专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于管理转化线上的卷带材料中的缺陷的装置和方法-CN201980015464.0有效
  • 悉达尔斯·罗希亚 - 洛希亚有限公司
  • 2019-07-05 - 2022-08-26 - B31B70/00
  • 本发明涉及一种用于管理转化线上的卷带材料中的缺陷的装置。具体而言,该装置涉及识别卷带/卷带材料的有缺陷的区段,并在有缺陷的片材进入转化线的下游工艺(例如制袋)之前将其剔除。在本发明的一个关键方面中,缺陷管理装置包括缺陷检测单元(3)和缺陷管理控制单元(5),缺陷管理控制单元(5)监控行进的卷带材料(1)上的缺陷的进程,并随后识别包含待切割缺陷的卷带材料区段,缺陷管理控制单元还与转化线控制单元通信,以选择性地操作将卷带材料切割成片材的切割单元。还公开了一种用于管理卷带材料中的缺陷的方法,包括以下步骤:检测卷带材料中的缺陷,识别包含缺陷的卷带材料片材/区段,并将其从生产线剔除。
  • 用于管理转化线上材料中的缺陷装置方法
  • [发明专利]表征二维材料缺陷的方法及其应用-CN201910101478.6有效
  • 刘大猛;刘欢;王婷;雒建斌 - 清华大学
  • 2019-01-31 - 2020-11-24 - G01N21/64
  • 本发明公开了一种表征二维材料缺陷的方法及其应用,涉及纳米材料缺陷表征技术领域。表征缺陷的方法包括:分别独立地对无缺陷的二维材料衬底样品和待测二维材料衬底样品进行荧光寿命成像,根据荧光寿命的变化判断有无缺陷:如果待测二维材料衬底样品的荧光寿命高于无缺陷的二维材料衬底样品的荧光寿命,则待测二维材料衬底样品为有缺陷样品;如果待测二维材料衬底样品的荧光寿命与无缺陷的二维材料衬底样品的荧光寿命相比无明显变化,则待测二维材料衬底样品为无缺陷样品。本发明采用荧光寿命成像方法表征二维材料缺陷,该方法能够快速、直观地观察荧光寿命变化,从而判断材料有无缺陷,在室温下即可表征,不会引入新的缺陷,是一种无损检测方法。
  • 表征二维材料缺陷方法及其应用
  • [发明专利]一种磁性材料产品表面缺陷模拟方法及装置-CN202010299408.9有效
  • 艾国;张帅 - 创新奇智(重庆)科技有限公司
  • 2020-04-16 - 2023-01-20 - G06T7/00
  • 本申请提供一种磁性材料产品表面缺陷模拟方法及装置,所述方法包括:获取多组磁性材料产品的带缺陷表面图像及对应的缺陷掩码图;根据多组带缺陷表面图像及缺陷掩码图,裁剪得到多组带缺陷局部图像及对应的局部缺陷掩码图;根据多组带缺陷局部图像及局部缺陷掩码图,构建得到缺陷库;获取磁性材料产品的无缺陷表面图像;从缺陷库中选取目标缺陷图像及对应的目标缺陷掩码图;根据目标缺陷图像、目标缺陷掩码图及图像的结构相似性,在无缺陷表面图像模拟缺陷,得到模拟缺陷图像。本申请可在无缺陷表面图像模拟缺陷,得到模拟缺陷图像,为基于深度学习实现磁性材料产品表面缺陷检测的方式提供更多的训练数据。
  • 一种磁性材料产品表面缺陷模拟方法装置
  • [发明专利]一种缺陷智能标记方法、装置、系统及存储介质-CN202310423567.9有效
  • 葛铭;沈井学;魏江;李明 - 杭州百子尖科技股份有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-07-14 - B41J3/407
  • 本发明公开了一种缺陷智能标记方法、装置、系统及存储介质。该方法应用于缺陷智能标记系统,该系统包括缺陷检测设备、缺陷标记设备及控制器,包括:在目标卷状材料传输的过程中,当缺陷检测设备检测出目标卷状材料存在缺陷时,向控制器发送缺陷信号;当控制器接收到缺陷信号时,确定目标卷状材料的当前传输速度及当前缺陷位置;控制器根据当前传输速度、当前缺陷位置及预先存储的基准传输速度、初始补偿值及补偿系数,确定目标卷状材料的打标位置;当控制器检测到目标卷状材料传输至打标位置时,向缺陷标记设备发送打标信号;当缺陷标记设备接收到打标信号时,对目标卷状材料进行缺陷标记。本方案可提高对卷状材料缺陷位置标记的准确性。
  • 一种缺陷智能标记方法装置系统存储介质
