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[发明专利]固液分离装置及固液分离方法-CN201480021184.8有效
发明人：小滨文夫;安部俊彦;岛仓大辅;池田孝;出纳正彬;三井昌文 -专利权人：住友重机械环境工程株式会社;爱慕之环境技研有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： B01D21/08 文献下载
摘要：本发明提供一种固液分离装置，其具有被处理水导入部，用于导入被处理水；及絮凝物成长区，捕捉从被处理水导入部导入的被处理水中的固体并且通过被处理水使絮凝物成长，其中，所述固液分离装置具有下降流区，使在絮凝物成长区成长的絮凝物从絮凝物成长区单向下降；分离区，从通过絮凝物成长区之后的被处理水中分离出从下降流区下降而来的絮凝物；及上升流区，使在分离区中分离出絮凝物的被处理水上升。
分离装置方法

[发明专利]蔬菜种植与土鸡养殖相结合的生态农业循环模式养殖装置-CN202310158057.3在审
发明人：刘健;杨维;张永;王成栋;李远发 -专利权人：贵州纳雍源生牧业股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： A01K67/02 文献下载
摘要：本发明公开了养殖领域的蔬菜种植与土鸡养殖相结合的生态农业循环模式养殖装置，包括沿顺时针依次设有的休耕区、养殖区、成熟区、第一成长区、第二成长区和幼苗区；养殖区内安装有可拆卸连接的养殖屋，养殖屋包括若干底板和安装在底板顶部的若干支撑板，支撑板上设有屋顶，底板与地面之间设有若干支撑柱；在土鸡养殖过程中，使养殖区内的土鸡在第一成长区和第二成长区进行觅食，根据四季变化，使休耕区、养殖区、成熟区、第一成长区、第二成长区和幼苗区依次进行轮换，将原有养殖区的鸡粪对原有的休耕区进行追肥，使土地能循环耕种，保障蔬菜的种植效果，增加经济效益。
蔬菜种植土鸡养殖相结合生态农业循环模式装置

[发明专利]土鸡养殖方法及其养殖设备-CN201810974580.2有效
发明人：黎星亮 -专利权人：桂林红冠生态农业发展有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： A01K67/02 文献下载
摘要：一种土鸡的养殖方法，其养殖方法包括以下步骤，建舍：将鸡舍按照土鸡的成长过程分为鸡苗区、成长区、成鸡区、果园区四个区域，所述鸡舍左右两侧设有饲料机和水泵，所述鸡苗区、成长区、成鸡区四周包裹着帆布且内部分别设有温度计和湿度计，所述鸡苗区、成长区、成鸡区底部设有网片本养殖方法能够规范养殖，对鸡的死亡率、生病率、料肉比进行大幅度降低，能够出栏率和生长速度进行提高，对产生的鸡粪能够二次利用，促进循环经济发展。
土鸡养殖方法及其设备

[发明专利]一种鱼苗养殖智能控制系统-CN201810496962.9在审
发明人：唐李根;李国友 -专利权人：安徽国川环境技术有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： A01K63/00 文献下载
摘要：本发明涉及鱼类养殖技术领域，尤其是一种鱼苗养殖智能控制系统，包括计一种鱼苗养殖智能控制系统，包括鱼池，所述鱼池内部设有两块网板，所述鱼池通过所述网板隔成三个区域，分别为成长较快养殖区、成长中等养殖区、成长较慢养殖区，鱼池通过管道连接有循环泵，所述循环泵进水口处设有灭菌过滤器，成长较快养殖区、成长中等养殖区、成长较慢养殖区各设有一个自动投料机，所述自动投料机连接有中央处理器，所述中央处理器与循环泵连接，每个所述网板上均设有一个鱼苗计数器及网孔关闭门本发明不仅方便用户管理渔业养殖，而且有利于鱼苗快速成长。
养殖区鱼池智能控制系统中央处理器鱼苗养殖网板鱼苗计数器自动投料机循环泵中央处理器连接无线传输模块循环泵进水口用户管理平台灭菌过滤器管道连接用户管理鱼类养殖渔业养殖网孔鱼苗

