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[实用新型]晶粒分选装置-CN201420847350.7有效
发明人：刘思佳 -专利权人：苏州凯锝微电子有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： B07C5/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶粒分选装置，包括依次相连并相同水平面设置的晶粒输入带和晶粒检测承台，晶粒输入带将待分选晶粒逐颗送入晶粒检测承台；晶粒检测承台的台面正上方设置有用于将晶粒检测承台的待分选晶粒进行分选检测的检测装置；晶粒检测承台的台面四周至少分布有两个分选收集单元；分选收集单元包括收集吸嘴和分选收集盒；收集吸嘴正对着晶粒检测承台台面上的待分选晶粒、用于将分选检测后的晶粒吸取并落入分选收集盒中。省略了检测后繁杂的传送收集机构，根据分选需求通过启动不同收集吸嘴将晶粒吸取收集，分选直接高效、没有多余传送动作，大幅提升分选效率，动作衔接顺畅，结构简单、拆装方便、成本较低、可实现有效分选、高精度分选。
晶粒分选装置

[实用新型]一种高电压LED光源-CN200520113388.2无效
发明人：罗本杰 -专利权人：罗本杰
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H05B37/00 文献下载
摘要：一种采用新方法连接各LED晶粒的高压LED光源，将多个LED晶粒通过导线连接起来，使第一个LED晶粒的正极与第二个LED晶粒的负极相连接，再将第二个LED晶粒的正极与第三个LED晶粒的负极相连接，以此类推，最后一个LED晶粒的正极与电源的正极相连接，第一个LED晶粒的负极与电源的负极相连接。或者将第一个LED晶粒的负极与第二个LED晶粒的正极相连接，再将第二个LED晶粒的负极与第三个LED晶粒的正极相连接，以此类推，最后一个LED晶粒的负极与电源的负极相连接，第一个LED晶粒的正极与电源的正极相连接
一种电压 led 光源

[发明专利]扇出型封装方法-CN201810082504.0在审
发明人：谭小春;高阳 -专利权人：合肥矽迈微电子科技有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型封装方法，用于形成封装体，方法包括步骤：提供晶圆，晶圆包括多个晶粒，相邻的两个晶粒之间具有第一距离，晶粒包括设置有焊垫的正面；将晶粒转移至第二载体上，在第二载体上，相邻的晶粒之间具有第二距离，第二距离大于第一距离；将晶粒转移至第三载体上，晶粒的焊垫与第三载体连接；去除第二载体；塑封晶粒；去除第三载体，晶粒的焊垫暴露于第一塑封体表面；在第一塑封体暴露晶粒的焊垫的表面设置电路，实现晶粒与外部的电连接本发明优点是，在切割形成独立的封装体之前，增大晶粒之间的间距，避免切割时，切割工具损坏晶粒，提高封装体的良率，该方法工艺简单且易操作，并能够节约成本，缩短生产周期。
晶粒封装体焊垫切割扇出型封装晶圆去除缩短生产周期塑封体表面表面设置切割工具载体连接电连接塑封体暴露良率塑封电路节约外部

[发明专利]一种抗冲击CVD金刚石自支撑材料及制造方法-CN202010202431.1在审
发明人：李卫 -专利权人：廊坊西波尔钻石技术有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本申请公开了一种抗冲击CVD金刚石自支撑材料及制造方法，包括基体和位于所述基体表层的生长层；所述生长层为多层结构，其中，包括相间设置的多个第一晶粒层和第二晶粒层；所述第一晶粒层的晶粒大小大于所述第二晶粒层的晶粒大小本申请提供的CVD金刚石自支撑材料通过相间设置多个晶粒大小不同的晶粒层，使金刚石的断面呈现细晶粒与粗晶粒交错生长的多层结构，通过多层结构阻断裂纹的延伸，从而提高抗冲击性能和抗断裂强度；通过细晶粒填补粗晶粒层的缺陷，而粗晶粒层又能保持材料的耐磨性，从而在不损失耐磨性的基础上提高抗冲击性能和抗断裂强度。
一种冲击 cvd 金刚石支撑材料制造方法

