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[发明专利]基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器-CN202111088025.8有效
发明人：吴侃;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S3/063 文献下载
摘要：一种基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器，该芯片自下向上依次是衬底、二氧化硅包层、掺铒铌酸锂薄膜和射频电极；利用光刻刻蚀所述的掺铒铌酸锂薄膜，形成脊型掺铒铌酸锂波导；在所述的掺铒铌酸锂波导的两侧、互相平行地设置所述的射频电极本发明采用掺铒铌酸锂薄膜作为波导，即保留了掺铒波导的低噪声增益特性，又引入了铌酸锂波导的电光特性，满足了主动锁模激光器所需的增益和调制需求，配合直流偏置，可以实现低噪声且重频连续可调的集成主动锁模激光器通过脊型掺铒铌酸锂波导将电极间距靠近，降低所需的调制电压和电功耗，对信号光和泵浦光模斑的强束缚还可以增加两者的交叠，提升泵浦效率。
基于掺铒铌酸锂波导芯片激光器

[发明专利]一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片及其制备方法-CN201210335651.7有效
发明人：张婷;曹远虎;夏宗仁;梁万国 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片，其中氧化镁含量为5.5~6.5mol%，晶片厚度0.5~3mm。本发明还公开了所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片的制备方法，首先是应用提拉法生长掺镁浓度为5.2～6mol%、适量富铌的铌酸锂晶体，晶体经过退火极化处理，再切割成晶片，将切割晶片埋入掺镁浓度为5.5～6.5mol%的同成分铌酸锂粉料中，再在1000℃～1150℃温度下恒温20～40小时进行扩散热处理，即得到所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片。本发明制备的掺氧化镁铌酸锂晶片成分均匀，折射率分布均匀，掺镁浓度高，铌锂比接近同成分配比，内部缺陷少，电畴反转电压较低，适合批量化的PPLN器件技术要求。
一种氧化镁成分铌酸锂晶片及其制备方法

[发明专利]掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料-CN201110064158.1有效
发明人：张心正;石凡;孔勇发;许京军;陈绍林;王丕东;张玲;孙骞 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料。掺铒铌酸锂多孔材料的制备以掺铒铌酸锂晶体体材料和去离子水为原料，利用手工及机械研磨的方法制备掺铒铌酸锂微晶，再利用过滤的方法选出合适粒径的微晶，最后利用干结或烧结的方法制备出掺铒铌酸锂多孔材料，其多孔材料中的掺铒铌酸锂微粒大小介于100nm-2μm之间；掺铒铌酸锂多孔材料的发光波长位于从400nm-1600nm范围中的多个波段且可选激发波长位于从380nm-1500nm范围中的多个波段；掺铒铌酸锂多孔材料既具有下转换发光特性又具有上转换发光特性
掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其

[发明专利]掺锡铌酸锂晶体-CN200910068819.0无效
发明人：刘士国;孔勇发;王利忠;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn⁴⁺，所述锡离子Sn⁴⁺的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li¹⁺与铌离子Nb³⁺。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用
掺锡铌酸锂晶体

[发明专利]基于Pt衬底的外延取向铌酸锂薄膜及其生长方法-CN201810536490.5有效
发明人：郑大怀;宋晓鹏;孔勇发;李文灿;贾龙飞;王烁琳;刘宏德;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜生长方法领域，主要涉及同成分、掺镁和掺铁铌酸锂薄膜及其生长方法。选择(111)晶向Pt，简称Pt(111)，基片为衬底，选取提拉法生长的同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂单晶为靶材。利用脉冲激光沉积方法，制备高质量的(006)外延取向同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂薄膜。所述薄膜可应用于制备波导、微腔、传感器、探测器、电光调制器；所述方法操作简捷、易于纳米级高质量外延铌酸锂薄膜的生长，便于微观尺度铌酸锂薄膜铁电畴调控、为制作和研究铌酸锂薄膜器件奠定基础。
铌酸锂薄膜掺铁生长外延取向衬底制备脉冲激光沉积电光调制器提拉法生长铌酸锂单晶铁电薄膜微观尺度传感器纳米级铁电畴探测器靶材波导晶向微腔薄膜调控制作应用研究

