脱除装置，在由所述惯性碰撞型热交换装置首次净化的第一净化填埋气体中脱除氨以及硫化氢中的至少一种；硅氧烷脱除装置，在由所述氨以及硫化氢脱除装置第二次净化的第二净化填埋气体中脱除硅氧烷；除氧装置，在由所述硅氧烷脱除装置第三次净化的第三净化填埋气体中脱除氧气；除氮装置，在由所述除氧装置第四次净化的第四净化填埋气体中脱除氮气；以及储存罐，储存由所述除氮装置第五次净化的第五净化填埋气体。
沼气净化系统

[实用新型]一种硅基三维扇出集成封装结构-CN202020874147.4有效
发明人：王成迁;徐罕;李守委 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开一种硅基三维扇出集成封装结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。所述硅基三维扇出集成封装结构包括硅基，所述硅基正面制作有TSV盲孔并且表面沉积有无机钝化层；所述TSV盲孔中制作有铜柱并在表面制作有第一n层再布线和金属焊垫；所述硅基背面刻蚀有凹槽，第一芯片通过粘结剂埋在所述凹槽中，所述第一芯片的焊垫朝外；所述硅基背面填充有干膜材料，并且所述硅基背面依次制作有钝化层、第二n层再布线和凸点。本实用新型通过使用硅基实现三维扇出型晶圆级封装，完成高密度异构芯片三维集成，其封装效率、集成度、性能大大提高。
一种三维集成封装结构

[发明专利]一体式封装分切机-CN201710964135.3在审
发明人：朱建平 -专利权人：深圳华创兆业科技股份有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种一体式封装分切机，包括基板输送装置，所述基板输送装置用于将基板依次输送至填埋工位、焊接工位与分切工位，所述基板上设有复数个阵列分布的卡基；芯片填埋装置，所述芯片填埋装置设于所述填埋工位，用于将切割分离后的芯片分别填埋到对应的所述卡基的填埋槽内；焊接封装装置，所述焊接封装装置设于所述焊接工位，用于使所述芯片的粘接面的热熔胶融化，将所述芯片与对应的所述卡基封装而成智能卡；卡片分切装置，所述卡片分切装置设于所述分切工位，用于实现所述智能卡与所述基板的分离
体式封装分切机

[实用新型]一体式封装分切机-CN201721347291.7有效
发明人：朱建平 -专利权人：深圳华创兆业科技股份有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种一体式封装分切机，包括：基板输送装置，所述基板输送装置用于将基板依次输送至填埋工位、焊接工位与分切工位，所述基板上设有复数个阵列分布的卡基；芯片填埋装置，所述芯片填埋装置设于所述填埋工位，用于将切割分离后的芯片分别填埋到对应的所述卡基的填埋槽内；焊接封装装置，所述焊接封装装置设于所述焊接工位，用于使所述芯片的粘接面的热熔胶融化，将所述芯片与对应的所述卡基封装而成智能卡；卡片分切装置，所述卡片分切装置设于所述分切工位，用于实现所述智能卡与所述基板的分离
填埋工位芯片一体式封装分切机基板基板输送装置分切装置焊接封装焊接工位智能卡分切卡基卡片本实用新型节约空间切割分离阵列分布热熔胶复数粘接封装融化自动化

[发明专利]一种硅基光交换芯片的光电扇出结构及其制备方法-CN202211328327.2有效
发明人：王敬好;张瑾;胡辰;张萌徕;张潜;储涛 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了硅基光交换芯片的光电扇出结构的制备方法，包括：在基片表面固定芯片，芯片端口包括光栅耦合器和电学焊盘；在基片上表面形成衬底层，对衬底层进行抛光至芯片上表面漏出，沉积下包层，在下包层上沉积芯层；在芯层上刻蚀光波导阵列和扇出端光学端口；在光波导阵列、扇出端光学端口和未沉积芯层的下包层上表面沉积上包层，利用灰度工艺从上包层表面挖出斜面，利用刻蚀工艺在上包层上挖出直通孔，使得电学焊盘上表面露出；然后在上包层表面和电学焊盘上表面沉积金属层本发明还公开了硅基光交换芯片的光电扇出结构的制备方法制备得到的硅基光交换芯片光电扇出结构。
一种硅基光交换芯片电扇结构及其制备方法

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