[发明专利]一种基于机器视觉的晶粒分选方法-CN202210963559.9在审
发明人：刘兴礼 -专利权人：上海福赛特机器人股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B07C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于机器视觉的晶粒分选方法，包括如下步骤：S1：创建晶粒模板；S2：相机标定；S3：相机对母膜上晶粒进行扫描，得到晶粒的扫描图像，所述扫描图像中包括晶粒机械坐标；S4：将晶粒机械坐标和网格坐标一一对应，获取晶粒的类型信息；网格坐标指的是以母膜中心点为原点的坐标，且网格坐标中标注母膜各个位置处的晶粒类型；S5：对晶粒分类并将同一类型信息的晶粒搬运至同一个子膜中。本发明提供的一种基于机器视觉的晶粒分选方法，基于机器视觉的引导，自动完成母膜上晶粒的扫描和判断，提高了晶粒分类的精度和效率，降低误判率。
一种基于机器视觉晶粒分选方法

[发明专利]一种提高晶粒转移性能的方法-CN202310642971.5在审
发明人：彭璐;王彦丽;谭立龙;吴向龙 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高晶粒转移性能的方法，属于光电子技术领域。方法步骤如下：(1)对已切割完成的晶粒进行清洗，去除表面的切割杂质、颗粒；(2)将承载晶粒的载具进行扩张，使晶粒间露出缝隙；(3)利用旋转涂敷的方式在晶粒上涂敷一定厚度的UV胶；(4)利用模板对位晶粒，然后利用激光进行光照，使晶粒四周及晶粒表面部分位置的UV胶固化；(5)对固化后的UV胶进行水解，使UV胶成独立的包裹晶粒的颗粒，并露出顶部中间位置的晶粒；(6)载具再次扩张，进行晶粒转移。本发明适用于各类型LED芯片，扩大了芯片面积，在运输过程中方便放置，降低了晶粒侧斜、歪倒的几率，容易图像识别，定位晶粒位置，方便吸嘴抓取、搬运芯片。
一种提高晶粒转移性能方法

[发明专利]晶粒检测方法-CN201410007957.9有效
发明人：罗文期;林裕超;李昆峰 -专利权人：致茂电子股份有限公司
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： G01D21/00 文献下载
摘要：一种晶粒检测方法，包含下列步骤使用可调倍率的感光装置以第一视野扫描晶片的多个晶粒，以定位出晶粒的位置，其中感光装置具有第一倍率与大于第一倍率的第二倍率，第一倍率具有第一视野，第二倍率具有小于第一视野的第二视野补偿至少一虚拟晶粒于晶粒间的至少一空缺位置。根据第二视野的大小计算其容纳晶粒的最大晶粒数。根据最大晶粒数与晶粒的位置指定部分晶粒为多个定位晶粒。根据定位晶粒的位置与第二视野的中心点位置推算出多个取像位置。调整感光装置的第一倍率至第二倍率。移动感光装置以第二视野沿取像位置检测晶粒。
晶粒检测方法

[发明专利]集成电路及其测试方法-CN201910460862.5有效
发明人：张华享;大元文一 -专利权人：普诚科技股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路及其测试方法，该集成电路包括基板、第一晶粒、以及第二晶粒。基板具有第一模拟基板接合垫。第一晶粒配置在该基板上，且包括第一模拟晶粒接合垫、第一电压转换电路、以及第一数字晶粒接合垫。第一模拟基板接合垫通过第一接合线电性连接第一模拟晶粒接合垫。第一电压转换电路电性连接第一模拟晶粒接合垫。第一数字晶粒接合垫电性连接第一电压转换电路。第二晶粒配置在该基板上，且具有第二数字晶粒接合垫。第一数字晶粒接合垫通过第二接合线电性连接第二数字晶粒接合垫。本发明可在有限的封装体的接脚数量下，通过共享接脚的方式来对多个晶粒进行测试。
集成电路及其测试方法

[实用新型]一种抗冲击CVD金刚石自支撑材料-CN202020363052.6有效
发明人：李卫 -专利权人：廊坊西波尔钻石技术有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本申请公开了一种抗冲击CVD金刚石自支撑材料，包括基体和位于所述基体表层的生长层；所述生长层为多层结构，其中，包括相间设置的多个第一晶粒层和第二晶粒层；所述第一晶粒层的晶粒大小大于所述第二晶粒层的晶粒大小本申请提供的CVD金刚石自支撑材料通过相间设置多个晶粒大小不同的晶粒层，使金刚石的断面呈现细晶粒与粗晶粒交错生长的多层结构，通过多层结构阻断裂纹的延伸，从而提高抗冲击性能和抗断裂强度；通过细晶粒填补粗晶粒层的缺陷，而粗晶粒层又能保持材料的耐磨性，从而在不损失耐磨性的基础上提高抗冲击性能和抗断裂强度。
一种冲击 cvd 金刚石支撑材料

