[发明专利]横向绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 200610115938.3 | 申请日： | 2006-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1937230A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 内海智之;涩谷隆浩;大关正一;长谷川裕之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/522;H01L29/739;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张敬强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种防止自锁性能优良的横向绝缘栅双极型晶体管。本发明的横向绝缘栅双极型晶体管与半导体基片相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成，形成于上述多个单晶硅区域的各主表面上的条纹状的集电极夹住与该集电极相对配置的条纹状的发射极，配置于单晶硅区域的端部的集电极数是4个或其以上。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种横向绝缘栅双极型晶体管，其形成于具有与半导体基片绝缘隔离的单晶硅区域的介质隔离基片上，其特征在于：该横向绝缘栅双极型晶体管相互绝缘隔离地横跨相互邻接的多个单晶硅区域形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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