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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于机动车辆的横向管总成-CN201980015165.7在审
发明人： G·R·施密特;陆坚;江海斌 -专利权人：浙江锐泰悬挂系统科技有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B62D7/20 文献下载
摘要：一种具有内部管状构件的横向管总成，在所述内部管状构件中螺纹接合可伸缩的中间螺纹杆构件。中间螺纹杆构件的外部端部构造成用于附接原始规格的外拉杆端。避免了储备非标准的外拉杆端的需要，并且避免了使用完整的可调节横向管总成修理磨损的外拉杆端的需要。
用于机动车辆横向总成

[发明专利]一种横向真空电子束管-CN202011270106.5在审
发明人：刘耀明;易星 -专利权人：黄石上方检测设备有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01J31/04 文献下载
摘要：一种横向真空电子束管，包括外壳，具有空腔结构；外壳的壳壁上设有窗口部；场发射装置，位于外壳的空腔内；场发射装置与密封法兰之间设置有中空结构的陶瓷连接头，陶瓷连接头的一端与场发射装置套接固定，另一端与密封法兰固定并穿出密封法兰；电子射出窗组件，焊接在窗口部上并与场发射装置相对应，电子射出窗组件内设置有覆盖窗口部并能透射电子用的钛箔；钛箔、端盖和密封法兰使得外壳的空腔形成密闭的真空空腔；通过将电子束管设计成横向结构，以满足目前市场上在横向小空间内对电子束管的需要，满足市场需求的多样化，同时对电子束管的内部结构进行设计，来保证电子束的稳定成型和稳定高效的射出。
一种横向真空电子束

[发明专利]横向绝缘栅双极型晶体管-CN202110589549.9在审
发明人：宋华;顾炎;陈思宇;何乃龙 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请实施例提供的横向绝缘栅双极型晶体管，包括形成于衬底上的漂移区，位于漂移区上的场氧化层，沿第一方向间隔设置的第一阱区和第二阱区；在第一阱区内设置有具有第一导电类型的衬底欧姆接触区和具有第二导电类型的源极欧姆接触区
横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种横向管排起吊装置-CN201510350099.2有效
发明人：陈力;孙厚彬;辛炜;任一平 -专利权人：上海锅炉厂有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： B66C1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种横向管排起吊装置，其特征在于，包括夹块和卡块或卡条，所述的卡块或卡条定位在夹块的上部，夹块的中部连接第一连接块，第一连接块通过第一销轴和第一开口销连接压杆，夹块下部的上侧设有定位条，压杆设于定位条上方，横向管排设于压杆和定位条之间。本发明针对锅炉部组件中的散管管排，通过使用本装置，有效提高管排的吊运及翻转速度。与此同时，在起吊过程中避免使用吊钩等工具，导致对管排起吊端产生机械损伤，便于生产车间大规模投入使用。
一种横向起吊装置

[发明专利]一种电动缸横向输管装置-CN201510107371.4有效
发明人：葛乐通;王龙;顾凯翔;江正清;李进府 -专利权人：常州大学
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： E21B19/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种电动缸横向输管装置，具体来说涉及一种采用电动缸作为动力，能实现从排管架到猫道机V型槽来回输送管柱的横向输送装置。所述的管柱自动横向输送装置由两对外翻管装置，两对翘管装置和两对推管装置组成。当进管时，先由外翻管装置提升排管架上的管柱，使管柱滚至基座面板上，然后，翘管装置与推管装置配合开始工作，使管柱平稳滚至V型槽内，从而实现管柱从排管架到V型槽的输送，同时另一端的翘板升起。以防止管柱滚到基座面板上；当出管时先由推管装置将管柱从V型槽内推到基座面板上，当管柱滚至基座面板后，翘管装置开始工作，使管柱滚至排管架上，从而实现管柱从V型槽到排管架的输送。
一种电动横向装置

[发明专利]横向绝缘栅双极型晶体管-CN201510998522.X有效
发明人：李俊宏;李平 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：超高速大电流横向绝缘栅双极型晶体管，涉及半导体功率器件。
超高速电流横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种横向夹紧式管体接头-CN201810648450.X有效
发明人：朱银德 -专利权人：江苏浩博塑业有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： F16L19/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向夹紧式管体接头，包括上连接体、下连接体、外部连接套、伸缩密封组件、夹持组件；所述的夹持组件包括内伸缩环、外伸缩环、夹持弹性体；所述的内伸缩环和外伸缩环均安装在环形夹持空腔的内部；所述的内伸缩环通过多个夹持弹性体伸缩安装在环形夹持空腔的内侧
一种横向夹紧式管体接头

