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[发明专利]半导体装置及具有该半导体装置的半导体封装结构-CN201110100055.6有效
发明人：邱基综 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：该半导体装置包括一半导体基板、一背面介电层、数个第一背面球下金属焊垫及一第一背面球下金属平面。该背面介电层邻接于该半导体基板的一背面。这些第一背面球下金属焊垫位于该背面介电层上。该第一背面球下金属平面位于该背面介电层上，且具有数个穿孔。这些第一背面球下金属焊垫设置于这些穿孔内，且该第一背面球下金属平面及这些第一背面球下金属焊垫之间具有一间距。藉此，形成这些第一背面球下金属焊垫及该第一背面球下金属平面的成本较低。
半导体装置具有封装结构

[发明专利]晶圆封装结构-CN201410782466.1有效
发明人：高国华 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆封装结构，包括：衬底，所述衬底表面具有导电金属垫；位于衬底上的金属核，所述金属核凸出于所述衬底的表面；包覆于所述金属核的顶面和侧面的球下金属层；形成于所述球下金属层表面的凸点结构。本发明的有益效果在于，增加了凸点结构与球下金属层之间的接触面，且包覆有球下金属层的金属核的一部分伸入凸点结构，这样增加了凸点结构与球下金属层之间的结合强度，凸点结构与球下金属层的结构更加稳定，不易发生脱落
封装结构

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201110071081.0有效
发明人：赵亚俊;高国华 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体装置的制造方法，包括：在圆片表面形成一次保护层；在一次保护层上沉积金属种子层；在金属种子层上形成再配线并在再配线的表面形成金属连接柱；在金属连接柱上焊接金属焊球；以及在具有金属连接柱和再配线的圆片表面形成二次保护层，金属焊球部分露出二次保护层。本发明增强了金属焊球和球下金属层的连接强度，并降低了金属焊球和球下金属层的导电电阻。
半导体装置制造方法

[发明专利]芯片封装结构-CN201210443748.X有效
发明人：林仲珉 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极，所述球下金属电极具有电极体部和电极尾部，所述电极体部位于所述球下金属电极底部且与所述金属焊盘相接，所述电极尾部位于所述球下金属电极顶部；位于所述球下金属电极表面的焊球。本发明的芯片封装结构的球下金属电极和焊球之间的附着力强，可靠性高。
芯片封装结构

[实用新型]芯片封装结构-CN201220586931.0有效
发明人：林仲珉;石磊;吴晓纯 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极，所述球下金属电极具有电极体部和电极尾部，所述电极体部位于所述球下金属电极底部且与所述金属焊盘相接，所述电极尾部位于所述球下金属电极顶部；位于所述球下金属电极表面的焊球。本实用新型的芯片封装结构的球下金属电极和焊球之间的附着力强，可靠性高。
芯片封装结构

[发明专利]晶圆级封装方法-CN201410784542.2有效
发明人：高国华 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级封装方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有导电金属垫；在所述导电金属垫上形成凸出于衬底表面的金属核；在所述金属核顶面和侧面包覆球下金属层；在所述球下金属层表面形成凸点结构。本发明的有益效果在于：增加了凸点结构与球下金属层之间的结合强度，凸点结构与球下金属层的结构更加稳定，不易发生脱落，进而提升了封装结构的机械稳定程度，并增强了封装结构的热传导性和电传导性。
晶圆级封装方法

[发明专利]芯片封装方法-CN201210444096.1有效
发明人：林仲珉;石磊;吴晓纯 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种芯片封装方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有金属焊盘和绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；在所述金属焊盘上形成球下金属电极，所述球下金属电极具有电极体部和电极尾部，所述电极体部位于所述球下金属电极底部且与所述金属焊盘相接，所述电极尾部位于所述球下金属电极顶部；在所述球下金属电极表面形成焊球。
芯片封装方法

[实用新型]一种上流式液相加氢的加氢反应器-CN201920547389.X有效
发明人：关明华;徐大海;崔国英;李扬;牛世坤;丁贺;陈光;李士才;樊红青 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司大连石油化工研究院
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C10G45/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种上流式液相加氢的加氢反应器，其包括：进料口；出料口；催化剂床层；第一金属层，其设置在催化剂床层的上方，该第一金属层为金属网和/或格栅，第一金属层的孔径小于催化床层中催化剂的粒径；多个上瓷球层，其设置在第一金属层的上方，各个上瓷球层的粒径从下向上逐渐变大；第二金属层，其设置在催化剂床层的下方，该第二金属层为金属网和/或格栅；多个下瓷球层，其设置在第二金属层的下方，各个下瓷球层的粒径从上向下逐渐变大；以及折流层，其设置在多个下瓷球层与进料口之间。本实用新型设置多个瓷球层，可重新分布物流，避免气相析出；设置折流层能够对物料起到分散、溶氢和缓冲的作用，延长本实用新型的使用寿命。
瓷球层第一金属层本实用新型催化剂床层第二金属层粒径逐渐变大金属网进料口格栅折流加氢反应器从上向下催化床层使用寿命液相加氢重新分布析出出料口上流式缓冲溶氢物流催化剂

