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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201611116192.8有效
发明人：桑泽和伸;佐久间盛敬;新田博明;関泽充生;远藤刚廣 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：该半导体装置具备：第一导电型的半导体基板；配置在半导体基板中的第二导电型的第一及第二埋入扩散层；配置在半导体基板上的半导体层；配置在半导体层中且在第一埋入扩散层上于俯视观察时包围半导体层的第一区域的第二导电型的第一杂质扩散区；配置在半导体层的第二埋入扩散层上的第二导电型的第二杂质扩散区；配置在半导体层的第一区域内的第二导电型的第一阱；配置在半导体层中与第二杂质扩散区相接的第二区域内的第一导电型的第二阱；配置在第一阱中的第一导电型的第三及第四杂质扩散区；配置在第二阱中的第一导电型的第五杂质扩散区。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201911088735.3在审
发明人：飞冈孝明 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：半导体装置具有第1导电型的半导体衬底和设置在半导体衬底上的纵型霍尔元件，纵型霍尔元件具备：第2导电型的半导体层，设置在半导体衬底上；第2导电型的杂质扩散层，设置在半导体层的上部且与半导体层相比为高浓度；由第2导电型的杂质区域构成的多个电极，设置在杂质扩散层的表面，并以在一条直线上排列的方式配置，所述第2导电型的杂质区域与杂质扩散层相比为高浓度；多个第1导电型的电极分离扩散层，分别设置在多个电极的各电极间，使多个电极分别分离；以及由第2导电型的杂质区域构成的埋入层，设置在半导体衬底与半导体层之间，第2导电型的杂质区域与半导体层相比为高浓度且与杂质扩散层相比为低浓度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910159643.3在审
发明人：稻塚卓也;岩崎太一;松浦修武 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：N型阱区域包括2个P型杂质扩散区域。第1栅极电极经由栅极绝缘膜设置在2个P型杂质扩散区域间的N型阱区域的上方。外延层以柱状设置在2个P型杂质扩散区域各自之上。外延层包括含有P型杂质的第1半导体层。
半导体装置

[发明专利]固体摄像器件及其制造方法和电子装置-CN201010231413.2有效
发明人：大理洋征龙;十河康则 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种固体摄像器件及其制造方法和电子装置，所述固体摄像器件包括：光电二极管，它将光信号转换成信号电荷；传输栅极，它传输来自所述光电二极管的所述信号电荷；杂质扩散层，所述信号电荷通过所述传输栅极被传输到所述杂质扩散层；以及MOS晶体管，它的栅极与所述杂质扩散层连接。所述杂质扩散层具有第一导电型半导体层和第二导电型半导体层，所述第二导电型半导体层形成在所述第一导电型半导体层中并位于所述传输栅极的端部下方。因此，能够抑制漏电流，增加转换效率，以高信噪比摄取图像。
固体摄像器件及其制造方法电子装置

[实用新型]一种锥形槽面硅二极管及其芯片-CN201721806336.2有效
发明人：陈福元;胡煜涛;毛建军;任亮;苏云清;虞旭俊 -专利权人：杭州赛晶电子有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：该二极管的芯片由上到下分别为金属层、P+型杂质扩散层、N‑型原始硅单晶层、N+型杂质扩散层、金属层；硅芯侧面为垂直PN结台面。芯片表面呈网格状分布有若干锥形槽；每个锥形槽处，P+型杂质扩散层向下凹陷形成倒正四棱锥面，且芯片不同位置处的P+型杂质扩散层厚度相同。
杂质扩散层锥形槽硅二极管芯片本实用新型金属层硅芯半导体器件制造产品性价比规模化生产网格状分布二极管电流容量工艺简化四棱锥面向下凹陷芯片表面由上到下硅单晶位置处倒正垂直侧面

[发明专利]半导体存储装置-CN200580018332.1有效
发明人：森下玄;有本和民 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-06-03 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：存储晶体管(STr)中设有杂质扩散区(22，24)、沟道形成区(23a)、电荷蓄积节点(23b)、栅极氧化膜(18)和栅电极(19)。栅电极(19)连接在栅极线(GL)上，杂质扩散区(24)连接在源极线(5L)上。存取晶体管(ATr)含有杂质扩散区(20，22)、沟道形成区(21)、栅极氧化膜(16)和栅电极(17)。杂质扩散区(20)与位线(BL)连接。
半导体存储装置

[发明专利]固态摄像器件和固态摄像装置-CN201980017570.2在审
发明人：福井大伸 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该固态摄像器件设置有：半导体基板，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且具有针对各像素区域设置的光电转换单元；杂质扩散区域，其针对各所述像素区域设置在所述半导体基板的所述第一表面附近；以及接触电极，其从所述第一表面嵌入在所述半导体基板中，并与针对彼此相邻的各所述像素区域设置的所述杂质扩散区域接触，并位于所述杂质扩散区域上方。
固态摄像器件装置

