专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]动力电池盖板激光焊接和刻码设备-CN202310703895.4在审
  • 杨亚涛;袁健;陶凯;米云 - 深圳市大德激光技术有限公司
  • 2023-06-14 - 2023-10-24 - B23K26/21
  • 本发明公开了一种动力电池盖板激光焊接和刻码设备,包括:第一转盘输送机构,其上依次设有第一上料工位、刻码工位和第一下料工位;刻码机构,设置在刻码工位的上方,用于在铝基板上进行激光刻码;第二转盘输送机构,其上依次设有第二上料工位、防爆阀上料工位、焊前检测工位、焊接工位、焊后检测工位以及第二下料工位;直线输送机构组,对第一转盘输送机构上的铝基板进行上料和下料。将刻码和焊接的过程整合在一个设备上,能够减少人工操作的物料转换,提升生产效率,实现动力电池防爆阀焊接的自动生产,并且通过两个转盘输送机构能够将铝基板输送至各个工位处进行检测和加工,对比相同产能的焊接设备占地更小,自动化程度更高,成本更低。
  • 动力电池盖板激光焊接设备
  • [发明专利]一种动力电池极简极柱旋转压焊机-CN202310964571.6在审
  • 杨亚涛;米云;袁健;陶凯 - 深圳市大德激光技术有限公司
  • 2023-08-02 - 2023-10-20 - B23K26/70
  • 本发明公开了一种动力电池极简极柱旋转压焊机,包括:焊机主体,该焊机主体包括焊机机架、安装在焊机机架上的旋转治具座机构、人工上下料机构、防呆检测机构、旋转压焊座焊接系统、焊后检测机构,旋转治具座机构上设置有多个工装治具,人工上下料机构、防呆检测机构、旋转压焊座焊接系统、焊后检测机构则依次地位于旋转治具座机构的周围,人工上下料机构与旋转压焊座焊接系统相对设置,防呆检测机构与焊后检测机构相对设置。本发明的设备尺寸优化缩小,结构去繁从简,便于维护。旋转压焊座焊接系统的结构更加稳定可靠,焊接质量更优,很大程度上提高方壳动力电池紧缺的产能;同时增加焊后视觉检测功能,生产节拍为8.8PPM,整体效率提成17%,使得焊接质量更加稳定可靠。
  • 一种动力电池极简极柱旋转压焊机
  • [发明专利]纽扣电池壳体激光焊接后视觉2D和3D检测系统-CN202310610273.7在审
  • 杨亚涛;杨顺情;高斌;刘超;陶凯 - 深圳市大德激光技术有限公司
  • 2023-05-26 - 2023-09-29 - G01N21/89
  • 本发明公开了一种纽扣电池壳体激光焊接后视觉2D和3D检测系统,包括:机械臂模块将待检测的纽扣电池壳体从震动盘上取下,并放置在检测位置上;2D视觉检测模块获取纽扣电池壳体的U形刻痕的2D图像并进行视觉检测,得到2D图像检测结果;激光扫描模块激光生成3D点云数据;3D视觉检测模块根据3D点云数据进行处理和分析,得到3D图像检测结果;报警模块;控制模块根据2D图像检测结果及3D图像检测结果判断纽扣电池壳体的U形刻痕是否合格,在确定合格时,控制机械臂模块将纽扣电池壳体移入下一检测工位;在确定不合格时,控制报警模块发出报警提示并抛料到抛料盒。对纽扣电池的U形刻痕进行自动化检测,提高了检测效率及检测准确性。
  • 纽扣电池壳体激光焊接视觉检测系统
  • [发明专利]激光器驱动电路及系统-CN202310818856.9在审
  • 王翔;杨亚涛;闭祖陆;陈敏;闫岩 - 深圳大学;深圳市大德激光技术有限公司
  • 2023-07-05 - 2023-09-19 - H01S3/10
  • 本发明提供一种激光器驱动电路及系统,其包括控制电路、采样电路以及光感电路;控制电路的输入端与上位机连接,其输出端与激光器连接;采样电路的输入端与控制电路的输出端连接,用于采集控制电路输出至激光器的输出电流;光感电路用于根据环境亮度产生相应的参考电压,光感电路的反相输入端与采样电路的输出端连接,其输出端与控制电路的输入端连接,用于根据参考电压和输出电压输出调整信号至控制电路;其中,当激光器启动时,控制电路可根据上位机的控制信号或者调整信号调整控制电路的输出电压进而引起输出电流的变化以调整激光器的亮度。本发明可以提高调整激光器亮度的便利性以及避免在调整激光器时出现其准确度降低的情况。
  • 激光器驱动电路系统
  • [发明专利]一种环面上的多密钥全同态加密方法-CN202310658823.2在审
  • 杨亚涛;赵东仓;李兆夫;董辉;张思瑶;丁渝诚 - 北京电子科技学院
  • 2023-06-05 - 2023-09-05 - H04L9/00
