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[发明专利]一种氧化硅单包铯铜氯量子点及其制备方法和应用-CN202110340198.8在审
发明人：赵双易;臧志刚;蒋思奇 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C09K11/61 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化硅单包铯铜氯量子点及其制备方法和应用，属于量子点技术领域。本发明利用低温包覆技术，在较低温度下利用前驱体捕捉空气中的水并且进行快速水解，在铯铜氯量子点表面成功包覆氧化硅，氧化硅包覆不仅可以有效钝化铯铜氯量子点的表面缺陷，增加其发光量子产率，还可以提高量子点的稳定性该氧化硅单包铯铜氯量子点薄膜发光量子产率高达76％，利用该氧化硅单包铯铜氯量子点制备的白光发光二极管具有发光显色指数高和色温适宜等优势，且稳定性好。
一种氧化硅单包铯铜氯量子及其制备方法应用

[发明专利]加氢脱氯制备二氢氟化烯烃的方法-CN200980152143.1有效
发明人： M·J·纳帕;E·N·斯维林根 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C07C17/23 文献下载
摘要：本发明公开了制备含氟烯烃的方法，所述方法包括在催化剂的存在下和在足以引发氯氟烯烃的氯取代基被氢取代的温度下使氯氟烯烃与氢气接触以制得含氟烯烃，其中所述催化剂是包含铬、镍以及选自钾和铯的任选碱金属的组合物本发明还公开了用于氯氟烯烃加氢脱氯反应的催化剂组合物以及制备此类催化剂的方法，所述催化剂组合物包含铜、镍和选自钾和铯的碱金属。
加氢制备氟化烯烃方法

[发明专利]卤化铅铯钙钛矿量子点胶体及量子点荧光粉制备方法-CN201811213746.5有效
发明人：刘虎;何海洋;朱怡远;王立 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种卤化铅铯钙钛矿量子点胶体及量子点荧光粉制备方法，其中，量子点胶体制备方法中包括：按照比例混合碳酸铯、油酸和十八烯，得到油酸铯溶液；按照比例混合卤化铅、油酸和十八烯得到溶液后，添加3‑氨基丙基三乙氧基硅烷嫁接制备得到卤化铅前驱体；将油酸铯溶液注入卤化铅前驱体容器中，经离心获得粗量子点；将粗量子点水解预设时间后离心，获得有机硅包覆的量子点，经环己烷洗涤之后将其溶解在甲苯溶液中获得有机硅包覆的量子点胶体；将有机硅包覆的量子点胶体，根据使用需求与乙基纤维素按比例混合获得卤化铅铯钙钛矿量子点胶体，其分别采用了3‑氨基丙基三乙氧基硅烷和乙基纤维素双层化学成键包覆，得到高稳定性的卤化铅铯钙钛矿量子点胶体。
卤化铅铯钙钛矿量子胶体荧光粉制备方法

[发明专利]一种卤铜铯晶体的制备方法-CN202111219006.4有效
发明人：刘满营;范二闯;郑直 -专利权人：许昌学院
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C01G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种卤铜铯晶体的制备方法。首先制备晶体母液：按铜与铯的原子比为2：1称量铜源和铯源；将称量好的铜源、铯源、氢卤酸混合均匀，氢卤酸过量，装入密闭反应釜中进行水热反应形成卤铜铯CsCu2X3晶体母液；卤铜铯晶体生长：在上述卤铜铯母液中，缓慢加入晶体生长剂，合成卤铜铯CsCu2X3铜铯晶体，解决了卤铜铯晶体的制备难题，为卤铜铯晶体的制备提供了新思路。
一种卤铜铯晶体制备方法

[发明专利]用于硅精炼的方法和装置-CN200980157371.8无效
发明人：彼得·多德;阿塔纳西奥斯·汤姆·巴尔科斯;杰弗里·道金斯 -专利权人：阿里斯技术公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C01B33/039 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产氯硅烷(主要为三氯硅烷)以及从这些氯硅烷沉积高纯度多晶硅的方法和相应的材料。氯硅烷生产的来源包括共晶或亚共晶铜硅，所述铜硅的浓度范围为10至16wt％硅。将共晶或亚共晶铜硅浇铸成适合于氯化反应器的形状，其中它被暴露于工艺气体，该工艺气体至少部分地由HCl组成。该气体在共晶或亚共晶铜硅的表面进行反应并以挥发性氯硅烷的形式提取硅。消耗的共晶或亚共晶材料其后可以以这样的方式再循环以致补充提取的硅的量并将材料再铸成所期望的材料形状。
用于精炼方法装置

