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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体制造装置、半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202210166664.X在审
发明人：伊藤贵之 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01J37/302 文献下载
摘要：本发明要解决的问题在于提供一种能够以较短步骤形成结晶缺陷较少的杂质扩散层的半导体制造装置、半导体装置、半导体装置的制造方法。本实施方式的半导体制造装置具备可搭载衬底的载置台。分离部将导入至衬底的杂质的射束分离成离子成分与中性成分。控制部在将离子成分导入至衬底的第1模式与将中性成分导入至衬底的第2模式之间进行切换。
半导体制造装置方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201510618058.7在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制作方法，其中方法包括提供其上形成有至少一个鳍状结构的衬底，其中，鳍状结构包括半导体层；在鳍状结构的表面上通过湿法成形工艺形成扩散湿层，该扩散湿层包含要扩散到半导体层的杂质；去除扩散湿层的一部分以露出鳍状结构的半导体层的上部；以及在去除扩散湿层之后，对鳍状结构进行热处理，以使扩散湿层中的杂质扩散到半导体层中。另外，由于避免了现有技术中的用于防止源漏穿通的相对高能的离子注入，可避免离子注入造成的鳍状结构表面损伤，以及由于鳍状结构损伤引起载流子的迁移率降低、杂质失活的问题。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]纵向高压深槽半导体管的制备方法-CN200910185330.1无效
发明人：易扬波;李海松;王钦;刘侠;陶平 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，该器件的漂移区是P型半导体区和N型半导体区交替排列的形式，漂移区中的P型半导体是通过深槽刻蚀工艺后，向深槽内填充硼磷硅玻璃，然后经过将表面的硼磷硅玻璃刻蚀除去，接着经过退火工艺使硼磷硅玻璃中的硼杂质和磷杂质扩散到深槽侧壁及底部的硅中，由于硼磷硅玻璃中的硼杂质含量远远高于磷杂质含量，因此，使得深槽侧壁及底部的这部分半导体区域变为P型掺杂半导体区。
纵向高压半导体制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03112756.8无效
发明人：吴念博 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2003-01-24 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及制造方法，其技术要点在于：将含有一种类型杂质成分的硅－杂质混合物，用电子束蒸发方法或溅射方法直接淀积到另一种类型的硅半导体基片上，通过该合金将杂质在硅半导体基片中扩散形成P－N结。杂质的扩散量仅受应该淀积的合金组成和含量的影响，而且其组成和含量可以预先测定和准备，致于淀积以及杂质扩散完全不受温度、气体、时间的影响，因此具有非常突出的稳定性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN00109004.6无效
发明人：野间淳史;中尾圭策;上本康裕 -专利权人：松下电子工业株式会社
申请日： 2000-06-01 - 公布日： 2000-12-27 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法是在形成在半导体基板上的场效应三极管上堆积保护绝缘膜,在该保护绝缘膜中,形成下端部与场效应三极管的杂质扩散层连接的导电芯柱。在该保护绝缘膜上形成与导电芯柱连接的导电性扩散防止膜,在该扩散防止膜上形成容量下部电极。至少在扩散防止膜的侧面形成耐氧化性材料构成的侧壁,在容量下部电极以及侧壁上形成绝缘性金属氧化物构成的容量绝缘膜,在该容量绝缘膜上形成容量上部电极20。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200610126585.7有效
发明人：橘浩一;本乡智惠;名古肇;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-08-29 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。
半导体器件

[发明专利]二段式太阳能电池的制造方法-CN200910001959.6无效
发明人：吴月花;王政烈 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种二段式太阳能电池制造方法，包括：1、制造基板；2、在基板上形成掩膜层，并在所述掩膜层表面制成开口，所述开口具有不同的宽度，在电极位置的开口宽度大于在其他位置的开口宽度；3、进行杂质扩散，使位于开口宽度较大处的杂质浓度高于位于开口宽度较小处的杂质浓度；4、在表面形成反射防止膜并形成电极。本发明仅采用一次扩散技术，实现与现有的二段式太阳能电池相同的技术参数，具有更好的接触电阻、较高的转换效率，同时又能减少生产工艺步骤、降低成本。
二段式太阳能电池制造方法

[发明专利]室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法-CN201510976237.8在审
发明人：徐万劲;李磊;李艳平;姚利;侯瑞祥;秦国刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散
室温环境激励砷化镓中金属原子扩散方法