[发明专利]激光晶体和非线性晶体的封装方法及其在二极管泵浦固态激光器中的应用-CN201180023452.6有效
发明人：胡烨 -专利权人：胡烨
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明涉及将具有周期性畴反转结构的光学非线性晶体（例如，周期极化掺氧化镁铌酸锂）与激光晶体（例如，掺钕钒酸钇）封装在一起的方法，该方法用以实现低成本的紧凑高效的腔内配置中的二次谐波发生。
激光晶体非线性封装方法及其二极管固态激光器中的应用

[发明专利]一种掺银铌酸锂纳米多晶粉体及其制备方法-CN201410545658.0无效
发明人：阎文博;张丽霞;吴萌;王洵;陈洪建;张宇威;王冬辉;李敏;梁国弘 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明属于掺杂铌酸锂纳米多晶粉体的制备领域。一种掺银铌酸锂纳米多晶粉体及其制备方法，它涉及一种掺银铌酸锂纳米多晶粉体，化学式为：LiNbO₃:Ag。本发明使用廉价易得的原料，采用改良湿化学方法，将银离子掺入铌酸锂纳米多晶粉体中，实现银离子和基质材料的原子级别的均匀混合，制备出无铌酸银杂相的掺银铌酸锂纳米多晶材料。该掺银铌酸锂纳米多晶粉体同时具有优良的二次倍频性能、生物相容性以及抑制细菌繁殖的功能，在生物探针材料的应用上具有巨大的市场前景。
一种掺银铌酸锂纳米多晶及其制备方法

[发明专利]镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法-CN201110069522.3无效
发明人：王锐;郭倩;钱艳楠;邢丽丽 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法，本发明涉及掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料应用的技术问题。本发明的镱钬双掺铌酸锂晶体由五氧化二铌、碳酸锂、氧化镱和氧化钬制成；方法：将五氧化二铌、碳酸锂、氧化镱和氧化钬混合后焙烧得到多晶粉料，然后将多晶粉料在单晶生长炉中，采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长出晶体，再经退火后得到镱钬双掺铌酸锂晶体；该晶体双掺铌酸锂晶体用980nm的激光激发可得到红光和绿光，在光学数据存贮、海底通信、光学显示、彩色显示、光电子、医疗诊断等领域具有广泛应用前景。
镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]双掺铌酸锂晶体-CN200710150590.6无效
发明人：刘士国;吴胜青;孔勇发;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：一种双掺铌酸锂晶体，本发明属非线性光学晶体领域。本发明将抗光折变掺杂离子Zr⁴⁺和光折变离子Fe³⁺共同掺入铌酸锂晶体中，具有掺杂阈值低，易于生长出高品质晶体的特点，且晶体具有优异的光折变性能，其光折变响应时间比掺铁铌酸锂晶体缩短两个量级，比镁铁双掺铌酸锂晶体减少近1个量级，比铪铁双掺铌酸锂晶体缩短了五倍；光折变灵敏度比铪铁双掺铌酸锂晶体提高了2～3倍。本发明之锆铁铌酸锂晶体，具有优于其它双掺(如镁铁、铟铁、锌铁、铪铁等)铌酸锂晶体光折变性能的特点，因此在三维体全息存储的应用上具有巨大的市场前景。
双掺铌酸锂晶体