[发明专利]用于生产氯硅烷的方法和装置-CN200980157368.6无效
发明人：彼得·多德;阿塔纳西奥斯·汤姆·巴尔科斯;杰弗里·道金斯 -专利权人：阿里斯技术公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产氯硅烷(主要为三氯硅烷)和从这些氯硅烷沉积高纯度多晶硅的方法和有关材料。用于氯硅烷生产的来源包括共晶或亚共晶铜-硅，所述铜-硅的浓度范围为10wt％至16wt％硅。将共晶或亚共晶铜-硅浇铸成适合于氯化反应器的形状，在氯化反应器它暴露于工艺气体，该工艺气体至少部分地由HCl组成。气体在共晶或亚共晶铜-硅的表面进行反应并以挥发性氯硅烷的形式提取硅。其后可以以致补充所提取的硅量并将材料重铸成所期望的材料形状的方式再循环利用废弃的共晶或亚共晶材料。
用于生产硅烷方法装置

[发明专利]用工业硅废料制备锂离子电池多孔硅复合负极材料的方法-CN201210526156.4无效
发明人：杨裕生;王维坤;邱景义;余仲宝;李萌;苑克国;王安邦 -专利权人：中国人民解放军63971部队
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明属于电化学领域，特别涉及锂离子电池负极材料和含硅工业废料的再利用。硅烷和三氯氢硅是制备有机硅聚合物及多晶硅的重要原料，其生产过程中产生的含硅工业废料产量巨大。通常此废料在回收其中铜(残留的催化剂)后，即作为泥土填埋。本发明对此工业废料进行洗涤、分选、粉碎等预处理后再进行碳包覆，得到的多孔硅/碳/铜复合材料用作锂离子电池的负极材料。此材料中的硅具有丰富的孔结构，其多孔结构及包覆的碳层能降低硅在嵌脱锂过程中发生的体积膨胀-收缩，所含的铜及包覆的碳层，可提高硅基负极材料的导电性，从而提高硅基负极材料的比容量及循环性能。本发明既实现了工业废料的再利用，又为锂离子电池高比容量硅负极材料的制备提供了一条廉价、实用的新途径。
用工废料制备锂离子电池多孔复合负极材料方法

[发明专利]一种苯基氯硅烷的制备方法-CN201811551861.3有效
发明人：田博;何岩;孙启魁;边路路;周锐;申学燕 -专利权人：万华化学集团股份有限公司;万华化学（宁波）有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C07F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种苯基氯硅烷的制备方法，所述制备方法包括下述步骤：(1)将硅粉、铜催化剂和含钠化合物加入反应器中；(2)通入硅‑铜触体改性剂在300‑500℃条件下对硅‑铜触体预处理；(3)将预处理过的硅‑铜触体与组成为Cu‑CuO‑Cu2O‑CuCl的四元铜粉催化剂混合，加入反应器中；(4)通入氯苯，控制反应温度400‑700℃，反应制备苯基氯硅烷单体。该方法铜催化剂用量少，氯苯转化率高，苯基氯硅烷选择性好，产物中具有较高经济价值的二苯基二氯硅烷收率高，提高了直接法制备苯基氯硅烷的经济性。
一种苯基硅烷制备方法

[发明专利]多金属氧化物催化剂及其制备方法-CN201110265126.8有效
发明人：王学丽;葛汉青;薛慧峰;刘肖飞;景志刚;南洋;曹建明;李燕;蒋满俐;潘曦竹;顾青;柏介军;边虎;王书峰 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： B01J23/887 文献下载
摘要：本发明涉及一种多金属氧化物催化剂及其制备方法，该催化剂的主要组成可由通式MoaBibFecCodCseCufSigAhBiOj表示，其中：Mo是钼，Bi是铋，Fe是铁，Co是钴，Cs是铯，Cu是铜，Si是硅，硅是催化剂中加入的载体，A是选自锌、锰、铌、锆、钒中的至少一种元素；B是选自镁、锶和钨中的至少一种元素；O是氧。本发明催化剂具有复层结构，可以有效降低单管反应器局部热积聚，具有反应活性和选择性高、使用寿命长的特点。
金属氧化物催化剂及其制备方法

[发明专利]制备二有机二卤代硅烷的方法-CN201180019329.7有效
发明人： D·卡佐利斯;罗伯特·托马斯·拉森 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：一种制备二有机二卤代硅烷的方法，所述方法包括以下单独的且连续的步骤：(i)在从500℃至1400℃的温度下，使铜催化剂与包含氢气和四卤化硅的混合物接触以形成包含至少0.1％(w/w)的硅的含硅的铜催化剂，其中铜催化剂选自铜以及包含铜和选自金、镁、钙、铯、锡和硫的至少一种元素的混合物；及(ii)在从100至600℃的温度下，使含硅的铜催化剂与有机卤化物接触以形成至少一种二有机二卤代硅烷。
制备有机二卤代硅烷方法