[发明专利]涂布型扩散剂组合物-CN201110378630.9有效
发明人：森田敏郎;神园乔 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明的一个方案的扩散剂组合物含有以下述通式(1)表示的烷氧基硅烷为起始原料的缩合产物(A)、杂质扩散成分(C)和有机溶剂(D)。式(1)中，R1、R2是有机基团，多个R1、R2可以相同，也可以不同。
涂布型扩散组合

[发明专利]去除硅单晶中重金属杂质的方法-CN99117832.7无效
发明人：季振国;樊瑞新;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 1999-08-23 - 公布日： 2001-02-28 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开的去除硅单晶中重金属杂质的方法,是利用铁、铜、金等有害重金属在金属熔体中的溶解度远大于在硅单晶中溶解度的特点,把硅单晶浸入熔化的对硅单晶载流子寿命无影响的高纯锡或镓或铝或铟或铅或它们的组合的金属熔体中,使硅单晶中的有害重金属杂质扩散到金属熔体中,而实现彻底去除硅单晶中重金属杂质之目的,该方法设备简便,操作方便。
去除硅单晶中重金属杂质方法

[发明专利]具有宽安全工作范围的高速、高频半导体器件-CN00109335.5无效
发明人：陈庆丰 -专利权人：北京普罗强生半导体有限公司
申请日： 2000-05-29 - 公布日： 2001-12-12 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：为解决上述缺陷,本发明采用在基极或射极图形形成时,利用硅基片的刻蚀,形成该部位三种方向的杂质扩散及扩散端特性曲率,用以缓和该部位电流集中,并获得浅的扩散深度,进而得到宽安全工作范围的高速、高频半导体器件
具有安全工作范围高速高频半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202011261966.2在审
发明人：久本大;川嶋祥之;桥本孝司 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：半导体器件具有使用FinFET的分离栅极型MONOS结构，并且该半导体器件包括源极和漏极，其各自由n型杂质扩散层形成；第一沟道形成层，形成在控制栅极下方，并且由掺杂有p型杂质的半导体层形成、以及第二沟道形成层，形成在存储器栅极下方，并且由掺杂有n型杂质的半导体层形成。此外，半导体器件包括p型半导体层，该p型半导体层形成在第二沟道形成层下方，并且具有比半导体衬底的杂质浓度高的杂质浓度。
半导体器件

[发明专利]用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法-CN201110138281.3有效
发明人：永福;陈雪萌;龚大卫 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法，包括步骤：提供硅衬底，其上分别形成有超结结构和终端结构的深槽；在深槽内淀积第一多晶硅层，第一多晶硅层的掺杂类型与硅衬底相反；将第一多晶硅层中的掺杂杂质扩散到硅衬底中，在深槽周围形成杂质扩散区；将第一多晶硅层热氧化为氧化层，或者去除第一多晶硅层后再重新热生长氧化层，氧化层不填满深槽；在深槽内继续淀积第二多晶硅层并填满深槽，第二多晶硅层的掺杂类型与MOS器件的多晶硅栅极相同
用于深槽超结 mos 器件终端结构制作方法

[发明专利]太阳能电池单元的制造方法-CN201280071317.3有效
发明人：唐木田升市 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：具有：形成杂质扩散层的工序；在半导体基板的一面侧形成与杂质扩散层电连接的受光面侧电极的工序；在半导体基板的另一面侧形成背面侧电极的工序；以及在受光面侧电极形成前的任意时间点，在半导体基板的一面侧的表面形成具有倒金字塔形状的凹部的凹凸构造
太阳能电池单元制造方法

[发明专利]一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法-CN201210383748.5无效
发明人：陈福元;毛建军;胡煜涛;朱志远;王铮;任亮;杨希望 -专利权人：杭州杭鑫电子工业有限公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：它包括如下步骤：在N-/N+型硅片的N-面上氧化、光刻、扩散入P型杂质，形成硅晶体三极管的P+型基区（B）和硅晶体二极管的P+型正极（+）区；在硅晶体三极管的P+型基区（B）上定域扩散入N型杂质，形成三极管的发射区（E），同时于硅晶体二极管的P+型正极（+）区周围选择扩散入N+型杂质，形成硅晶体二极管的负极（-）区；在各杂质扩散区上光刻开出引线孔、蒸发铝金属、光刻电极内引线、合金，制成硅晶体二极管三极管的集成芯片
一种兼容集成制造晶体二极管三极管方法

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