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[发明专利]具有多个电压供应源的半导体封装结构及其制备方法-CN202110473284.6在审
发明人：杨吴德 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：该半导体封装结构具有一封装基底、一下元件晶粒、一上元件晶粒以及一额外封装基底。该下元件晶粒贴合在该封装基底上。该上元件晶粒贴合到该下元件晶粒上，而其主动侧是背对该下元件晶粒。多个晶粒输入/输出位于该上元件晶粒的该主动侧的一第一部分是电性连接到该封装基底。该额外封装基底是贴合到该上元件晶粒的该主动侧，且电性连接到该封装基底以及该上元件晶粒的所述晶粒输入/输出的一第二部分。
具有电压供应半导体封装结构及其制备方法

[发明专利]一种基于制程区域的晶粒外观检测方法及系统-CN202111141388.3在审
发明人：程果 -专利权人：武汉精创电子技术有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种基于制程区域的晶粒外观检测方法，包括如下步骤：获取晶圆上的标准晶粒，并对所述标准晶粒进行基于制程的区域划片；通过选取所述标准晶粒的特征点来对所述晶圆上的待测晶粒进行对位；基于所述标准晶粒的不同制程区域提取所述待测晶粒的对应制程区域；对所述待测晶粒的不同制程区域采用对应制程的检测方法进行缺陷检测。本发明通过对待测晶粒进行基于制程的区域提取，并对不同制程的区域采用不同的检测方法进行缺陷检测，提高了检测的精度及效率；同时，采用同一标准晶粒作为所有待测晶粒的对比标准，提高了检测的鲁棒性。
一种基于区域晶粒外观检测方法系统

[发明专利]发光二极管覆晶晶粒及显示器-CN201610631704.8有效
发明人：沈佳辉;洪梓健;彭建忠;黄建翔;黄世晟;刘芝蓉 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种发光二极管覆晶晶粒，其包括覆晶晶粒及结合于该覆晶晶粒的侧面的散热吸光层。所述发光二极管覆晶晶粒包括设置在覆晶晶粒的侧面的散热吸光层，该散热吸光层即可以吸收从覆晶晶粒侧面出射的光，还可以将覆晶晶粒产生的热量散发出去，如此可以提高覆晶晶粒的散热，避免覆晶晶粒因散热不良而造成的发出的光线波长偏移的现象，从而提高发光二极管覆晶晶粒发光质量。另，本发明还提供一种应用所述发光二极管覆晶晶粒的显示器。
发光二极管晶粒显示器

[实用新型]一种晶粒筛分装置-CN201721036447.X有效
发明人：陈磊;陈建民;赵丽萍;张文涛;王东胜 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体致冷件加工技术领域的设备，名称是一种晶粒筛分装置，包括晶粒排列模具，晶粒排列模具上具有阵列的晶粒放置孔，放置孔和所排列的晶粒配合；在晶粒排列模具下面具有振动装置，所述的振动装置是由一个电机，以及在电机轴头上安装的偏心轮形成的，其特征是在所述的振动装置和晶粒排列模具之间还有一个旋转装置，所述的旋转装置能够使晶粒排列模具水平转动360度，所述的晶粒放置孔上面边缘具有圆形的倒角结构。这样的晶粒筛分装置具有可以使所用晶粒便于归位、提高生产效率，使用方便的的优点。
一种晶粒筛分装置

[发明专利]用于晶粒对晶粒接合的积体电路以及测试晶粒对晶粒接合的方法-CN201180031739.3有效
发明人：阿利弗·瑞曼 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种积体电路(100)包括：第一晶粒(105，110)；第二晶粒(115)，其中，该第一晶粒可配置于其上；多个晶粒间连线(205，205A，205B)，其耦接该第一晶粒至该第二晶粒；以及多个探针垫片(120，120A，120B，120C，120D，120E)，其中每个探针垫片系耦接(305，310，405，410)至至少一个晶粒间连线。该第一晶粒可被架构以建立将该第一探针垫片耦接至该第二探针垫片的内连线(315，415，420，515)。在一些实施例中，每个探针垫片系耦接微凸块(210)，并且内连线将微凸块彼此耦接。一些实施例利用了透过第二晶粒延伸的直通硅晶穿孔。也揭露了测试所描述的积体电路的方法。
用于晶粒接合积体电路以及测试方法