[发明专利]一种氯铜矿与硅钙质矿物浮选分离方法-CN201510227200.5在审
发明人：魏宗武;林美群;杨雄斌;邓建;杜盼;黄威 -专利权人：广西大学
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： B03D1/00 文献下载
摘要：一种氯铜矿与硅钙质矿物浮选分离方法，采用酸性水玻璃、六偏磷酸钠及栲胶作为硅钙质矿物的抑制剂，用碳酸钠作pH调整剂、用硫化钠、硫酸铜作氯铜矿的活化剂，用十八胺及油酸钠作氯铜矿的捕收剂。采用本发明能够有效将氯铜矿与硅钙质矿物浮选分离，在给矿铜含量为6.93～8.76％条件下，经过一次粗选三次扫选两次精选，获得铜含量为42.26～46.59％、回收率为72.67～77.60％的氯铜矿精矿
一种铜矿钙质矿物浮选分离方法

[发明专利]采用无铂纯含铜催化剂的硅氢化-CN03822078.4无效
发明人： B·T·源 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2003-09-05 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：在纯的无铂含铜催化剂存在下，通过烯烃卤化物与有机硅氢化物进行硅氢化反应制备氯丙基硅烷。可在本方法中使用有机硅氢化物例如三乙基硅烷，烯烃卤化物例如烯丙基氯，以及催化剂例如醋酸铜、氯化铜、硫酸铜、氢氧化铜、硝酸铜和氰化铜。
采用无铂纯含铜催化剂氢化

[发明专利]一种直接法生产苯基氯硅烷的方法-CN202110337859.1有效
发明人：廖立;颜岭;王海栋;黄晓辉;冷江子 -专利权人：江西蓝星星火有机硅有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C07F7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种直接法生产苯基氯硅烷的方法，所述方法包括以下步骤：(一)活化步骤：使用金属氟氢化物对硅粉和铜催化剂进行活化，得到活化的硅铜触体；(二)反应步骤：将所述活化的硅铜触体与氯苯反应，制备苯基氯硅烷本发明使用金属氟氢化物对硅粉和铜催化剂形成的硅铜触体进行活化，改善氯苯与硅铜触体的接触情况，所述金属氟氢化物在活化温度下分解成氟化氢和金属氟化盐，这两种化合物均对硅粉和铜催化剂均有刻蚀作用，能够对硅粉进行表面修饰，有利于铜催化剂在硅粉上的附着，形成高活性的硅铜触体；同时将硅粉表面的二氧化硅刻蚀掉，促进氯苯与硅粉的反应速率。
一种直接生产苯基硅烷方法

[发明专利]化合物氟氯代硼锌酸铯和氟氯代硼锌酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途-CN201910942723.6在审
发明人：俞洪伟;周金杰;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：化合物氟氯代硼锌酸铯和氟氯代硼锌酸铯非线性光学晶体及制备方法和用途，化合物氟氯代硼锌酸铯及氟氯代硼锌酸铯非线性光学晶体化学式均为CsZn2BO氯代硼锌酸铯采用固相反应法合成，氟氯代硼锌酸铯非线性光学晶体采用高温熔液法或者提拉法生长，该氟氯代硼锌酸铯非线性光学晶体紫外吸收截止边小于200nm。
化合物氟氯代硼锌酸铯非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种Cu基钙钛矿溴铜铯晶体的制备方法-CN202111323684.5在审
发明人：郑直;范二闯;刘满营;张艳鸽 -专利权人：许昌学院
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C01G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu基钙钛矿溴铜铯晶体的制备方法及潜在应用。按铜与铯的原子比为1：2称量铜粉和溴化铯；将称量好的铜粉、溴化铯、过量氢溴酸混合均匀，装入反应釜中，在一定温度下进行水热反应，反应一段时间，形成溴铜铯Cs2CuBr4晶体母液；然后在上述母液中加入生长剂，在加热情况下缓慢挥发掉溶剂，然后经过洗涤、干燥，合成纯的溴铜铯Cs2CuBr<本发明直接用Cu粉和CsBr作为铜源和铯源，通过水热反应和晶体生长技术成功得到纯净的溴铜铯晶体，此合成方法过程简单、成本低、产率高，适合大规模生产。为以后溴铜铯在光电探测器、太阳能电池、LED等领域的大规模应用提供技术的支持。
一种 cu 基钙钛矿溴铜铯晶体制备方法

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