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201280047825.8在审
发明人：沈洺奭 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池，包括：基板；在所述基板上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层；在所述光吸收层上的透明电极层；以及在所述基板和所述背电极层之间的杂质扩散阻挡层。所述杂质扩散阻挡层形成在所述基板上，所以可以防止在高温工艺期间来自所述基板的杂质扩散到所述背电极层和所述光吸收层。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]扩散剂组合物、杂质扩散层的形成方法、和太阳能电池-CN201180019567.8有效
发明人：室田敦史;平井隆昭 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：扩散剂组合物是在向半导体基板形成杂质扩散剂层时使用的扩散剂组合物，含有杂质扩散成分(A)、硅化合物(B)、以及包含沸点为100℃以下的溶剂(C1)、沸点为120～180℃的溶剂(C2)和沸点为240～300
扩散组合杂质形成方法太阳能电池

[实用新型]一种N+PN‑PN+型正反向过压保护硅二极管及其硅芯-CN201720180300.1有效
发明人：陈福元;胡煜涛;毛建军;任亮;苏云清;虞旭俊 -专利权人：杭州赛晶电子有限公司
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种N+PN‑PN+型正反向过压保护硅二极管及其硅芯，由下到上分别为N+型杂质扩散层、P型杂质扩散层、N‑型原始硅单晶层、P型杂质扩散层、N+型杂质扩散层。同时公开了一种采用P型和N型两种半导体杂质在硅片上同步预沉积扩散制造N+PN‑PN+型硅二极管硅芯的工艺技术装置。
一种 pn 反向保护二极管及其

[发明专利]膜形成组合物-CN200680049112.X有效
发明人：森田敏郎;佐藤功 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供一种可以容易地剥离杂质扩散后的保护膜，且具有更高的保护效果的二氧化硅类膜形成组合物。本发明的膜形成组合物，是在向硅晶片中扩散杂质时，构成用以部分防止所述杂质扩散的保护膜的膜形成组合物，其含有高分子硅化合物、及含保护元素的化合物，所述保护元素与所述成为杂质扩散源的元素共价结合而使价电子达到在使用磷作为扩散源时，保护元素优选镓或铝，而在使用硼作为扩散源时，保护元素优选钽、铌、砷或锑。
形成组合

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202210269219.6在审
发明人：飞冈孝明 -专利权人：艾普凌科株式会社
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10N52/80 文献下载
摘要：半导体装置包括：第一导电型的半导体基板(10)；以及立式霍尔元件(100)，设置于半导体基板(10)上，立式霍尔元件(100)包括：第二导电型的杂质扩散层(20)，设置于半导体基板(10)上，随着变深而杂质浓度变高；以及三个以上的电极(31～35)，在杂质扩散层(20)的表面设置于一直线上，包含相较于杂质扩散层(20)为高浓度的第二导电型的杂质区域。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种低压芯片的生产工艺及其低压芯片-CN201310033221.4有效
发明人：陈思太;盛春芳 -专利权人：淄博晨启电子有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种低压芯片的生产工艺，包括以下步骤：（1）选取P型原硅片；（2）硼杂质扩散前预处理；（3）硼杂质扩散；（4）晶分/清洗；（5）磷杂质扩散；（6）晶分/清洗；（7）台面加工；（8）钝化前清洗；（9）钠离子的清洗
一种低压芯片生产工艺及其

[发明专利]一种单向TVS芯片-CN201810014610.5在审
发明人：保爱林;谢晓东 -专利权人：浙江明德微电子股份有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开一种单向TVS芯片，包括均匀掺杂的基片，从所述基片的两面分别掺入与基片导电类型相反的杂质而形成的第一异型杂质扩散区和第二异型杂质扩散区，所述基片与第一异型杂质扩散区之间形成第一PN结，所述基片与第二异型杂质扩散区之间形成第二
杂质扩散区短路环短路区基片导电类型均匀掺杂浪涌电流钳位电压电特性金属层掺入三层双结覆盖

[实用新型]一种单向TVS芯片-CN201820025609.8有效
发明人：保爱林;谢晓东 -专利权人：浙江明德微电子股份有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开一种单向TVS芯片，包括均匀掺杂的基片，从所述基片的两面分别掺入与基片导电类型相反的杂质而形成的第一异型杂质扩散区和第二异型杂质扩散区，所述基片与第一异型杂质扩散区之间形成第一PN结，所述基片与第二异型杂质扩散区之间形成第二
杂质扩散区本实用新型短路环短路区基片导电类型均匀掺杂浪涌电流钳位电压电特性金属层掺入三层双结覆盖

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