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[发明专利]一种GaAs单晶生长工艺-CN202210205388.3有效
发明人：周雯婉 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本申请涉及晶体生长领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。包括以下步骤单晶生长：装有GaAs熔体的坩埚逐渐下降，并依次经过高温区、晶体生长区、低温区，单晶生长的过程中，结晶界面始终处于晶体生长区内；所述高温区的温度区间为1260‑1250℃，所述晶体生长区的温度区间为1250‑1200℃，所述低温区的温度区间为1200‑780℃；所述晶体生长区的温度随高度的降低逐渐降低。本申请的制备方法具有提高砷化镓生长品质的优点。
一种 gaas 生长工艺

[发明专利]用于晶体生长的基于激光式后加热-CN202180045569.8在审
发明人：罗伯特·肖恩杜布 -专利权人：德累斯顿科学仪器有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B15/16 文献下载
摘要：提供一种用于从熔融进料(23)生长为晶体(21)的晶体生长装置(10，10’，10”)和晶体生长方法，其中除了熔融区加热器之外，还设置了至少一个后加热激光器(5)以加热延伸式的后加热区(50)，后加热区(50)与邻近于熔融区(230)的固化区(210)至少部分地重叠。晶体生长设备(10，10’，10”)和晶体生长方法可用于热处理，以减少生长的晶体(21)中的裂纹形成或热应力。
用于晶体生长基于激光加热

[发明专利]坩埚、晶体生长设备及坩埚的制备方法-CN202211468313.0在审
发明人：陈红荣;汪晨;赵玉兵;张华利;孙庚昕 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚、晶体生长设备及坩埚的制备方法，坩埚包括：坩埚本体和第一过滤件。坩埚本体内限定出相互隔开的化料缓冲区和晶体生长区，化料缓冲区和晶体生长区之间设有隔断部，隔断部形成有用于连通化料缓冲区和晶体生长区的第一连通孔，第一过滤件设于第一连通孔，化料缓冲区内的熔汤适于通过第一过滤件过滤后进入晶体生长区根据本发明实施例的坩埚，通过在隔断部的第一连通孔设置第一过滤件，可以过滤化料缓冲区内熔汤中的杂质和未完全熔化的硅颗粒，降低晶体生长区内的熔汤中的杂质含量以及未充分熔化的原料颗粒，减少生长出的晶体存在的缺陷，从而使晶体生长过程更稳定，提高了晶体的成晶率和生长质量。
坩埚晶体生长设备制备方法

[发明专利]一种用于晶体生长的垂直管式炉设备及其使用方法-CN201410510474.0无效
发明人：袁泽锐;康彬;邓建国;唐明静;张羽;窦云巍;方攀 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶体生长的垂直管式炉设备及其使用方法。该晶体生长炉系统包括套管、提拉装置和哑铃式生长安瓿；在加热元件的作用下使该晶体生长炉系统从上到下分低温区、梯度区和高温区三个温区。本发明的晶体生长方向与重力方向一致，对晶体中密度较大的杂质具有很好的排出效果，减少了杂质的聚集和沉淀，所生长晶体均匀性好，无杂质条纹。
一种用于晶体生长垂直管式炉设备及其使用方法

[发明专利]一种坩埚上升法制备高品质蓝宝石晶体的方法-CN201510043662.1有效
发明人：周森安;郭进武;李建国;郑传涛;王可 -专利权人：洛阳西格马炉业股份有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：一种坩埚上升法制备高品质蓝宝石晶体的方法，根据温度由高到低的梯次变化将晶体生长炉内部分为四个温度区，分别为由加热体加热的高温区、坩埚内氧化铝熔体的熔体温区、籽晶棒上所生长晶体与熔体接触的界面温区和用冷气降温的低温区；晶体生长过程中，通过控制坩埚的上升速度以及籽晶棒的上升速度以使坩埚中氧化铝熔体的液面与高温区和低温区的分隔板高度始终保持一致。本发明将炉体内分隔成四个温度区，通过对四个温度区的温度监控并进行调节，以使其具有最佳的温度梯度，从而准确控制固液界面温度，提高晶体生长的最佳热场方式，进而找到晶体生长最佳途径，以利于提高晶体生长速度和晶体生长质量
一种坩埚上升法制品质蓝宝石晶体方法