[发明专利]一种切割晶粒后批量转移晶粒至蓝膜的方法-CN202010230834.7在审
发明人：严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种切割晶粒后批量转移晶粒至蓝膜的方法，其中包括如下步骤：正面键合、切割研磨、背面粘胶、翻转固定、降低粘性、脱离晶粒、溶剂清洗。本发明采用镭射解键合，逐步降低粘合剂的粘性，使得玻璃载板更容易与晶粒脱离，大大降低晶粒崩裂率和成品率；在晶粒分离后使用溶剂或者化学清洗液进行清洗，彻底消除晶粒上残留的粘合剂，便于后续晶粒的加工使用。解决了现有技术中晶粒切割工序后，晶粒由具强黏著力的UV切割蓝膜上取下时，极容易发生崩裂的问题。
一种切割晶粒批量转移至蓝膜方法

[发明专利]LED晶粒筛选装置以及方法-CN202110821592.3在审
发明人：向雪燕;包林;杨浩 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： B07C5/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种LED晶粒筛选装置以及方法，LED晶粒筛选装置包括载台、检测组件、顶针以及控制件，载台用于承载多个LED晶粒；检测组件相对载台移动，检测组件用于取得多个LED晶粒的图像信息；顶针位于载台背向检测组件的一侧、且相对载台移动；控制件根据检测组件提供的图像信息，筛选出多个LED晶粒中的缺陷晶粒，并控制载台和顶针相对移动，使得顶针和缺陷晶粒对位、并控制顶针将缺陷晶粒顶出。上述LED晶粒筛选装置能够替代人工目检，以提高晶粒的筛选效率和精确度，并降低人工成本。
led 晶粒筛选装置以及方法

[发明专利]NTC热敏电阻元件-CN202080055973.9在审
发明人：土田大祐;阿部毅彦;佐藤义彦;安田慎吾;池田勇贵;竹花末起一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：热敏电阻素体的区域包括在彼此相邻的内部电极之间连续排列的多个晶粒。多个晶粒包括第一晶粒、第二晶粒和第三晶粒。第一晶粒与彼此相邻的内部电极中的一个内部电极接触。第二晶粒与彼此相邻的内部电极中的另一个内部电极接触。第三晶粒未与第一晶粒及第二晶粒接触。
ntc 热敏电阻元件

[发明专利]晶粒清洁方法-CN202110319758.1在审
发明人：卢彦豪 -专利权人：梭特科技股份有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶粒清洁方法，包括以下步骤：准备步骤：一晶粒的一表面上具有至少一微粒；移动步骤：一薄膜往靠近晶粒的方向移动，使得薄膜的一清洁部接近晶粒；吸附微粒步骤：通过一正压吹拂清洁部，清洁部受到正压的吹拂而往靠近晶粒的方向移动，使得清洁部吸附至少一微粒；以及移除微粒步骤：清洁部远离晶粒，并且将至少一微粒从晶粒的表面上移除。借此，本发明能够将晶粒的表面上的微粒全部清除，晶粒的后续加工程序不会受到微粒的影响，提升晶粒后续加工制成的产品良率。
晶粒清洁方法

[发明专利]半导体封装和其形成方法-CN202210114011.7在审
发明人：张任远;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装和其形成方法，半导体封装包括第一连接晶粒和第一晶粒堆叠，第一连接晶粒包括半导体基板和互连结构，第一晶粒堆叠设置于第一连接晶粒上且包括多个堆叠式晶粒，各个堆叠式晶粒包括半导体基板和包括第一连接接线的互连结构，第一连接接线电性连接至第一连接晶粒的互连结构。形成于第一连接晶粒的平面与各个堆叠式晶粒的平面之间的角度范围为约45°至约90°。
半导体封装形成方法