[发明专利]芯片封装方法-CN201210444530.6有效
发明人：林仲珉;沈海军 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种芯片封装方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有金属焊盘和绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；在所述金属焊盘上形成球下金属电极；在所述球下金属电极表面形成焊球，所述焊球具有第一围裙结构，所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的金属焊盘。本发明的芯片封装方法增大了焊球和金属焊盘之间的附着力，提升了芯片封装的可靠性。
芯片封装方法

[发明专利]集成电路装置-CN201010597690.5有效
发明人：杨庆荣;黄章斌;刘醇鸿;唐修敏;陈英儒;邵栋梁;陈宪伟;蔡豪益;李明机 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路装置，包括一裸片，其包括一金属垫；一保护层；以及一图案化缓冲层，位于上述保护层的上方，其中上述图案化缓冲层包括彼此隔开的多个分离部分；一焊球下金属层，位于上述图案化缓冲层的一开口和上述保护层的一开口中；一金属凸块，位于上述焊球下金属层的上方且电性耦合至上述焊球下金属层。
集成电路装置

[发明专利]具有凸块的芯片及具有凸块的芯片的封装结构-CN200910131145.4有效
发明人：杨国宾 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：该芯片包括芯片本体、至少一穿导孔、保护层、球下金属层及至少一凸块。该穿导孔贯穿该芯片本体，且显露于该芯片本体的表面。该保护层位于该芯片本体的表面上，该保护层具有至少一开口，该开口显露该穿导孔。该球下金属层位于该保护层的开口，且连接该穿导孔。该凸块位于该球下金属层上，其包括第一金属层、第二金属层及第三金属层。该第一金属层位于该球下金属层上。该第二金属层位于该第一金属层上。该第三金属层位于该第二金属层上。由此，该凸块可连结二个芯片，使该芯片可堆叠，以提高产品密度，进而缩小产品尺寸。
具有芯片封装结构

[实用新型]一种杀菌保健球-CN201320322821.8有效
发明人：林鹏 -专利权人：东莞市精伦金属制品有限公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： A61M35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种杀菌保健球，其包括呈椭球体状且中空的金属球体，金属球体包括上金属球壳和下金属球壳，上金属球壳与下金属球壳扣接；金属球体的外表面均匀涂覆有偶联剂层，偶联剂层的外表面均匀涂覆有银浆层。金属球体采用分体式结构设计，且上金属球壳与下金属球壳采用扣接方式装配于一起，加工装配方便且制备成本低；中空椭球体状结构设计的金属球体，一方面能够减轻重量较以方便握持，另一方面能够使得金属球体在握持的情况下与皮肤保持较大的接触面积工作时，银浆层的银离子与细菌接触并将细菌杀死，偶联剂层主要是为了加强银浆层的附着能力，进而增强整体结构的稳定可靠性。故而，本实用新型具有灵活性强且使用非常方便的优点。
一种杀菌保健球

[发明专利]芯片封装结构-CN201210444502.4有效
发明人：林仲珉 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极；位于所述球下金属电极表面的焊球，所述焊球具有第一围裙结构，所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的部分金属焊盘。本发明的芯片封装结构增大了焊球和金属焊盘之间的附着力，提升了芯片封装的可靠性。
芯片封装结构

[实用新型]芯片封装结构-CN201220586656.2有效
发明人：林仲珉;沈海军 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极；位于所述球下金属电极表面的焊球，所述焊球具有第一围裙结构，所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的金属焊盘。本实用新型的芯片封装结构增大了焊球和金属焊盘之间的附着力，提升了芯片封装的可靠性。
芯片封装结构

[发明专利]一种双层球型超宽带太赫兹波吸收器-CN201811194725.3在审
发明人：方波;高艳姣;戚岑科;蔡晋辉 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层球超宽带太赫兹波吸收器。它包括底层金属层、下球层和上球层；其中金属层位于最底层，下球层位于中间层，上球层位于顶层，上下球层中的小球半径大小均相同，且同一球层中的球心均在同一水平面上，上下球层紧密叠加。
球层超宽带太赫兹波吸收器球心底层金属层同一水平金属层中间层最底层顶层球型小球叠加紧凑吸收

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