[发明专利]一种晶体生长方法和装置-CN202211103443.4在审
发明人：王宇;官伟明 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种晶体生长方法和装置，该方法包括：将原料置于生长腔体的原料区；将籽晶置于所述生长腔体的生长区，其中，所述原料区和所述生长区通过隔板分隔，所述隔板包括至少一个出料口；基于所述籽晶和所述原料，通过物理气相传输法生长晶体；其中，在晶体生长过程中，监测晶体生长情况；基于所述晶体生长情况，调节加热组件的加热参数和/或所述至少一个出料口的位置、形状、分布或流通面积中的至少一种。
一种晶体生长方法装置

[发明专利]氮化镓晶体生长装置及其生长方法-CN201910620554.4在审
发明人：乔焜;高明哲;林岳明 -专利权人：上海玺唐半导体科技有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓晶体生长装置及其生长方法。该氮化镓晶体生长装置包括反应容器，所述反应容器内设置原料区和结晶区，所述原料区和所述结晶区中的至少一者的数量为至少两个，所述原料区和所述结晶区在所述反应容器的轴向上交替分布。本发明的氮化镓晶体生长装置能够提高氮化镓晶体的生长速度和结晶质量，同时能够减少原料的损失。
氮化镓晶体生长装置结晶区原料区生长交替分布

[发明专利]一种多隔区垂直温度梯度可调的铸锭单晶硅生长设备及方法-CN202110974261.3在审
发明人：陈建明;胡君梅 -专利权人：胡君梅
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长设备领域，本发明提供一种多隔区垂直温度梯度可调的铸锭单晶硅生长设备及方法，该生长设备包括在坩埚中间用外隔板围成生长区，并在生长区内部用内隔板分割成若干个生长隔区，在每个生长隔区的底部可选择固定有籽晶，籽晶上方覆盖有多晶硅原料，每个生长隔区为一个独立的晶体生长区间，所有晶体同步生长。该生长设备中的外隔板用来阻挡从坩埚内壁析出的多晶向坩埚中心延伸，内隔板的设置避免了相邻晶体之间因为相互交叉生长而产生的晶界，大幅提高了硅晶体的单晶比例，晶体的生长区和保温层之间设有多个独立功率控制的加热器件，共同调节坩埚周围的温度梯度，控制晶体生长界面和生长速度，确保晶体生长顺利进行。
一种多隔区垂直温度梯度可调铸锭单晶硅生长设备方法

[实用新型]一种多隔区垂直温度梯度可调的铸锭单晶硅生长设备-CN202122008473.4有效
发明人：陈建明;胡君梅 -专利权人：胡君梅
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型属于晶体生长设备领域，本实用新型提供一种多隔区垂直温度梯度可调的铸锭单晶硅生长设备，该生长设备包括在坩埚中间用外隔板围成生长区，并在生长区内部用内隔板分割成若干个生长隔区，在每个生长隔区的底部可选择固定有籽晶，籽晶上方覆盖有多晶硅原料，每个生长隔区为一个独立的晶体生长区间，所有晶体同步生长。该生长设备中的外隔板用来阻挡从坩埚内壁析出的多晶向坩埚中心延伸，内隔板的设置避免了相邻晶体之间因为相互交叉生长而产生的晶界，大幅提高了硅晶体的单晶比例，晶体的生长区和保温层之间设有多个独立功率控制的加热器件，共同调节坩埚周围的温度梯度，控制晶体生长界面和生长速度，确保晶体生长顺利进行。
一种多隔区垂直温度梯度可调铸锭单晶硅生长设备

[发明专利]一种使用区域连续铸造法制备区熔硅料的方法-CN201210123940.0无效
发明人：丁欣 -专利权人：丁欣
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及区熔法(FZ法)晶体生长法。区熔(FZ)法指晶体生长的一种方法，又称悬浮区熔法，用来获取半导体如硅锗，砷化镓等的单晶。同其他晶体生长方法相比，区熔生长仅能使用西门子还原炉经过特殊工艺生产的柱状原料多晶硅，全球仅有有限的工厂提供极少产量的该种区熔多晶硅料，使得区熔方法未能如其他硅晶体生长方法一样得到普及。但是区熔法相较于其他晶体生长方法可以提供极低污染的硅单晶，在晶体质量上的优势无可比拟。本发明提供一种使用区域连续铸造法，使用普通西门子还原硅料制备区熔硅料的方法，以求扩大区熔原料的来源和降低制造成本，推广高质量的区熔晶体在行业中的应用。
一种使用区域连续铸造法制备区熔硅料方法

