专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]薄膜相位变化记忆体-CN200510005909.7有效
  • 龙翔澜;陈逸舟 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2005-01-26 - 2006-01-18 - H01L45/00
  • 一种记忆胞,包括一化物随机存取记忆胞以及一互补式金半导体晶体管电路。互补式金半导体晶体管电路用以存取化物随机存取记忆胞。此化物随机存取记忆胞具有一横截面区域,此横截面区域由一薄膜制程,及一等向性蚀刻制程所定义。可根据需要,使此化物结构实施为与一二极管或一选择晶体管的半导体组件串联。此二极管驱使电流通过硫化物结构。在选择晶体管的一闸极端点被一电压启动后,选择晶体管进而驱使一电流通过硫化物结构。选择晶体管具有一闸极端点、一源极端点及一汲极端点。
  • 薄膜相位变化记忆体

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