  • [发明专利]一种陶瓷基复合材料基于网格空间映射的缺陷植入方法-CN202310335824.3在审
  • 艾士刚;蒋仲禾;田玄鑫;张衡;赵桂成 - 北京理工大学
  • 2023-03-31 - 2023-06-23 - G06F30/23
  • 本发明公开的一种陶瓷基复合材料基于网格空间映射的缺陷植入方法,属于仿真模型缺陷植入领域。本发明实现方法为:材料缺陷通过CT图像数据真实映射至模拟仿真有限元模型中,增加材料真实模型的准确性,能够精确获取材料内部的缺陷位置信息并定位,提高对含缺陷陶瓷基复合材料的预测精度。通过有限元计算软件对搭建的材料模型进行网格划分,依次获取理想模型中的节点及单元信息,并统计出位于图像切片间的复合材料基体模型网格节点信息,创立节点数据集,将二值缺陷图像作为背景。结合bwboundaries函数识别缺陷边界,采用inpolygon算法判定缺陷区域内的缺陷节点信息,精准判定缺陷所在位置。通过定义k值判定,将缺陷单元原始数据置空,提高缺陷植入效率。
  • 一种陶瓷复合材料基于网格空间映射缺陷植入方法
  • [发明专利]半导体结构与其制作方法-CN201910177053.3有效
  • 李永亮;马雪丽;王晓磊;杨红;李超雷;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2019-03-08 - 2022-03-04 - H01L21/336
  • 该制作方法包括;在衬底的表面上设置缺陷层,缺陷层的材料与衬底的材料不同且缺陷层中包括晶体缺陷;在缺陷层的裸露表面上设置缺陷消除层,缺陷消除层包括多个叠置的量子阱,各量子阱包括至少两个结构层,量子阱中与衬底距离最大的结构层的材料与衬底的材料不同;在缺陷消除层的裸露表面上设置包括导电沟道层的沟道结构,缺陷层的材料包括导电沟道层的材料的至少部分元素,与衬底的材料不同的结构层的材料包括导电沟道层的材料的至少部分元素。该方法使得导电沟道层在较大的厚度范围内均不会产生缺陷,从而降低了导电沟道中的缺陷的数量,进一步保证了器件具有良好的性能。
  • 半导体结构与其制作方法
  • [发明专利]一种二维材料缺陷调控与快速表征的方法-CN202210646481.8在审
  • 陈令修;王德和;王宇彤;沈宝龙 - 中国矿业大学
  • 2022-06-09 - 2022-09-16 - G01Q60/24
  • 本发明涉及一种二维材料缺陷调控与快速表征的方法,包括以下步骤:S1.制备二维材料:在非导体衬底表面进行二维材料的制备;S2.二维材料缺陷引入:将制备好的二维材料置于等离子体装置中,通入实验气体后利用等离子体对二维材料表面进行类型、密度与深度可控的缺陷引入;S3.二维材料缺陷的表征:在对二维材料进行缺陷引入后,使用原子力显微镜对其进行缺陷的快速分布表征与深度表征。上述技术方案中提供的二维材料缺陷调控与快速表征的方法,能够利用低功率等离子体辅助技术在二维材料表面进行缺陷深度可控引入,并能够对缺陷进行快速表征。
  • 一种二维材料缺陷调控快速表征方法
  • [发明专利]碳/碳化硅复合材料内部缺陷厚度测量方法-CN200910022596.4有效
  • 梅辉;成来飞;邓晓东;张立同;王东;赵东林;陈曦 - 西北工业大学
  • 2009-05-19 - 2009-10-14 - G01B15/02
  • 本发明公开了一种碳/碳化硅复合材料内部缺陷厚度测量方法,设计并制备厚度梯度变化的缺陷材料标样,利用X射线照相检测标样,将照相底片扫描成电子图片得到其灰度图像;编程计算得到图像各缺陷区域与无缺陷区域灰度的比值,建立缺陷厚度与对应灰度比值标定函数关系式;再利用标定函数去计算同种材料在相同检测条件下缺陷的厚度,实现缺陷厚度的定量测量。本方法克服了传统X射线照相无损检测方法检测缺陷厚度过程中使用黑度计一次检测面积小、误差大、测量效率低等缺点,建立材料缺陷厚度与缺陷灰度和无缺陷灰度比值的标定函数关系,实现该种材料缺陷厚度的定量测量,检测效率高
  • 碳化硅复合材料内部缺陷厚度测量方法

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