专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]白光发光二极管及其基座-CN200710106830.2无效
  • 吴嘉豪;李天佑 - 光宝科技股份有限公司
  • 2007-05-10 - 2008-11-12 - H01L33/00
  • 该白光发光二极管,包含一基座、一发光晶片,以及一荧光层;基座形成设有一凹陷部,凹陷部具有一底面及一直立围绕底面周缘的侧壁面,底面及侧壁面配合界定一容置空间;发光晶片以几何中心相对齐地设置于凹陷部的底面,发光晶片并具有一实质平行于凹陷部的侧壁面的周面;荧光层填设于容置空间中并覆盖发光晶片的顶面与周面;借由对凹陷部进行改良,使覆盖于晶片上的荧光层在晶片的顶面和周面上的厚度实质相同,并使晶片周面的光线被局限在凹陷部侧壁面与晶片周面之间而降低对整体白光发光二极管的贡献
  • 白光发光二极管及其基座
  • [发明专利]新型晶片固定结构-CN200810035991.1无效
  • 李诚模 - 东泰升电子(上海)有限公司
  • 2008-04-14 - 2009-10-21 - H01L25/00
  • 本发明提供一种新型晶片固定结构,弥补现有的导线架或晶片载座的不足,使不同发光晶片在固定导电发光时的发光角度相同,发光晶片在发光时混光均匀,它包括晶片载座和发光晶片,所述晶片载座上设有平面固晶区域,在所述晶片载座的平面固晶区域中设有一凹陷固晶区域,所述的发光晶片固定在相应的固晶区域中,本发明的新型晶片固定结构,通过在晶片载座的平面固晶区中设置凹陷固晶区域,在平面固晶区域和凹陷固晶区域分别以冲压或蚀刻等方式固定不同厚度的发光晶片,使发光晶片之间的发光高度一致,进而完善发光晶片的发光角度,使其发光时混光效果均匀,实现本发明的目的。
  • 新型晶片固定结构
  • [实用新型]新型晶片固定装置-CN201120270019.X有效
  • 李诚模 - 浙江亚威朗科技有限公司
  • 2011-07-28 - 2012-06-06 - H01L33/48
  • 本实用新型公开了一种新型晶片固定装置,弥补现有的导线架或晶片载座的不足,使不同发光晶片在固定导电发光时的发光角度不同,发光晶片在发光时混光均匀,它包括晶片载座和发光晶片,所述晶片载座上设有平面固晶区域,在所述晶片载座的平面固晶区域中设有一凹陷固晶区域,所述的发光晶片固定在相应的固晶区域中,本实用新型的新型晶片固定装置,通过在晶片载座的平面固晶区中设置凹陷固晶区域,在平面固晶区域和凹陷固晶区域分别以冲压或蚀刻等方式固定不同厚度的发光晶片,使发光晶片之间的发光高度一致,进而完善发光晶片的发光角度,使其发光时混光效果均匀,实现本实用新型的目的。
  • 新型晶片固定装置
  • [发明专利]有机金属化学气相沉积机台-CN201010180957.0无效
  • 江俊德;林明宏 - 佛山市奇明光电有限公司;奇力光电科技股份有限公司
  • 2010-05-14 - 2011-11-16 - C23C16/458
  • 此有机金属化学气相沉积机台包含反应腔体、旋转座、晶片承载盘、加热器以及喷气头。反应腔体具有开口。旋转座设于反应腔体中。晶片承载盘设于旋转座上,且旋转座可带动晶片承载盘旋转。其中,晶片承载盘包含多个多边形凹陷区,设于晶片承载盘的表面上,这些多边形凹陷区适用以对应装载多个晶片。加热器设于晶片承载盘下方,且位于旋转座内。喷气头则覆盖在反应腔体的开口上,以朝晶片承载盘的表面上施放反应气体。本发明通过在晶片承载盘上设置可紧密排列的多边形凹陷区来装载晶片,可大幅提升晶片承载盘的表面积的利用率,进而可增加晶片承载盘装载的晶片数量。
  • 有机金属化学沉积机台
  • [发明专利]基座-CN201980065073.X在审
  • 池尻贵宏 - 东洋炭素株式会社
  • 2019-09-30 - 2021-05-11 - H01L21/683