[发明专利]晶粒选择方法及坏晶地图产生方法-CN201410486306.2有效
发明人：蔡振扬;廖惇材;周明澔;杨上毅;吴佳兴 -专利权人：旺矽科技股份有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶粒选择方法及坏晶地图产生方法。此晶粒选择方法包括下列步骤点测多个晶粒，以测量这些晶粒的光电特性；将具有相近光电特性的这些晶粒转移至分选载体；通过自动化光学检测设备来观测在分选载体上的这些晶粒，以产生观测结果，其中观测结果包括这些晶粒在分选载体上的位置及这些晶粒是否有损伤；依照观测结果描绘坏晶地图，其中坏晶地图具有至少一坏晶标记，以标示出这些晶粒中有损伤者的位置；依照坏晶地图的坏晶标记来挑除这些晶粒中有损伤者。
晶粒选择方法地图产生

[发明专利]一种冷镦用铬锆铜合金及其制备方法-CN202110164117.3有效
发明人：张宝;刘喆;刘关强;许海;丁成成 -专利权人：宁波金田铜业(集团)股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种冷镦用铬锆铜合金，其特征在于：该铬锆铜合金的平均晶粒尺寸≤4μm，各晶粒大小的标准偏差≤1/2平均晶粒尺寸。本发明通过控制铬锆铜合金的平均晶粒尺寸≤4μm，各晶粒大小的标准偏差≤1/2平均晶粒尺寸，细小的晶粒尺寸，意味着具有更高的晶界体积分数，由于晶界结构相对比较疏松有利于冷镦时晶粒的移动，提升冷镦性能；此外细小的晶粒尺寸和更均匀的晶粒尺寸有利于提升冷镦产品的光洁度
一种冷镦用铬锆铜合金及其制备方法

[发明专利]具有晶粒功能之半导体封装结构-CN200810127530.7无效
发明人：杨文焜;张瑞贤;李基城;杨文彬 -专利权人：育霈科技股份有限公司
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有伪晶粒之半导体封装结构，包含第一基底具有晶粒置入穿孔形成于其上；第一晶粒具有第一连接垫及第二晶粒具有第二连接垫，且分别配置于晶粒置入穿孔之内；黏着层形成于第一晶粒与第二晶粒间之间隙及第一基底之晶粒置入穿孔之侧壁；重布线形成以将第一基底上之第一接触垫分别耦合至第一连接垫与第二连接垫；以及保护层形成于重布线、第一晶粒、第二晶粒及第一基底之上。
具有晶粒功能半导体封装结构

[发明专利]包含缓冲层的晶粒堆栈封装结构与其形成方法-CN200810094253.4无效
发明人：林殿方;杨文焜 -专利权人：育霈科技股份有限公司
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含缓冲层的晶粒堆栈封装结构与其形成方法，涉及半导体堆栈封装结构。解决了现有技术中在晶粒导电垫上进行打线时，易导致晶粒产生微破裂的技术问题。本发明包含缓冲层的晶粒堆栈封装结构中弹性黏胶层涂布设于第一晶粒上，覆盖第一晶粒顶部表面，除于第一导电垫上形成一开口，在第一晶粒边缘形成一外围。本发明包含缓冲层的晶粒堆栈封装结构的形成方法用于制造所述本发明包含缓冲层的晶粒堆栈封装结构。本发明主要应用于半导体晶粒堆栈封装技术中。
包含缓冲晶粒堆栈封装结构与其形成方法

[实用新型]半导体元件封装设备-CN201020002409.4有效
发明人：黄良印;洪世杰;邱创文 -专利权人：均豪精密工业股份有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体元件封装设备，包含有控制模块、基板输送机构、预热装置、基板预检机构、晶粒预压机构、晶粒压合机构、晶片承载机构、晶粒备载机构以及晶粒取放机构，其中基板预检机构可用以检测基板的标示码，并将检测结果传至控制模块，再透过晶粒取放机构自晶片承载机构取出具有不同特性的晶粒放置于晶粒预压机构中的承载台上，承载台将晶粒移至晶粒预压机构中进行预压后，再由基板输送机构将粘有晶粒的基板移至压合区完成粘晶工艺
半导体元件封装设备