[发明专利]一种6-8英寸掺铁铌酸锂晶体的生长方法-CN202110493980.3在审
发明人：吉成;沈丽明 -专利权人：苏州晶采电子科技有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种6‑8英寸掺铁铌酸锂晶体的生长方法，该方法包括以下步骤：(1)通过调节多晶原料中铁离子的掺杂量，优选铁离子掺杂浓度，制备掺铁的铌酸锂多晶原料；(2)采用晶体提拉炉，通过优化晶体生长工艺参数，生长出6‑8英寸掺铁铌酸锂晶体；(3)多晶原料中铁离子的掺杂浓度越高，生长获得的铌酸锂晶体的电阻率越低。该发明生长的掺铁铌酸锂晶体具有尺寸大、成品率高、电阻率可控等优点。
一种英寸掺铁铌酸锂晶体生长方法

[发明专利]一种钛酸锂材料的制备方法、钛酸锂材料和钛酸锂电池-CN201810383871.4在审
发明人：李敏 -专利权人：北方奥钛纳米技术有限公司;银隆新能源股份有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锂材料的制备方法、钛酸锂材料和钛酸锂电池，该制备方法包括：使用去离子水，对钛源、锂源和铌源进行湿法混合，得到掺铌钛酸锂浆料；对所述掺铌钛酸锂浆料进行干燥、烧结和粉碎，得到所需克容量的掺铌钛酸锂负极材料
钛酸锂材料克容量掺铌制备钛酸锂电池制备工艺钛酸锂浆料钛酸锂负极去离子水湿法混合烧结钛源铌源锂源

[发明专利]掺锆铌酸锂晶体-CN200610129356.0无效
发明人：刘士国;孔勇发;赵艳军;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 -专利权人：南开大学
申请日： 2006-11-11 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr⁴⁺的掺入量大于0.01mol％。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr⁴⁺，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol％)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。
掺锆铌酸锂晶体

[实用新型]基于双折射相位匹配的宽带倍频波导器件-CN202121990794.2有效
发明人：仇晶;陈险峰 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G02F1/377 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于双折射相位匹配的宽带倍频波导器件，包括由下至上依次设置的铌酸锂衬底层、二氧化硅层和掺镁铌酸锂薄膜层，所述宽带倍频器件沿与掺镁铌酸锂薄膜Z轴成一定角度的方向切割而成；所述掺镁铌酸锂薄膜层上设置有两条不相交、非平行设置的槽，两条槽之间设置有铌酸锂波导结构。
基于双折射相位匹配宽带倍频波导器件

[发明专利]一种自准直空间型铌酸锂电光相位调制器及其制备方法-CN202110248273.8有效
发明人：华平壤;丁宁;戎士铖 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-03-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明的一种一种自准直空间型铌酸锂电光相位调制器及其制备方法，包括自准直空间型电光相位调制器包括电极(1)，掺镁铌酸锂晶体近表面折射率渐变层(2)和高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3)；其中在电极(1)的两极之间设置所述高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3)；所述掺镁铌酸锂晶体近表面折射率渐变层(2)成对地设置于高折射率掺镁铌酸锂晶体芯层(3)与所述电极(1)形成的空间中。与现有的铌酸锂空间型电光相位调制器相比，本发明具有更低的半波电压、更大的光强承受能力、更低的传输损耗和更高的调制效率；输入光束无需进行准直，减少了系统复杂程度，可直接与大芯径、大模场光纤直接连接，扩展了应用场景
一种空间型铌酸锂电光相位调制器及其制备方法

[发明专利]掺钒铌酸锂晶体-CN201010207689.7无效
发明人：刘士国;董印锋;孔勇发;张玲;陈绍林;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种掺钒铌酸锂晶体，采用Czochralski提拉法生长。元素钒掺杂量范围：0.1～5.0mol％(摩尔百分比)。在掺杂量达到2.0mol％后，晶体将具有104W/cm2以上的抗光折变能力，钒成为抗光折变掺杂。作为铌酸锂晶体新型的掺杂元素，钒无论在光折变还是在抗光折变方面均具有优异的性能，尤其是在紫外光折变方面，既性能突出，又掺杂量低，易于生长高光学质量的单晶，具有广阔的应用前景。
掺钒铌酸锂晶体

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