[发明专利]横向高电子迁移率晶体管-CN201210117346.0有效
发明人： F.希尔勒;M.聪德尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及横向高电子迁移率晶体管。一种横向HEMT包括衬底、衬底上方的第一半导体层和第一半导体层上的第二半导体层。横向HEMT还包括栅电极、源电极、漏电极和整流肖特基结。
横向电子迁移率晶体管

[发明专利]包括横向晶体管的半导体器件-CN201710063176.5有效
发明人： F.希尔勒;A.毛德;A.迈泽;T.施勒泽 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及包括横向晶体管的半导体器件。一种半导体器件（1）包括第一导电类型的源极区（201）和漏极区（204）。
包括横向晶体管半导体器件

[发明专利]横向绝缘栅双极型晶体管-CN201410810523.2有效
发明人：祁树坤 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管，包括衬底、衬底上的阳极端和阴极端，以及位于阳极端与阴极端之间的漂移区和栅极，所述阳极端包括衬底上的N型缓冲区，N型缓冲区内的P阱，P阱内的N‑区，P阱表面的两个P+本发明在正向导通时，P+浅结、P阱纵向注入，P+浅结横向注入，实现了空穴的高效注入，降低了导通电阻；反向关断时，N型缓冲区、N‑区、N+浅结形成快速抽取少子(空穴)的路径，达到快速关断的目的，降低了关态损耗
横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]横向绝缘栅双极型晶体管-CN200610115938.3有效
发明人：内海智之;涩谷隆浩;大关正一;长谷川裕之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种防止自锁性能优良的横向绝缘栅双极型晶体管。本发明的横向绝缘栅双极型晶体管与半导体基片相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成，形成于上述多个单晶硅区域的各主表面上的条纹状的集电极夹住与该集电极相对配置的条纹状的发射极，配置于单晶硅区域的端部的集电极数是
横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]横向双扩散晶体管的制造方法-CN201911378641.X有效
发明人：韩广涛;陆阳 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开一种横向双扩散晶体管的制造方法，包括：在衬底表面依次沉积衬垫氧化层和第一硬掩模，衬底形成有彼此隔开的P型阱区和N型阱区；经由第一硬掩模的开口，在衬底中形成N型漂移区，N型漂移区与P型阱区隔开且与N型阱区邻接经由开口形成漂移区，节省了掩模，并在第一硬掩模上方沉积第二硬掩模，以使得漂移区上方的氮化物层的厚度小于其他区域的氮化物层的厚度，鸟嘴的长度增加，以降低鸟嘴区域下方的硅衬底的电场，在节省工艺成本的同时有效提升晶体管的击穿电压
横向扩散晶体管制造方法

[发明专利]横向双扩散晶体管的制造方法-CN202010864193.0有效
发明人：韩广涛 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供了一种横向双扩散晶体管的制造方法，包括：在衬底中形成漂移区；在漂移区表面形成栅氧化层和栅极导体层；在源端区域刻蚀栅极导体层和栅氧化层，注入形成体区；以光刻胶为掩模在体区内斜向注入形成第一类型注入区
横向扩散晶体管制造方法

[发明专利]横向双扩散晶体管的制造方法-CN202010926432.0有效
发明人：葛薇薇 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，提供了一种横向双扩散晶体管的制造方法，利用多次离子注入(斜向角度注入)在衬底上的注入区及注入区之间的交叠区形成第一掺杂类型的漂移区，该漂移区的掺杂浓度以该交叠区的中心沿沟道方向向两端呈梯度递减变化
横向扩散晶体管制造方法

[发明专利]横向双扩散晶体管的制造方法-CN201911378629.9有效
发明人：韩广涛;陆阳 -专利权人：杰华特微电子股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开一种横向双扩散晶体管的制造方法，包括：在衬底表面形成第一衬垫氧化层，衬底形成有彼此隔开的P型阱区和N型阱区；经由第一硬掩膜的开口，在衬底中形成N型漂移区，N型漂移区与P型阱区隔开且与N型阱区邻接；经由第一硬掩膜的开口该制造方法经由第一硬掩膜的开口来形成漂移区和第二衬垫氧化层，以增加场氧化层的鸟嘴区域边缘的厚度，降低鸟嘴区域下方衬底的电场，在节省工艺成本的同时有效提升晶体管的击穿电压。
横向扩散晶体管制造方法

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