[发明专利]植物工厂自动化生产线-CN202011195445.1有效
发明人：孟祥宝;谢秋波;高翔;李上振;钟林忆;郭佩佩;李越;刘海峰;潘明;刘红刚;冯小川 -专利权人：广东省现代农业装备研究所;广州市健坤网络科技发展有限公司
申请日： 2020-10-31 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B65G23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种植物工厂自动化生产线，包括无菌培养室、幼苗输送线、成品输出线，以及位于所述无菌培养室内的龙门架机械手、育苗区及成长区，所述幼苗输送线及成品输出线的部分也位于所述无菌培养室内，所述幼苗输送线位于所述育苗区的一端，所述幼苗输送线上的植株可通过所述龙门架机械手搬运至所述育苗区，所述育苗区的植株可通过所述龙门架机械手搬运至所述成长区，所述成品输出线位于所述成长区的一端，所述成长区的植株可通过所述龙门架机械手搬运至所述成品输出线上
植物工厂自动化生产线

[发明专利]发光二极管元件-CN201110209447.6有效
发明人：陈吉兴;陈怡名;许嘉良 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明关于一种发光二极管元件，发光二极管元件包括导电成长基板、半导体磊晶叠层、第一电极和第二电极。导电成长基板上表面具有第一区域和第二区域。半导体磊晶叠层位于导电成长基板的第一区域上。半导体磊晶叠层包括依序堆栈于第一区域1A上的反射层、具有第一导电特性的第一半导体层、活性层和具有第二导电特性的第二半导体层；第一电极位于第二半导体层上；第二电极位于第二区域上，通过导电成长基板与半导体磊晶叠层电性连结；第一电极和第二电极位于所述导电成长基板的同一侧。相较现有技术，本发明的发光二极管元件提升了亮度，并增强了第二电极和导电成长基板的粘着力，防止第二电极脱离导电成长基板。
发光二极管元件

[发明专利]发光二极管元件-CN201610235831.6有效
发明人：陈吉兴;陈怡名;许嘉良 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明关于一种发光二极管元件，发光二极管元件包括导电成长基板、半导体磊晶叠层、第一电极和第二电极。导电成长基板上表面具有第一区域和第二区域。半导体磊晶叠层位于导电成长基板的第一区域上。半导体磊晶叠层包括依序堆栈于第一区域1A上的反射层、具有第一导电特性的第一半导体层、活性层和具有第二导电特性的第二半导体层；第一电极位于第二半导体层上；第二电极位于第二区域上，通过导电成长基板与半导体磊晶叠层电性连结；第一电极和第二电极位于所述导电成长基板的同一侧。相较现有技术，本发明的发光二极管元件提升了亮度，并增强了第二电极和导电成长基板的粘着力，防止第二电极脱离导电成长基板。
发光二极管元件

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201010547530.X无效
发明人：郑有宏;李启弘;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的形成方法，该方法包括于一半导体基板的上方形成一栅极堆叠结构；于上述半导体基板中形成一凹陷，且邻接于上述栅极堆叠结构；进行一选择性成长步骤，以于上述凹陷中成长一半导体材料，以形成一外延区；进行上述选择性成长步骤之后，对上述外延区进行一选择性回蚀刻步骤，其中使用包括用以成长上述半导体材料的一第一气体和用以蚀刻上述外延区的一第二气体的工艺气体进行上述选择性回蚀刻步骤。本发明可借由选择性回蚀刻步骤减少图案负载效应，以达到形成更均一的外延区，且改善外延区的轮廓。可减少甚至消除外延区的琢面。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种于一硅覆绝缘层上形成掺杂区的方法-CN01103004.6无效
发明人：叶文冠;曾华洲;刘键 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2001-01-23 - 公布日： 2002-09-04 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供一种于一硅覆绝缘层(silicononinsulator,SOI)上形成掺杂区的方法。该硅覆绝缘层包含有一介电层以及一硅层设于该介电层之上。该方法是先于该硅层的一预定位置形成一浅沟隔离(shallowtrenchisolation,STI)并穿达至该介电层,然后利用热扩散(diffusion)法趋入离子,以分别于该硅层上的第一区域形成一N型井(N－well)或一P型井(P－well)的掺杂区。接着利用热扩散法趋入离子以于该硅层上的第二区域形成一P型井或N型井的掺杂区。最后于该硅层表面利用分子束磊晶成长、液相磊晶成长或气相磊晶成长等方式成长一厚度约为200埃(angstrom)磊晶(epitaxy)层。
一种一硅覆绝缘形成掺杂方法