[实用新型]一种可实时观察晶体生长状况的晶体生长炉-CN200520113868.9无效
发明人：郝佳 -专利权人：北京工物科技有限责任公司
申请日： 2005-07-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可实时观察晶体生长状况的晶体生长炉。用该晶体生长炉可对布里奇曼坩锅下降法晶体生长过程进行实时观察。该晶体生长炉炉壁上有一观察窗口，透过该观察窗和导光玻璃可以观察到炉内晶体生长状况。为适应增加了观察窗后温度场的改变，在两温区之间插入了一块导热性能良好的氧化铝陶瓷环，以增强生长区的径向散热；陶瓷环上有一处内宽外窄的缺口，用于镶嵌观察用导光玻璃块；坩锅底部采用了导热性良好的陶瓷棒作支座，以增强晶体中心部位的散热。用该晶体生长炉可以获得平整的固液界面，使晶体稳定地生长。
一种实时观察晶体生长状况

[发明专利]回旋式连续供料的晶体生长方法及其装置-CN200810019231.1无效
发明人：李红军;徐军;林岳明;曾金穗 -专利权人：扬州华夏集成光电有限公司
申请日： 2008-01-17 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种回旋式连续供料的晶体生长方法及其装置，属于结晶工艺技术领域，所述的方法是装料的坩埚在旋转机构的带动下依次经过具有上/下装料区、预熔区、生长区和退火区完成晶体生长；所述装置由环形布置的上/下装料区、预熔区、生长区、退火区和旋转机构构成的炉体，通过在环形布置的装置中完成晶体生长过程的几个关键操作，可以有效地减少晶体生长周期，可以进行连续供料不间断生长，降低能耗和成本，可以同时进行多根晶体的生长，本发明所提供的方法可以应用于生长大尺寸片状金属、半导体、陶瓷、共熔化合物晶体(如硅、氧化铝、尖晶石、石榴石等等)。
回旋连续供料晶体生长方法及其装置

[发明专利]一种晶体生长设备及晶体生长方法-CN202111673957.9在审
发明人：杨建春 -专利权人：上海翌波光电科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长设备及晶体生长方法，该晶体生长设备包括机架，机架上设置有生长炉，生长炉的内部形成有用于营造晶体生长环境的加热区，生长炉上开设有出料口，机架上滑移设置有坩埚，坩埚呈长管状，且坩埚呈倾斜或水平设置，坩埚的开口朝向生长炉且与出料口插接滑移配合，且坩埚的滑移方向与自身长度方向平行，机架上设置有用于驱动坩埚滑移的驱动组件。该晶体生长方法包括以下步骤：将生长超长晶体的原料混合后倒入坩埚中；移动导料板，将坩埚移入加热区内；加热区将原料融化成液体，然后利用导料板将坩埚慢慢移出加热区，液体冷却凝固，形成晶体。本申请有助于改善超大晶体在生长过程中坩埚变形及漏液的情况。
一种晶体生长设备方法

[发明专利]制备无排除区的外延用结构的工艺-CN200810098657.0有效
发明人： C·阿雷纳;F·勒泰特 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备无排除区的外延用结构的工艺，外延用复合结构包括支撑衬底上的至少一层半导体材料的晶体生长籽晶层，支撑衬底和晶体生长籽晶层各自在其结合面的外围包括倒角或边缘倒圆区。该工艺包含至少一步的将晶体生长籽晶层直接结合到支撑衬底的的晶片结合步骤和至少一步的晶体生长籽晶层的减薄步骤，所述的晶体生长籽晶层在减薄后具有与其初始直径相同的直径。
制备排除外延结构工艺

[发明专利]一种单温区晶体生长装置及单温区晶体生长方法-CN201510903155.0在审
发明人：唐明静;康彬;窦云巍;袁泽锐;张羽;方攀;陈莹;尹文龙 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶体生长的单温区竖直梯度冷凝生长方法的生长装置及单温区晶体生长方法。本发明利用该晶体生长装置首先将晶体生长原料装入生长安瓿，然后测试未放入安瓿时的空炉温场分布，将测试得到的空炉温场分布曲线和晶体生长所需温场条件相结合来确定生长安瓿的放置区域，放入安瓿后，再根据实时的温场测试来调节温场至符合晶体的生长工艺要求后，保温一段时间使晶体充分熔融，并设置降温程序，开始晶体生长。本发明所述方法可大幅降低单晶生长设备的成本，简化单晶生长工艺，通过炉体结构的简单设计实现温场梯度的可控，可满足多种晶体的生长需求，并且通过实时的温度调节可减少安瓿放入后对温场的扰动。
一种单温区晶体生长装置方法

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