专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]动态随机存取存储器多字线直接刷新管理-CN202310048419.3在审
  • 金康永;陆洋 - 美光科技公司
  • 2023-01-17 - 2023-07-25 - G11C11/4078
  • 用于响应于存储器排组中的锤击错误的多字线直接刷新操作的系统和方法。手段包含:通过锤击缓解组件检测存储器排组中的锤击错误;以及接着通过锤击缓解组件触发对所述锤击错误的响应。此外,存储器控制器基于计数器策略从模式寄存器接收数据,从而选择待对所述存储器排组内的多个受害者存储器执行的多字线直接刷新操作的类型,其中所述多个受害者存储器跨越多个存储器子排组分散。所述手段包含同时对所述多个受害者存储器执行所选择的多字线直接刷新操作。
  • 动态随机存取存储器多字直接刷新管理
  • [发明专利]半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统-CN202211609158.X在审
  • 吴台荣 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-14 - 2023-10-17 - G11C11/401
  • 所述半导体存储器装置包括锤击管理电路和刷新控制电路。锤击管理电路对每个存储器单元的访问次数进行计数,以将计数值作为计数数据存储在每个存储器单元的计数单元中。锤击管理电路中的锤击地址队列存储被密集访问的候选锤击地址;响应于候选锤击地址的数量达到第二数量,转变提供给存储器控制器的错误信号的逻辑电平,并且响应于候选锤击地址的数量达到第一数量,输出候选锤击地址中的一个作为锤击地址刷新控制电路对物理上邻近于对应于锤击地址的存储器单元的牺牲存储器单元执行锤击刷新操作。
  • 半导体存储器装置包括系统
  • [发明专利]半导体存储器装置和包括其的存储器系统-CN202210857130.1在审
  • 赵成龙;金基兴;金惠兰 - 三星电子株式会社
  • 2022-07-20 - 2023-01-24 - G11C11/406
  • 半导体存储器装置包括:存储器单元阵列,其包括多个存储器单元锤击管理电路和刷新控制电路。锤击管理电路响应于来自外部存储器控制器的激活命令对与多个存储器单元中的每一个关联的访问次数进行计数,以将计数值作为计数数据存储在多个存储器单元中的每一个中;锤击管理电路基于计数值确定与多个存储器单元中的被密集访问超过预定参考次数的至少一个存储器单元关联的锤击地址;并且锤击管理电路执行内部读取‑更新‑写入操作。刷新控制电路接收锤击地址,并且对物理地邻近于与锤击地址对应的存储器单元的受害存储器单元执行锤击刷新操作。
  • 半导体存储器装置包括系统
  • [发明专利]锤击防御方法、装置及内存控制器-CN202211659657.X在审
  • 朱梦尧;刘鸿瑾;张绍林;谢冰;李健 - 北京轩宇空间科技有限公司
  • 2022-12-22 - 2023-04-28 - G11C11/4078
  • 本发明涉及存储器领域,公开了锤击防御方法、装置及内存控制器,应用于内存控制器,通过对内存控制器发送的激活命令进行行激活计数,从数量庞大的激活命令中过滤掉正常的激活命令,只对激活次数超过第一阈值的目标地址进行行锤击检测,若锤击检测结果为存在行锤击攻击,则反馈异常信号至内存控制器,以降低所述目标地址对应的激活命令的发送密度,从而实现行锤击防御的目的,本发明不需要为每一地址分配计数器,从而节省了大量资源,在实现行锤击防御的同时,降低了资源占用率,实现以更少的资源占用的激活计数方式实现行锤击防御的目的。
  • 行锤击防御方法装置内存控制器
  • [发明专利]半导体存储器、刷新方法和电子设备-CN202210370026.X在审
  • 卢欢 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-08 - 2023-10-24 - G11C11/402
  • 本公开实施例提供了一种半导体存储器、刷新方法和电子设备,该半导体存储器包括主存储区域和标记存储区域,主存储区域中设置多个存储,标记存储区域中设置多个第一标志位;其中,每一存储与一个第一标志位具有对应关系,且第一标志位用于指示存储是否为锤击事件的锤击。这样,由于半导体存储器中新增了标记存储区域,通过第一标志位可以标记锤击事件的锤击,明确锤击的攻击对象,能够提高行锤击事件的处置效果且节省功耗。
  • 半导体存储器刷新方法电子设备
  • [发明专利]用于控制锤击的存储器件及方法-CN202211409306.3在审
  • 赵诚珍 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-10 - 2023-06-09 - G11C7/10
  • 提供了用于控制锤击的存储器件和方法。该存储器件包括:存储单元阵列,包括字线和存储字线的访问计数值的多个计数器存储单元;以及控制逻辑电路,被配置为在行锤击监测时间范围期间监测访问字线的地址,并在访问字线的次数大于或等于阈值时,将地址确定为锤击地址,其中,锤击地址要被存储在地址存储器中。控制逻辑电路还被配置为基于指示在地址存储器中不存在用以存储锤击地址的空闲空间的锁存满信号的激活,阻拦对下一锤击地址的确定操作。
  • 用于控制行锤击存储器件方法
  • [发明专利]具有存储器过程反馈的设备-CN202211602248.6在审
  • S·V·艾亚普利迪 - 美光科技公司
  • 2022-12-13 - 2023-07-04 - G11C11/4078
  • 控制器可监测存储器活动,例如过程,识别锤击侵害者,且对所述锤击侵害者执行减轻步骤。所述控制器可具有锤击侵害者的地址表,且执行跟踪锤击侵害者的操作。所述控制器可确定侵害者的数目是否达到阈值。所述操作系统可对所述锤击侵害者执行减轻步骤。在一些实施例中,所述控制器可识别所述锤击侵害者且将中毒数据注入所述过程中以减轻所述锤击侵害者。
  • 具有存储器过程反馈设备
  • [发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN202211323041.5在审
  • 赵诚慧;李起准;李明奎;李恩爱;朴炳奎;宋英杰 - 三星电子株式会社
  • 2022-10-27 - 2023-05-12 - G06F12/06
  • 半导体存储器装置包括:包括多个存储器单元的存储器单元阵列、锤击管理电路和刷新控制电路。锤击管理电路在参考时间间隔期间,从外部存储器控制器捕获伴随有从激活命令随机选择的第一激活命令的地址,每个激活命令具有一致的第一选择概率;并且在参考时间间隔期间,从捕获的地址中多次选择至少一个地址作为锤击地址,选择的次数与对应于至少一个地址的激活命令的访问计数成比例。刷新控制电路接收锤击地址,并且对与对应于锤击地址的存储器单元物理地相邻的一个或多个受害存储器单元执行锤击刷新操作。
  • 半导体存储器装置及其操作方法
  • [发明专利]存储器控制器和包括该存储器控制器的存储器系统-CN202211378100.9在审
  • 金浩渊 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-04 - 2023-05-09 - G06F21/56
  • 该存储器控制器包括访问模式分析器、锤击预测神经网络和存储器接口。访问模式分析器基于访问模式来生成访问模式分析,该行访问模式与在刷新间隔之后的参考时间间隔期间对半导体存储器装置的多个存储器单元的一部分的访问相关联,在该刷新间隔期间存储器单元被刷新。锤击预测神经网络基于访问模式分析预测发生锤击的概率。响应于概率等于或大于参考值,锤击预测神经网络生成锤击地址、指示锤击发生的警报信号、以及弃置行列表。存储器接口将锤击地址、弃置行列表和警报信号发送到半导体存储器装置。
  • 存储器控制器包括系统

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