  • 本发明公开一种环面上的多密钥全同态加密方法,可实现多用户(多密钥)之间的同态加法和同态乘法运算。本方案包括参数生成、密钥生成、加密、同态运算和解密五个步骤,最终得到同态运算明文结果,其中同态运算算法中可分为密文扩展、算术运算、自举和密钥转换四个过程。进而设计了一个同态运算效率更高的环面上的多密钥全同态加密方法。主要解决现有多密钥同态加密算法由于自举过程复杂导致同态运算效率低的问题,以及现有环面上的多密钥全同态加密方法运算方式单一的问题。本发明提供的方案既保证算法的正确性,又能保证算法的安全性。
  • 一种面上密钥同态加密方法
  • [发明专利]一种防爆纽扣电池钢壳的加工设备-CN202310503444.6在审
  • 杨亚涛;袁健;陶凯;米云 - 深圳市大德激光技术有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-08-25 - B23K26/70
  • 本发明公开了一种防爆纽扣电池钢壳的加工设备,包括:上料机构,用于将壳体上料至定位工位处;定位模块,用于对壳体进行定位检测,并调整壳体的位置;取料机构,所述定位模块设置在取料机构上,用于将定位后的壳体移动至夹具上;激光加工模块,用于对夹具上的壳体进行加工;下料机构,用于将加工完成的壳体进行下料。通过在壳体上直接刻蚀出防爆阀,可以减少中间的焊接工序,去掉焊接工序对生产来说可以减少设备和人力的投入,避免焊接工序带来的不良品,从而降低成本;利用本发明的加工设备加工的防爆阀蚀刻精度为±0.0002mm,单套加工设备产能稳定在每天14000颗以上。
  • 一种防爆纽扣电池加工设备
  • [发明专利]一种基于多模光纤的掺铥多波长锁模光纤激光器-CN202310455908.0在审
  • 杨亚涛;蒋锋;宋宇锋;曾琼;杨延钊 - 深圳大学;深圳市大德激光技术有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-06-23 - H01S3/08022
  • 本发明公开了一种基于多模光纤的掺铥多波长锁模光纤激光器,包括依次通过单模光纤首尾相接成环形腔结构的泵浦源、光纤波分复用器、增益光纤、输出耦合器、滤波器、偏振控制器及光纤隔离器,滤波器包括多模光纤及熔接于其两端的单模光纤。本发明的基于多模光纤的掺铥多波长锁模光纤激光器通过设置由多模光纤及熔接于其两端的单模光纤组成的滤波器,以根据多模光纤的长度及其折射率分布,使得多个波长的激光可在多模光纤内进行干涉,从而发生多模干涉,输出不同的波长,且可进行波长滤波调谐,获得稳定的多波长激光输出,多模光纤的两端熔接有单模光纤的结构构成可饱和吸收体,实现被动锁模,获得稳定的多波长锁模脉冲输出,结构简单,生产成本低。
  • 一种基于光纤掺铥多波长激光器
  • [发明专利]一种电池表面焊接缺陷检测方法-CN202310058695.8在审
  • 杨亚涛;周云豪;杨延钊;李俊卿;何澐杰 - 深圳大学;深圳市大德激光技术有限公司
  • 2023-01-16 - 2023-06-23 - G06T7/00
  • 本发明公开了一种电池表面焊接缺陷检测方法,包括:获取激光焊接后的原始电池图像,且对获取的原始电池图像进行预处理,并对原始电池图像和预处理后的电池图像进行尺寸归一化处理,获得归一化电池图像;使用labelimg对获得的归一化电池图像进行标注,并构成焊接缺陷数据集;基于YOLOv5构建电池缺陷检测模型,并选取焊接缺陷数据集中的数据训练电池缺陷检测模型;将训练好的电池缺陷检测模型置于工控机上,以实时检测电池极柱焊接图像,判定电池极柱焊接是否存在缺陷。本发明电池表面焊接缺陷检测方法通过计算机视觉和深度学习领域中的目标检测结合来自动检测电池激光焊接缺陷的位置、几何以及类别信息,可准确提取电池焊接缺陷。
  • 一种电池表面焊接缺陷检测方法
  • [发明专利]绝缘体上III-V族半导体集成光子器件及其制备方法-CN202310161511.0在审
  • 赵前程;李毅;程炜仁;杨亚涛 - 南方科技大学
  • 2023-02-14 - 2023-05-16 - G02B6/13
  • 一种绝缘体上III‑V族半导体集成光子器件及其制备方法,属于半导体技术领域。绝缘体上III‑V族半导体集成光子器件的制备方法包括:在第一晶片上生长基于III‑V族半导体材料的外延层,对外延层进行图案化处理形成微纳图案,以得到图案化后的光波导器件层;在光波导器件层上沉积第一光学介质层作为波导器件的包层;将第一光学介质层与第二晶片进行键合形成异质集成晶片。先对外延生长的III‑V族半导体材料外延层进行图案化处理形成光波导器件层,然后再进行键合处理,可以避免后续的键合操作对外延层的图案化处理产生影响,进而能够提高异质集成晶片上光波导器件的成品率,提高异质集成晶片上光波导器件的集成度。
  • 绝缘体iii半导体集成光子器件及其制备方法

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