专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种硼掺杂石墨增强铜复合材料及其制备方法-CN202110045838.2有效
  • 杨名;李铁军;刘文祎;王耀奇;侯红亮 - 中国航空制造技术研究院
  • 2021-01-14 - 2022-03-04 - C22C9/00
  • 本发明涉及金属复合材料技术领域,具体公开了一种硼掺杂石墨增强铜复合材料及其制备方法。本发明的铜复合材料以硼掺杂石墨作为增强体,有效增加了铜与石墨的结合界面,改善了界面电子传输。其中,硼掺杂石墨是在完整的石墨片层上进行硼掺杂,基本不会破坏石墨的结构完整性。硼掺杂之后石墨的电子传输性能更好,同时可以在石墨与铜基底之间形成Cu‑B‑C键,兼顾界面结合和电子传输。本发明将石墨掺杂、铜原料与增强体混合、热处理等工艺相结合,成功制备了硼掺杂石墨均匀分布的铜复合材料。实验证明,硼掺杂石墨增强铜复合材料的拉伸强度不低于308.6MPa,电导率不低于90.6%IACS。
  • 一种掺杂石墨增强复合材料及其制备方法
  • [发明专利]α-氰丙烯酸酯-CN02825542.9无效
  • P·普拉特;N·格策;M·雷克;A·兰德斯;C·扎加尔;M·维切尔;K·格罗斯曼 - 巴斯福股份公司
  • 2002-12-17 - 2005-04-13 - C07C255/30
  • 描述了式(I)的α-氰丙烯酸酯,其中:R1为ORa,其中Ra为氢,取代的烷基,支化的烷基,支化的链,环烷基,条环,芳,苯基烷基或烷基亚氨基;为NRbRc,其中Rb为氢,可以被取代的烷基,链,炔;Rc为氢,可以被取代的烷基,链,炔,环烷基,杂环,芳,苯基烷基或烷基亚氨基;或Rb和Rc形成可以被取代的亚烷基链;或为SRd,其中Rd为氢,可以被取代的烷基,链,炔,环烷基,杂环,芳,苯基烷基或烷基亚氨基;R2为可以被取代的烷基;为链或炔;R3为可以被取代的烷基;为链或炔;R4为氢,卤素,氰或烷基;以及它们的可农用盐;制备它们的方法和中间体;以及这些化合物或包含这些化合物的组合物在防治不希望的植物中的用途。
  • 丙烯酸酯
  • [实用新型]一种无电辐射石墨电热膜的接线结构-CN202022108103.3有效
  • 滕翔升;滕洪福;张迎迎 - 山东绿品佳智能科技有限公司
  • 2020-09-23 - 2021-09-21 - H05B3/00
  • 本实用新型公开了一种无电辐射石墨电热膜的接线结构,由下发热片、绝缘片、上屏蔽片和电源线组成,其中电源线由火线、零线和地线构成,所述的下发热片包含下绝缘片、石墨发热层和2个电源连接片,所述石墨发热层喷涂在下绝缘片上侧,2个所述的电源连接片分别固定在下绝缘片上侧两端,且分别与石墨发热层小电阻接触;所述的上屏蔽片包含上绝缘片、导电材料和屏蔽连接片,所述导电材料喷涂在上绝缘片下侧,所述屏蔽连接片固定在上绝缘片下侧中间位置,且与导电材料小电阻接触;所述的下发热片、绝缘片、上屏蔽片压合在一起形成无电辐射石墨电热膜,利用这种技术可解决石墨电热膜的电磁辐射问题。
  • 一种辐射石墨电热接线结构
  • [发明专利]吡啶-吡唑衍生物、其制备方法及其作为除草剂的应用-CN99806264.2无效
  • K·奈贝尔;A·德梅斯马克 - 诺瓦提斯公司
  • 1999-05-18 - 2001-06-27 - C07D401/04
  • ,C3-C6-链,C3-C6-卤代链,C3-C6-炔,C1-C4-烷基磺酰,C1-C4-卤代烷基磺酰,C2-C4-链磺酰或C2-C4-卤代链磺酰;R3为氢,C1-C4-烷基,C1-C4-卤代烷基,C1-C4-羟基烷基,C2-C6-链,C2-C6-卤代链,C2-C6-炔,卤素,氰,NH2C(S)-,硝基,OHC-或R18R19N-;R18和R19彼此独立地为氢,C1-C4-烷基,C1-C4-卤代烷基,C3-C4-链,C3-C4-卤代链,C3-C6-环烷基,C3-C6-炔,C1-C6-烷基羰基,C1-C6-卤代烷基羰基,C2-C6-链羰基,C2-C6-卤代链羰基,C1-C6-烷基磺酰或C1-C6-卤代烷基磺酰;n1为0,1或2;R4表示氢,C1-C4-烷基,C1-C4-卤代烷基,C3-C6-链,C3-C6-卤代链,C3-C6-炔或C3-C6-环烷基;R5表示氢,卤素,C1-C4-烷基,C1-C4-卤代烷基,氰,硝基,氨基,NH2C(S)-,C1-C4-烷基羰基,C1-C4-卤代烷基羰基,C2-C4-链羰基,C2-C4-卤代链羰基或C2-
  • 吡啶吡唑衍生物制备方法及其作为除草剂应用

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