  • 本发明提供能够提高从晶片制作的半导体芯片的成品率的、不易产生缺口(缺损),且寿命长的基座。具有载置晶片(10)的凹陷部(2)的基座,其中,凹陷部(2)中的至少一个具有:支承晶片(10)的多个支承部(3);与晶片(10)的侧面(10a)接触的多个接触部(4);和不与晶片(10)的侧面(10a)接触部(4)和非接触部(5)交替地形成于凹陷部(2)的内周壁,支承部(3)中的至少两个形成于从上方观察基座时连结凹陷部(2)的中心(O)和非接触部(5)的线上。
  • 基座
  • [实用新型]一种具有晶向定位功能的晶圆盒-CN202320652747.X有效
  • 周冕;唐章荣;段锋 - 东莞市万菱机电科技有限公司
  • 2023-03-29 - 2023-07-21 - H01L21/673
  • 本实用新型公开了一种具有晶向定位功能的晶圆盒,涉及半导体晶圆生产设备领域,包括盒体和若干个硅晶片,所述盒体内成型有圆孔,所述圆孔内的侧边成型有半圆凹陷槽,所述圆孔和所述半圆凹陷槽的两端均贯穿所述盒体设置,所述硅晶片的外侧成型有定位凸点,所述若干个硅晶片均间隙配合放置在所述圆孔内,所述定位凸点位于所述半圆凹陷槽内,所述盒体的上下两侧均成型有方形开槽,所述方形开槽通入所述圆孔设置。有益效果是:硅晶片存放时,定位凸点会位于半圆凹陷槽内,进而方便于硅晶片的晶向控制,通过上下两侧的方形开槽来控制若干个硅晶片的角度,使得每次取出硅晶片时的晶向都保持一致,方便于后续检测,保证了硅晶片的性能和良品率
  • 一种具有定位功能晶圆盒
  • [发明专利]晶片封装体-CN201410042921.4有效
  • 何彦仕;刘沧宇;林佳升 - 精材科技股份有限公司
  • 2014-01-29 - 2017-04-12 - H01L23/488
  • 本发明提供一种晶片封装体,其包括一半导体基底,具有一第一表面及一第二表面;一第一凹陷,自该第一表面朝该第二表面延伸;一第二凹陷,自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸,其中该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面;一导线层,设置于该第一表面上,且延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷;一绝缘层,位于该导线层与该半导体基底之间;一晶片,设置于该第一表面上;以及一导电结构,设置于该晶片与该第一表面之间。本发明不仅有助于晶片封装体的缩小化,还可提升导线层的可靠度。
  • 晶片封装
  • [发明专利]晶片支撑及校准设备-CN201480014139.X有效
  • 保罗·E·佩敢堵;查理斯·T·卡尔森 - 瓦里安半导体设备公司
  • 2014-03-11 - 2017-09-12 - H01L21/68
  • 本发明所公开的是晶片支撑及校准设备。晶片支撑及校准设备包括适用于固定、校准及支撑晶片晶片支撑元件。晶片支撑元件包括至少一个平坦部分以支撑晶片、至少一个校准边缘部分从至少一个平坦部分向上突出以及由至少一个平坦部分的一部分雕刻而成的至少一个凹陷袋区。至少一个凹陷袋区适用于接收至少一个垫。可保持硅晶片的校准以及在(其)位置(上),防止在制造程序中移动硅晶片从站至站的机械终端作用设备在线性和旋转移动时滑动。
  • 晶片处理装置
  • [发明专利]用于电镀的碱预处理-CN201410658497.6在审
  • 马修·托鲁 - 朗姆研究公司
  • 2014-11-18 - 2015-05-27 - C25D7/12
  • 在电沉积之前,具有一个或多个凹陷特征(例如硅通孔(TSV))的半导体晶片通过使晶片与预先润湿液接触进行预处理,该预润湿液体包括缓冲剂(如硼酸盐缓冲剂)并具有介于约7和约13之间的pH值。该预处理对具有对酸敏感的含镍籽晶层(如NiB和NiP)的晶片是特别有用的。预润湿液体优选在与晶片衬底接触之前脱气。优选在低于大气压的压强下进行预处理,以防止在凹陷特征内的气泡形成。在对晶片进行预处理后,例如铜之类的金属从酸性电镀溶液被电沉积以填充晶片上的凹陷特征。所描述的预处理最小化在电镀期间籽晶层的腐蚀,并减少电镀缺陷。
  • 用于电镀预处理

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