[实用新型]一种用于芯片封装的晶粒转移机构-CN202021552795.4有效
发明人：李昕昱 -专利权人：昕昱科技发展（深圳）有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于芯片封装的晶粒转移机构，包括工作台，在所述工作台的一侧设有放置待封装晶粒的第一承载部，所述工作台的另一侧设有放置PCB的第二承载部，在所述工作台的上方设有用于取放晶粒的晶粒取放组件，所述工作台的下方设有工作台移动组件，工作台移动组件控制工作台的运动，使晶粒取放机构将晶粒从第一承载部转移至第二承载部；本方案采用工作台移动的方式，晶粒取放组件只需将晶粒取出，工作台移动组件控制工作台将PCB相应位置移动至晶粒下方，晶粒取放机构将晶粒放置即可，取消了晶粒的运输过程，对晶粒取到了有效的保护，并且转移效率快。
一种用于芯片封装晶粒转移机构

[发明专利]晶粒剥离取放方法及其装置-CN201210222108.6有效
发明人：石敦智;林语尚;周政德;王时洤 -专利权人：苏州均华精密机械有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种晶粒剥离取放方法及其装置，其提供一吸取处，以吸取一具有多个晶粒的胶膜；将胶膜与晶粒相分离，晶粒仍维持于吸取处；将晶粒放置于一平台；以及由平台处取出晶粒，并将晶粒置放于一承载单元。如前所述，其能提升品质与效率，并能确保晶粒不受人为不当的损伤，以及降低制造成本。
晶粒剥离方法及其装置

[发明专利]晶粒容器工作站、晶粒容器处理的系统及方法-CN201910701164.X有效
发明人：郭宗圣;黄冠维;黄志宏;朱延安;刘旭水;白峻荣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B08B9/30 文献下载
摘要：本公开提供一种晶粒容器工作站、晶粒容器处理的系统及方法，工作站包括清洁站、检查站以及输送机。清洁站配置以清洁晶粒容器，其中晶粒容器配置以固定半导体晶粒；检查站配置以在清洁后检查晶粒容器以判断晶粒容器是否被识别为通过检查；输送机配置以在清洁站以及检查站之间移动晶粒容器。
晶粒容器工作站处理系统方法

[实用新型]半导体封装-CN03276479.0无效
发明人：李耀俊;唐义为;庄伟;江永欣;梁志忠 -专利权人：富微科技股份有限公司
申请日： 2003-08-25 - 公布日： 2004-10-20 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体封装，其包含一晶粒垫，一晶粒，一封装胶体及一导电架，导电架上具有晶粒垫，其特征在于晶粒垫背面外露，使导电架之晶粒垫背面不为封装胶体所覆盖，而能够使晶粒垫背面外露于空气之中；藉由此种设计，令原来的晶粒垫兼具散热片的功能，进而增加晶粒散热的效能。
半导体封装

[发明专利]双扁平无引脚半导体封装-CN200680001453.X有效
发明人：刘凯;张晓天;孙明;罗礼雄 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2006-01-05 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种双扁平无引脚半导体封装，包含有导线架、晶粒与填充胶，导线架具有晶粒接合垫以及与晶粒接合垫共同形成漏极引脚、栅极引脚与源极引脚，而晶粒结合于晶粒接合垫，其晶粒源极接合区域连接于源极引脚，晶粒栅极接合区域连接于栅极引脚，至于填充胶则至少部分覆盖于晶粒、漏极引脚、栅极引脚与源极引脚。
扁平引脚半导体封装

[发明专利]一种晶粒数据获取的方法及系统-CN201910612442.4在审
发明人：徐耀文;周靓;鲍思前;杨庚蔚;肖欢;叶传龙;赵刚 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶粒数据获取的方法及系统，涉及材料金相表征技术领域，包括：获取材料的金相图像；对所述金相图像中每个完整的晶粒所在的区域进行颜色填充，获得颜色填充后的金相图像；根据所述颜色填充后的金相图像，获取晶粒信息；基于所述晶粒信息，获取晶粒数据；由于颜色填充是属于图像处理方法，可以一次性实现大量图像的处理，填充不同颜色的且相邻两个所述晶粒所在的区域填充的颜色不同的金相图像，可根据颜色进行快速的晶粒分类提取晶粒信息，并根据晶粒信息，快速获取晶粒信息对应的晶粒数量，从而快速统计出晶粒数据，相对于现有技术，大大提高了数据获取的效率。
晶粒颜色填充图像数据获取表征技术晶粒分类快速获取区域填充图像处理信息对应一次性填充统计