[发明专利]椎间植入物-CN201410527785.8有效
发明人：王鍏晴;陈彦年;苏子可;王福山;施威任;陈维德 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： A61L27/06 文献下载
摘要：一种椎间植入物，其由多个金属球体所组成的一多孔结构，且椎间植入物包括骨支撑区及骨成长区；其中，骨支撑区及骨成长区各具有多个连通孔，且骨支撑区的孔隙率小于骨成长区的孔隙率。
植入

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201610055781.3有效
发明人：郑有宏;李启弘;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的形成方法，该方法包括：提供一半导体基板；于该半导体基板的上方形成第一和第二栅极堆叠结构；于该半导体基板中形成第一和第二凹陷；进行一选择性成长步骤，以于该第一凹陷和该第二凹陷中成长一半导体材料，以同时且分别形成第一和第二外延区；以及进行该选择性成长步骤之后，对该第一和第二外延区进行一选择性回蚀刻步骤，其中使用包括用以成长该半导体材料的一第一气体和用以蚀刻该第一和第二外延区的一第二气体的工艺气体进行该选择性回蚀刻步骤本发明可借由选择性回蚀刻步骤减少图案负载效应，以达到形成更均一的外延区，且改善外延区的轮廓。可减少甚至消除外延区的琢面。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201710756619.9有效
发明人：沙哈吉·B·摩尔;潘正扬;张世杰;李承翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法包含形成栅极堆叠于基底上；成长源极/漏极区相邻于栅极堆叠，源极/漏极区为N型掺杂的硅；于源极/漏极区上成长半导体盖层，半导体盖层具有锗杂质，源极/漏极区不含锗杂质；沉积金属层于半导体盖层上；将金属层和半导体盖层退火，以在源极/漏极区上形成硅化物层，硅化物层具有锗杂质；以及形成金属接触电性耦接至硅化物层。
半导体装置制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201910043141.4有效
发明人：周以伦;陈之皓 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法，其中该制造方法包含：提供基板，包含第一区域以及第二区域；形成掩模层于第二区域上；外延成长半导体叠层于第一区域上，以及外延成长非单晶叠层于掩模层上，其中半导体叠层包含第一半导体层、第二半导体层以及发光叠层位于第一与第二半导体层之间，发光叠层包含AlXGa(1‑X)N于第一区域上，其中掩模层的高度小于半导体叠层的厚度使该第一区域上的该半导体叠层以及该掩模层上的该非单晶叠层相连接成长；以及沿着第二区域进行切割。
发光元件及其制造方法

[实用新型]成长纪念盒-CN200720196285.6无效
发明人：唐建衡 -专利权人：唐建衡
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： A45C11/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种成长纪念盒，包括盒体、分隔盒体的隔板和存放单元，盒体被隔板分成多个存放区，存放单元与收藏盒的多个存放区配合，作为存放单元的抽屉的拉盖板上设有用于插设代表照片的插设相框。该盒体的造型与婴儿车车体的形状相似，该成长纪念盒可以很好地与纪念儿童成长的纪念物融为一体，有助于获得更好的儿时记忆回忆的效果，该成长纪念盒独特的外形可以放在婴儿的桌面上作为展示盒使用，起到良好的装饰效果
成长纪念

[实用新型]一种成长型脊椎床网分区结构-CN201721925570.7有效
发明人：程学军 -专利权人：金可儿（上海）床具有限公司
申请日： 2017-12-31 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： A47C23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种成长型脊椎床网分区结构，床网主体沿其长度方向依次分为七个表面区域，分别为第一区、第二区、第三区、第四区、第五区、第六区和第七区，第一区、第二区、第三区和第四区的第一部分分别对应3‑9岁幼童的四个身体区段，第七区、第六区、第五区和第四区的第二部分分别对应9至16岁儿童的等四个身体区段，第二区的硬度比第一区、第三区的硬度小，第四区的硬度比第三区、第五区的硬度小，第六区的硬度比第五区、第七区的硬度小本实用新型的成长型脊椎床网分区结构，可有效保护孩子成长过程中脊椎发育的四个支撑点，同时有效分区承托孩子的每个部位，能够使不同年龄阶段的儿童的骨骼得到充分的舒展，能完全贴合儿童的身型。
脊椎分区结构成长型第一区床网本实用新型身体区段成长过程床网主体年龄阶段有效分区承托贴合支撑点骨骼发育

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